Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову transistor
Полевой транзистор на основе кремниевого нанопровода
В.А. Крупенин, Д.Е. Преснов, В.С. Власенко, С.В. Амитонов
Шумовые характеристики двухполюсника с отрицательным сопротивлением на основе биполярного транзистора
М.П. Савченко
Синтез динамических характеристик логических элементов на полностью обедненных КНИ КМОП нанотранзисторах
Н.В. Масальский - к.ф.-м.н., ст.научн.сотр., Научно-исследовательский институт системных исследований РАН. Е-mail: volkov@niisi.ras.ru
Вопросы масштабирования характеристик КМОП СБИС
Н.В. Масальский - к.т.н., ст. научн. сотр. Научно-исследовательского института системных исследований РАН. E-mail: volkov@niisi.ras.ru
Фототранзистор. Сигнальные и пороговые характеристики
В. Г. Шинкаренко - д.т.н., зав. кафедрой радиоэлектроники и прикладной информатики Московского физико-технического института (МФТИ) . Е-mail: vilen@mail.mipt.ru
Влияние переотражений во входном тракте отражательного усилителя CВЧ-сигналов на его основные характеристики
А.П. Венгер - к.ф.-м.н., с.н.с. САО РАН, г. Санкт-Петербург. E-mail: avenguer@rambler.ru Г.Н. Ильин - к.ф.-м.н., с.н.с. САО РАН, г. Санкт-Петербург. E-mail: igen@ipa.rssi.ru
Моделирование магнитоуправляемых генераторов с использованием Microwave Office
А.Л. Хвалин - к.т.н., доцент Саратовского государственного универсистета. E-mail: Khvalin63@mail.ru В.Н. Самолданов - мл.научн.сотр. ОАО «НИИ-Тантал», г. Саратов А.В. Васильев - зав. лабораторией кафедры общей физики Саратовского государственного университета
Методика моделирования переходных процессов в однотактных каскадах на биполярных транзисторах
А.Г. Чертановский - ст. преподаватель, кафедра радиотехники и радиотехнических систем, Чувашский государственный университет им. И.Н. Ульянова E-mail: alexgray@mail.ru
Моделирование характеристик логических и арифметических элементов на полностью обедненных КНИ КМОП нанотранзисторах
Н.В. Масальский - к.ф.-м.н., зав. сектором НИИ системных исследований РАН (Москва). Е-mail: volkov@niisi.ras.ru
Методика уточнения характеристик модели Матерка полевого транзистора
В.П. Мещанов - д. т. н., зам. директора ОАО «ЦНИИИА». E-mail: market@cime.ru А.Л. Хвалин - к. т. н., доцент, Саратовский ГУ. E-mail: Khvalin63@mail.ru
Кремниевая наноэлектроника: проблемы и перспективы
К. А. Валиев - академик РАН, Советник РАН, зав. кафедрой физических и технологических проблем микроэлектроники, Физико-технологический институт РАН E-mail: valiev@ftian.ru В. В. Вьюрков - к.ф.-м.н., доц. кафедры физических и технологических проблем микроэлектроники, Физико-технологический институт РАН, вед. научн. сотрудник ФТИАН E-mail: vyurkov@ftian.ru А. А. Орликовский - академик РАН, зам. зав. кафедрой физических и технологических проблем микроэлектроники МФТИ, директор, ФТИАН E-mail: orlikovsky@ftian.ru
Приборы наноэлектроники
А. А. Щука - д.т.н., действительный член Международной академии наук, проф. МИРЭА E-mail: shuka@mail.mipt.ru
Характеристики маломощного однобитного полного сумматора на полностью обедненных КНИ КМОП нанотранзисторах
Н.В. Масальский - к.ф.-м.наук, зав. сектором НИИСИ РАН. E-mail: volkov@niisi.ras.ru
Транзисторы на основе гетероструктур GAN/ALGAN для оборудования WIMAX
В.А. Буробин - к. т. н., директор, ФГУП «ГЗ Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru А.М. Коновалов - зам. гл. инженера, ФГУП «ГЗ Пульсар». E-mail: openline@gz-pulsar.ru А.Ю. Волошин - инженер-технолог, ФГУП «ГЗ Пульсар»
Решение задач проектирования СВЧ-генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе
Д.М. Горбачев - к. т. н., инженер-программист ООО НетКРЭКер Е.В. Мазеев - аспирант Саратовского ГТУ М.А. Фурсаев - д. т. н., профессор Саратовского ГТУ
Уменьшение погрешности контактирования при измерении параметров мощных полевых транзисторов
А.А. Капралова - вед. инженер ФГУП НПП «Исток» В.М. Лукашин - нач. НТС НИИ «МЭИИТ МИЭМ» Л.В. Манченко - нач. лаборатории ФГУП НПП «Исток» А.Б. Пашковский - д.ф.-м.н., нач. отдела ФГУП НПП «Исток» В.А. Пчелин - к.т.н., нач. лаборатории ФГУП НПП «Исток». E-mail: solidstate10@mail.ru
Перспективы создания СВЧ-элементов на основе полупроводниковых алмазных материалов
А.А. Алтухов - к.т.н., ст. науч. сотрудник, ООО ПТЦ «УралАлмазИнвест» А.С. Бугаев - академик, зав. лабораторией, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Ю.В. Гуляев - академик, директор, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН К.Н. Зяблюк - к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, ООО ПТЦ «УралАлмазИнвест» А.Ю. Митягин - д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, профессор, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Г.В. Чучева - д.ф.-м.н., ученый секретарь, ФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН
Исследование параметров полевых транзисторов с изолированным затвором при низких температурах
А.М. Пилипенко - к.т.н., доцент, кафедра теоретических основ радиотехники, Технологический институт Южного федерального университета (г. Таганрог). E-mail: pilipenko-am@mail.ru В.Н. Бирюков к.т.н., доцент, кафедра теоретических основ радиотехники, Технологический институт Южного федерального университета (г. Таганрог). E-mail: biryukov@users.tsure.ru
Минимизация коротко-канальных эффектов в характеристиках двухзатворных КНИ КМОП нанотранзисторов с архитектурой «без перекрытия»
Н.В. Масальский - к.ф.-м.н., зав. сектором, Научно-исследовательский институт (НИИСИ) РАН (Москва). E-mail: volkov@niisi.ras.ru
АНАЛИЗ СПЕКТРА ПЕРЕДАЮЩИХ ТРАКТОВ МЕТОДОМ КВАДРАТУРНЫХ СОСТАВЛЯЮЩИХ
А. В. Герасимов - аспирант, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). E-mail: rector@mirea.ru Б. С. Лобанов - к. т. н., ген. директор Центрального научно-исследовательского радиотехнического института им. академика А. И. Берга. E-mail: post@cnirti.ru Н. В. Милованова - инженер, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). E-mail: rector@mirea.ru Н. С. Макеенкова - инженер, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). E-mail: makeynkova@mirea.ru В. И. Нефедов - д. т. н., проф., зав. каф. радиоприборов, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). E-mail: nefedov@mirea.ru С. В. Есин - аспирант, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). E-mail: nefedov@mirea.ru
Плазмонное детектирование терагерцевого излучения в полевых транзисторах с двумерным электронным каналом и решеточным затвором
Д.В. Фатеев - к.ф.-м.н., науч. сотрудник, СФ ИРЭ им.В.А.Котельникова РАН E-mail: FateevDV@yandex.ru
Плазмонное детектирование терагерцевого излучения в двумерном электронном канале полевого транзистора с двойным решеточным затвором и асимметричной элементарной ячейкой
Д.В. Фатеев - к. ф.-м. н., ст. науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН; ст. науч. сотрудник, СГУ им. Н. Г. Чернышевского. Е-mail: FateevDV@yandex.ru В.В. Попов - д. ф.-м. н., зав. лабораторией, Саратовский филиал ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН Т. Отсуджи - сотрудник, Исследовательский ин-т электрических коммуникаций (Япония) Я.М. Мезиани - зав. лабораторией прикладной физики, Университет г. Саламанки (Испания) Д. Кокилат - сотрудник, лаборатория им. Ш. Кулона, Университет Moнтпелие-2 (Франция) В. Кнап - зав. лабораторией им. Ш. Кулона, Университет Moнтпелие-2 (Франция) С.А. Никитов - д. ф.-м. н., зам. директора ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, зав. лабораторией, СГУ им. Н. Г. Чернышевского
Транзисторы на основе гетероструктур GaN/AlGaN для оборудования WiMAX
В.А. Буробин - к. т. н., директор, ФГУП «ГЗ Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru А.М. Коновалов - зам. гл. инженера, ФГУП «ГЗ Пульсар». E-mail: openline@gz-pulsar.ru А.Ю. Волошин - инженер-технолог, ФГУП «ГЗ Пульсар»
Полевой транзистор с каналом-нанопроводом - основа молекулярного биосенсора
Д.Е. Преснов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, отдел микроэлектроники, НИИЯФ, Московский Государственный Университет. E-mail: denis.presnov@phys.msu.ru С.В. Амитонов - аспирант, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: Sam-MSU@yandex.ru В.А. Крупенин - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, лаборатория криоэлектроники, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: vladimir.krupenin@phys.msu.ru
Управление полевыми транзисторами в мостовой схеме с фазовым сдвигом без применения нелинейных оптопар в контуре обратной связи
А.М. Бобрешов - д. ф.-м. н., профессор, зав. кафедрой электроники, Воронежский государственный университет (ВГУ), декан физического факультета ВГУ. E-Mail: bobreshov@phys.vsu.ru А.В. Дыбой - к. ф.-м. н., доцент, кафедра электроники Воронежский государственный университет. E-Mail: dyboy_a@mail.ru В.Мухаммед Салех - аспирант, кафедра электроники, Воронежский государственный университет. E-Mail: wathik@yandex.ru С.В. Бабенко - студент, кафедра электроники, Воронежский государственный университет. E-Mail: salia2@yandex.ru
Полевой транзистор с каналом-нанопроводом - основа молекулярного биосенсора
Д.Е. Преснов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, отдел микроэлектроники, НИИЯФ, Московский Государственный Университет. E-mail: denis.presnov@phys.msu.ru С.В. Амитонов - аспирант, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: Sam-MSU@yandex.ru В.А. Крупенин - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, лаборатория криоэлектроники, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: vladimir.krupenin@phys.msu.ru
Устойчивость буферного усилителя в нелинейном режиме
Е.А. Силаев - начальник сектора ОАО «Радиофизика» Ю.С. Гуськов - инженер ОАО «Радиофизика»
Технологическая оптимизация ГИС и МИС дискретных аттенюаторов
А.Г. Гудков - д. т. н., профессор, МГТУ им. Н. Э. Баумана В.В. Попов − к.т.н., генеральный директор ОАО «Светлана» (Санкт-Петербург)
Технологическая оптимизация дискретных ГИС и МИС фазовращателей
А.Г. Гудков - д.т.н., профессор, кафедра РЛ6 «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана В.В. Попов - к.т.н., генеральный директор ОАО «Светлана» (Санкт-Петербург)
Проектирование устройств управления амплитудой мощных однополярных импульсов
А.А. Титов - д.т.н., профессор, кафедра радиоэлектроники и защиты информации, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. E-mail: TitovAA@rzi.tusur.ru
Пути повышения точности дискретных ГИС- и МИС-фазовращателей
А.Г. Гудков - д.т.н., профессор, МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва). E-mail: k_rl6@mstu.ru
Генератор высоковольтных наносекундных импульсов на лавинных транзисторах
М.А. Карпов - к.т.н., доцент, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) Д.В. Никишин - аспирант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) А.В. Шпак - докторант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) Е.В. Егорова - к.т.н., доцент, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА). Е-mail: calipso@dubki.ru Е.О. Петренко - аспирант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) С.С. Халимов - аспирант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА)
Инновационные технологии в производстве СВЧ-электронных твердотельных компонентов
В.А. Буробин - к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru, openline@gz-pulsar.ru Л.М. Пазинич - зам. директора НТЦ ТЭ, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: pazinich@gz-pulsar.ru
Генератор высоковольтных наносекундных импульсов на лавинных транзисторах
М. А. Карпов - к.т.н., доцент, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) Д. В. Никишин - аспирант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) А. В. Шпак - докторант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) Е. В. Егорова - к.т.н., доцент, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА). Е-mail: calipso@dubki.ru Е. О. Петренко - аспирант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) С. С. Халимов - аспирант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА)
Отрицание дешифратора
О. А. Громов - ассистент, кафедра «Автоматика и телемеханика», Пермский национальный исследовательский политехнический университет. E-mail: ogromov@inbox.ru А. Ю. Городилов - науч. сотрудник, Пермский национальный исследовательский политехнический университет. E-mail: gora830@yandex.ru А. А. Сулейманов - аспирант, ассистент, кафедра «Автоматика и телемеханика», Пермский национальный исследовательский политехнический университет. E-mail: alex@pstu.ru С. Ф. Тюрин - д.т.н., профессор, кафедра «Автоматика и телемеханика», Пермский национальный исследовательский политехнический университет. E-mail: tyurinsergfeo@rambler.ru
Выбор схемотехнических, конструкторских и технологических решений при разработке инвазивного транзисторного биосенсора
В. Н. Вьюгинов - к.т.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург. E-mail: mail@svetlana-ep.ru А. Г. Гудков - д.т.н., профессор, кафедра РЛ6 «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э.Баумана; ген. директор, ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН». E-mail ooo.giperion@gmail.com А. А. Зыбин - начальник лаборатории, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург С. А. Мешков - к. т. н., ст. науч. сотрудник, ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» Д. И. Цыганов - д.т.н., зав. кафедрой, ГБОУ ДПО РМАПО Минздрава России
Многозатворный 3-мерный транзистор с полевым управлением транспорта отрицательно заряженных экситонов
Л.И. Гурский - чл.-корр. НАНБ, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (г. Минск) Г.В. Крылова - к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, Белорусский государственный университет (г. Минск)
Моделирование режимов работы автономного инвертора напряжения на базе IGBT транзисторов с использованием техники векторной широтно-импульсной модуляции
Е. М. Солодкий - ст. преподаватель, кафедра «Микропроцессорные средства автоматизации», ФГБОУ ВПО «Пермский национальный исследовательский политехнический университет». Е-mail: wsdl00@gmail.com Д. А. Даденков - ст. преподаватель, кафедра «Микропроцессорные средства автоматизации», ФГБОУ ВПО «Пермский национальный исследовательский политехнический университет». Е-mail: dadenkov@mail.ru
Метод анализа деградации подзатворного диэлектрика быстродействующего полевого транзистора
В.Е. Драч - к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ1-КФ, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: drach@kaluga.org А.В. Родионов - к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ2-КФ, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: andviro@gmail.com
Эффект интермодуляции на выходе передающей адаптивной антенной решетки
Д.Д. Ганзий - д.т.н., начальник отделения, ОАО «НПЦ «ВИГСТАР» (Москва) E-mail: ntc4@vigstar.ru П.В. Русаков - начальник сектора, ОАО «ГСКБ «Алмаз-Антей» (Москва) E-mail: rp258rt@rambler.ru Г.И. Трошин - д.т.н., профессор, вед. науч. сотрудник, ОАО «НПЦ «ВИГСТАР» (Москва) E-mail: ntc4@vigstar.ru
Моделирование температурного распределения потенциала в КНИ КМОП нанотранзисторе с архитектурой «без перекрытия»
Н.В. Масальский - к.ф-м.н, ст. научный сотрудник, Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (Москва). Е-mail: volkov@niisi.ras.ru
О.В. Лосев и пути развития русской микроэлектроники в XXI в
С.А. Гилёв - вед. инженер, Музей науки «Нижегородская радиолаборатория» ННГУ им. Н.И. Лобачевского (Национальный исследовательский университет) (г. Нижний Новгород). E-mail: serangil-nrl@yandex.ru М.А. Новиков - к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, Институт физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород). E-mail: mnovik@ipm.sci-nnov.ru А.А. Потапов - д.ф.-м.н., профессор, гл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН; Президент совместной китайско-российской лаборатории информационных технологий и фрактальной обработки сигналов (Китай, Гуанджоу). E-mail: potapov@cplire.ru А.Э. Рассадин - координатор объединенных научно-образовательных программ НРО НТОРЭС им. А.С. Попова (г. Нижний Новгород). E-mail: brat_ras@list.ru
Особенности проектирования широкополосных усилительных модулей диапазона 2-4 ГГц с выходной мощностью 50 Вт
М.П. Апин - к.э.н., первый зам. ген. директора - гл. инженер, ОАО «НПП «Алмаз» (г. Саратов) Л.С. Сотов - д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского А.Л. Хвалин - д.т.н., доцент, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Пороговые характеристики двухзатворных симметричных полевых нанотранзисторов с гауссовским вертикальным профилем легирования
Н.В. Масальский - к.ф-м.н, зав. сектором, Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (Москва). Е-mail: volkov@niisi.ras.ru
Моделирование распределения токов в системе соединений мощного ВЧ (СВЧ) транзистора
О.М. Булгаков - д.т.н., профессор, первый зам. начальника, Краснодарский университет МВД России М.Ю. Пакляченко - адъюнкт, Воронежский институт МВД России. E-mail: marina_lion@mail.ru
Исследование методом математического моделирования ВАХ многопараметрических биосенсоров на основе HEMT-транзисторов без затвора
А.Г. Гудков - д.т.н., профессор, кафедра РЛ6 «Технологии приборостроения» МГТУ им. Н.Э.Баумана. E-mail: profgudkov@gmail.com В.Н. Вьюгинов - к.ф.-м.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: vyuginov@svetlana-ep.ru В.Г. Тихомиров - к.т.н., ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: v11111@yandex.ru А.А. Зыбин - начальник лаборатории, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: zybin_aa@svetlana-ep.ru
Анализ зависимости параметров HEMT транзисторов на основе GaN от толщины наноразмерного барьерного слоя AlGaN с помощью численного моделирования
В.А. Петров - инженер-технолог, ЗАО «Светлана -Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: v.petrov@svetlana-ep.ru В.Г. Тихомиров - к.т.н., ЗАО «Светлана - Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: v11111@yandex.ru
Методика и аппаратура для измерения низкочастотного шума
В.Н. Вьюгинов - к.ф.-м.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: vyuginov@svetlana-ep.ru А.Г. Гудков - д.т.н., профессор, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: profgudkov@gmail.com В.А. Добров - начальник отдела, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: dobrov@svetlana-ep.ru Т.Ю. Кудряшова - ст. преподаватель, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: vttania@list.ru А.В. Мещеряков - к.т.н., доцент, кафедра «Радиотехнические и телекоммуникационные системы», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: vttania@list.ru В.Г. Усыченко - д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: usychenko@rphf.spbstu.ru В.Д. Шашурин - д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: schashurin@bmstu.ru С.И. Видякин - аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: bmsturl@gmail.com С.В. Чижиков - ассистент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: chigikov95@mail.ru
Характеристики электромагнитной совместимости малошумящего усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом при воздействии сверхкоротких импульсных помех
А.М. Бобрешов - д.ф.-м.н., профессор, декан Физического факультета, Воронежский государственный университет. E-mail: bobreshov@phys.vsu.ru И.С. Коровченко - к.ф.-м.н., доцент, Физический факультет, Воронежский государственный университет. E-mail: korovchenko@vsu.ru В.А. Степкин - к.ф.-м.н., доцент, Физический факультет, Воронежский государственный университет E-mail: stepkin@phys.vsu.ru Г.К. Усков - д.ф.-м.н., доцент, Физический факультет, Воронежский государственный университет E-mail: uskov@phys.vsu.ru Лэ Куанг Тук - аспирант, Физический факультет, Воронежский государственный университет E-mail: lequangtuc@gmail.com
Проектирование мощных широкополосных усилителей на отечественной элементной базе в диапазоне 1-2 ГГц
М.П. Апин - к.э.н., первый зам. ген. директора, гл. инженер, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов) А.Г. Балаболин - начальник отдела, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов) А.Л. Хвалин - д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского Л.С. Сотов - д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Особенности логики FPGA Stratix III
С.Ф. Тюрин - д.т.н., профессор, кафедра «Автоматика и телемеханика», Пермский национальный исследовательский политехнический университет. E-mail: tyurinsergfeo@at.pstu.ru И.И. Безукладников - к.т.н., доцент, кафедра «Автоматика и телемеханика», Пермский национальный исследовательский политехнический университет. E-mail: corrector@at.pstu.ru
Схемотехническое моделирование DC/DC-преобразователей
В.П. Бабенко - к.т.н., доцент, Московский технологический университет (МИРЭА) Е-mail: babenko@mirea.ru В.К. Битюков - д.т.н., профессор, зав. кафедрой, Московский технологический университет (МИРЭА) E-mail: bitukov@mirea.ru Д.С. Симачков - ст. преподаватель, Московский технологический университет (МИРЭА) Е-mail: 4uct@rambler.ru
Адаптивный к помехам усилительный каскад
А.М. Бобрешов - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой электроники, Воронежский государственный университет E-mail: bobreshov@phys.vsu.ru Н.Н. Мымрикова - д.ф.-м.н., профессор, кафедра электроники, Воронежский государственный университет E-mail: ninamymrikova@gmail.com А.А. Яблонских - аспирант, кафедра электроники, Воронежский государственный университет E-mail: jablonskihaa@yandex.ru
Работа последовательного транзисторного инвертора на емкостную нагрузку
А.Я. Сергеев - к.т.н., ст. науч. сотрудник, доцент, кафедра «Радиотехнические и телекоммуникационные системы», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого E-mail: acsergeev@yandex.ru
Применение численного моделирования для оценки влияния параметров эксплуатации и внешних воздействий на ВАХ гетероструктурных полевых транзисторов, используемых в РЭА космического назначения
В.Г. Тихомиров - к.т.н., доцент, СПбГЭТУ «ЛЭТИ» E-mail: root@post.etu.spb.ru В.Д. Шашурин - д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: schashurin@bmstu.ru С.И. Видякин - аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: bmsturl@gmail.com С.В. Чижиков - ассистент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: chigikov95@mail.ru
Терагерцевый транзистор на основе графена
М.В. Давидович - д.ф.-м.н., профессор, Национальный исследовательский Саратовский государственный университет E-mail: davidovichmv@info.sgu.ru
Методика анализа широкополосных свойств мощных СВЧ-транзисторов
П.Л. Куршев - аспирант, кафедра физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет E-mail: mepavel@mail.ru Е.Н. Бормонтов - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет E-mail: me144@phys.vsu.ru
Влияние низкотемпературного отжига на низкочастотные и СВЧ-параметры AlGaN/GaN транзисторов
А.С. Евсеенков - аспирант, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); инженер-технолог, АО «Светлана-Электронприбор» E-mail: as.evseenkov@gmail.com В.Е. Земляков - к.т.н., доцент, Национальный исследовательский университет «МИЭТ» E-mail: vzml@rambler.ru В.Г. Тихомиров - к.т.н., доцент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) E-mail: v11111@yandex.ru С.А. Тарасов - к.ф-м.н., доцент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) E-mail: SATarasov@mail.ru Я.М. Парнес - аспирант, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); вед. инженер, АО «Светлана-Электронприбор» E-mail: jmparnes@gmail.com Н.К. Баловнев - студент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); инженер, АО «Светлана-Электронприбор» E-mail: nikolay5556@gmail.com Е.Е. Куртеев - студент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); инженер, АО «Светлана-Электронприбор» E-mail: kusticky@gmail.com А.Н. Лубяной - инженер, АО «Светлана-Электронприбор» E-mail: andrey.lubyanoy@gmail.com
Наноразмерные кремниевые полевые транзисторы для биосенсоров

Н.В. Масальский – к.-ф.м.н., вед. науч. сотрудник, 

Федеральный научный центр «Научно-исследовательский институт системных исследований РАН» (Москва)

E-mail: volkov@niisi.ras.ru 

Исследование и моделирование явления «мягкого пробоя» в СВЧ HEMT на основе нитрида галлия

В.Г. Тихомиров к.т.н., доцент, 

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова

E-mail: vv11111@yandex.ru

М.К. Попов – студент, 

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова

E-mail:mat68rus@mail.ru

Г.А. Гудков – лаборант, 

ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» (Москва)

E-mail: ooo.giperion@gmail.com

Кремниевые неравномерно легированные нанотранзисторные биосенсоры

Н.В. Масальский – к.-ф.м.н., вед. науч. сотрудник, ФГУ «Федеральный научный центр 

«Научно-исследовательский институт системных исследований РАН» (Москва)

E-mail: volkov@niisi.ras.ru

Наноэлектронные биосенсоры для диагностики онкологических заболеваний

Т.С. Романова – к.б.н., мл. науч. сотрудник, 

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича (Москва)

E-mail: romtatyana@mail.ru

К.А. Мальсагова – к.б.н. мл. науч. сотрудник, 

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича (Москва)

E-mail: f17-1086@yandex.ru

Т.О. Плешакова – д.б.н., зам. директора по научной работе, 

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича (Москва)

E-mail: pleshakova@gmail.com

А.А. Валуева – мл. науч. сотрудник, Научно-исследовательский институт биомедицинской химии 

им. В.Н. Ореховича» (Москва); Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева (Москва)

E-mail: varuevavarueva@gmail.com

Р.А. Галлиулин – ведущий программист, 

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича (Москва)

E-mail: rafael.anvarovich@gmail.com

В.С. Зиборов – вед. специалист, Научно-исследовательский институт биомедицинской химии  им. В.Н. Ореховича (Москва); Объединенный институт высоких температур РАН (Москва)

E-mail: ziborov.vs@yandex.ru

О.Ф. Петров – академик РАН, д.ф.-м.н., директор Объединенного института высоких температур РАН (Москва)

E-mail: ofpetrov@ihed.ras.ru

В.Г. Никитаев – д.т.н., профессор, зав. кафедрой компьютерных медицинских систем, 

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (Москва)

E-mail: kaf46@mail.ru

А.Н. Проничев – к.т.н., первый зам. заведующего кафедрой компьютерных медицинских систем,  Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (Москва)

E-mail: kaf46@mail.ru

Е.А. Дружинина – аспирант, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (Москва) E-mail: kaf46@mail.ru

Ю.Д. Иванов – д.б.н., профессор, зав. лабораторией нанобиотехнологии, 

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича (Москва)

E-mail: yurii.ivanov.nata@gmail.com

Исследование влияния легирования буферного слоя GaN углеродом на эффект лавинного пробоя нормально открытых HEMT AlGaN/AlN/GaN-транзисторов

Тхан Пьо Чжо

Институт квантовой физики и наноэлектроники Национального исследовательского университета «МИЭТ»  (Москва, Россия) 

Подготовка поверхности подложки кремниевых нанопроволочных полевых транзисторов для создания биосенсора

А.А. Черемискина¹, В.М. Генералов², А.С. Сафатов³, Г.А. Буряк4, А.Л. Асеев5

1-4 ФБУН ГНЦ вирусологии и биотехнологии «Вектор» Роспотребнадзора (р.п. Кольцово, Новосиб. обл., Россия)

5 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (г. Новосибирск, Россия);

Новосибирский государственный университет (г. Новосибирск, Россия)

Кремниевые неравномерно легированные нанотранзисторные биосенсоры

Н.В. Масальский – к.-ф.м.н., вед. науч. сотрудник, ФГУ «Федеральный научный центр 

«Научно-исследовательский институт системных исследований РАН» (Москва) E-mail: volkov@niisi.ras.ru

Генератор хаоса с высоким энергетическим потенциалом

С.В. Савельев, Л.А. Морозова

 Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Россия)

Сверхмалошумящий опорный автогенератор сантиметрового диапазона волн на основе диэлектрического резонатора

Е.В. Егоров1, С.Б. Макаров2, В.М. Малышев

1 ООО «Специальный технологический центр», (Санкт-Петербург, Россия)

2-3 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого (Санкт-Петербург, Россия)

Сенсорные свойства плавниковых полевых нанотранзисторов с полностью охватывающим затвором

Н.В. Масальский

ФГУ «ФНЦ «Научно-исследовательский институт системных исследований РАН» (Москва, Россия)

Метод расчета и оптимизации шумовых характеристик широкополосных фотоприемников повышенной точности

Д. Ф. Зайцев – д.т.н., гл. конструктор по радиофотонике,

АО «Концерн «Радиоэлектронные технологии» E-mail: zaysev@yandex.ru

Теоретический анализ массогабаритных характеристик и нелинейности при переходе от гибридных сборок к технологии монокристаллических плат

Ф.А. Барон – д.т.н., зам. гл. технолога по микроэлектронике, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
С.З. Галеев – зам. начальника цеха микроэлектроники, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
Ф.В. Зеленов – инженер-технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
А.Б. Иванов – инженер-технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
С.О. Коновалов – инженер-технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
А.Н. Масюгин – инженер-технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
А.В. Стреж – гл. технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
E-mail: filippbaron@mail.ru

Обзор методов измерения S-параметров транзисторов СВЧ и их сравнительный анализ

С.В. Савелькаев – д.т.н., профессор, Сибирский государственный университет геосистем и технологий E-mail: sergei.savelkaev@yandex.ru

Измерение теплового импеданса мощных транзисторов

В.И. Смирнов – д.т.н., профессор, кафедра «Проектирование и технология электронных средств», Ульяновский государственный технический университет

E-mail: smirnov-vi@ulstu.ru

В.А. Сергеев – д.т.н., доцент, директор Ульяновского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН E-mail: sva@ulstu.ru

А.А. Гавриков – к.т.н., ст. науч. сотрудник, Ульяновский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН E-mail: a.gavrikoff@gmail.com

А.М. Шорин – аспирант, кафедра «Проектирование и технология электронных средств», 

Ульяновский государственный технический университет

E-mail: anshant@yandex.ru

Моделирование широкополосного термостабилизированного усилительного модуля в диапазоне частот 1…2 ГГц

В.С. Чесаков – магистрант, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского

E-mail: seva.chesakov@mail.ru, kof@info.sgu.ru

Л.С. Сотов – д.т.н., Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского E-mail: slskit@mail.ru, kof@info.sgu.ru

Моделирование характеристик биполярного транзистора 2Т937 Часть I. Статические характеристики

М.П. Апин – к.э.н., первый зам. ген. директора, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

E-mail: info@almaz-rpe.ru, almaz-npp@mail.ru

А.Г. Балаболин – начальник отдела, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

E-mail: titkov-1973@yandex.ru, almaz-npp@mail.ru

А.Л. Хвалин – д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского

Моделирование характеристик биполярного транзистора 2Т937 Часть II. Частотные характеристики

М.П. Апин – к.э.н., первый зам. ген. директора, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

E-mail: info@almaz-rpe.ru, almaz-npp@mail.ru

А.Г. Балаболин – начальник отдела, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

E-mail: titkov-1973@yandex.ru, almaz-npp@mail.ru

А.Л. Хвалин – д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского

Синтез тракта предварительного усиления с последовательным соединением каскадов с целью уменьшения нелинейных искажений

А.М. Бобрешов – д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой электроники, декан Физического факультета, Воронежский государственный университет

E-mail: bobreshov@phys.vsu.ru

Н.Н. Мымрикова – д.ф.-м.н., профессор, кафедра электроники, Воронежский государственный университет E-mail: ninamymrikova@gmail.com

А.А. Яблонских – аспирант, кафедра электроники, Воронежский государственный университет E-mail: jablonskihaa@yandex.ru

Аналитическое представление характеристик биполярных транзисторов

А.Е. Китаев – инженер-программист, АО «СКБ радиоизмерительной аппаратуры» (г. Н. Новгород) E-mail: kitaev_a_e@mail.ru

Сверхширокополосный СВЧ-генератор, управляемый напряжением

А.Б. Никитин – к.т.н., доцент, Высшая школа прикладной физики и космических технологий, 

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

E-mail: nikitin@mail.spbstu.ru

Е.И. Хабитуева – аспирант, Высшая школа прикладной физики и космических технологий, 

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого E-mail: basilliounderground@mail.ru

Оптимизация характеристик усилителя мощности на отечественных биполярных транзисторах в диапазоне от 1 до 2 ГГц

М.П. Апин – к.э.н., первый зам. ген. АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

Г.В. Кудряшов – начальник научно-производственного комплекса, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

А.Л. Хвалин – д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского

Современные комплексированные устройства терагерцевого диапазона

А.А. Титков – аспирант, кафедра «Электронные приборы и устройства»,  Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.

E-mail: titkov-1973@yandex.ru

А.С. Олейник – д.т.н., профессор, кафедра «Электронные приборы и устройства»,  Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.

E-mail: anatoly.semenovich@gmail.com

М.С. Степанов – инженер, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов) E-mail: little_hans@mail.ru

Повышение надежности технологии формирования области базы транзисторов операционных усилителей

К.В. Попова – студент, кафедра ЭИУ4, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: krispo1994@yandex.ru

С.А. Адарчин – к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ4, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: adarchin@rambler.ru

В.Г. Косушкин – зав. кафедрой ЭИУ4, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: kosushkin@gmail.com

Е.Г. Пёрышкин – зам. гл. технолога, АО «ВОСХОД»-КРЛЗ E-mail: pesha1953@gmail.com

Влияние технологических и конструкторских параметров на динамические характеристики интегральных микросхем на основе биполярных транзисторов

О.Н. Глотова – инженер-технолог, АО «ВОСХОД»-КРЛЗ

E-mail: luckyfox13@mail.ru

С.А. Адарчин – к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ4, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: adarchin@rambler.ru

Сверхширокополосный усилитель мощности СВЧ

А.В. Бобров1, В.Н. Вьюгинов2, И.Г. Киселёв3, М.Ш. Тугушев4

1,3,4 АО «Светлана-Электронприбор»  (Санкт-Петербург, Россия)

2 СПб ГЭТУ (ЛЭТИ), (Санкт-Петербург, Россия)

Вертикальные КМОП нанотранзисторы с коническим каналом для трехмерных интегральных схем

Н.В. Масальский1

1 Федеральный научный центр «Научно-исследовательский институт системных исследований РАН» (Москва, Россия)

Сенсорные свойства комплементарной пары кремниевых полевых нанотранзисторов с цилиндрической геометрией

Н.В. Масальский1

1 ФГУ «Федеральный научный центр» Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (Москва, Россия)

Исследование влияния погрешностей изготовления на параметры транзисторов для монолитных интегральных схем СВЧ и выявление ключевых факторов, определяющих стабильность их работы в составе миниатюрного радиотермографа

В.Г. Тихомиров1, С.В. Чижиков2

1 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (С.-Петербург, Россия)

2 МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)

2 ООО «НПИ ФИРМА ГИПЕРИОН» (Москва, Россия)

Усилитель мощности для антенной решетки

А.Н. Зикий1, В.С. Ивлев2, А.С. Кочубей3

1 АО «Таганрогский научно-исследовательский институт связи» (г. Таганрог, Россия)

Гетероструктурный транзистор для энергоэффективного малошумящего усилителя радиотермографа на основе монолитных интегральных схем

А.Г. Гудков1, В.Г. Тихомиров2, С.В. Чижиков3

1,3 МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)

2 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Санкт-Петербург, Россия)

3 ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» (Москва, Россия)

Моделирование приборных структур наноэлектроники на основе 2D-материалов

И.И. Абрамов1, Н.В. Коломейцева2, В.А. Лабунов3, И.А. Романова4, И.Ю. Щербакова5

1–5 Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (г. Минск, Республика Беларусь)
 

Модернизация квазимонолитного усилителя мощности СВЧ-диапазона

В.А. Иовдальский1, Н.В.Ганюшкина2, В.П. Марин3, И.Н. Аюпов4, П.А. Сторин5

1,2,4,5 АО «НПП «Исток» им. Шокина» (Моск. обл., г. Фрязино, Россия)
3 Российский технологический университет (РТУ) МИРЭА (Москва, Россия)
 

Гетероструктурный транзистор для энергоэффективного малошумящего усилителя радиотермографа на основе монолитных интегральных схем

А.Г. Гудков1, В.Г. Тихомиров2, С.В. Чижиков3

1,3 МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)

2 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (Санкт-Петербург, Россия)

1 profgudkov@gmail.com; 2 vv11111@yandex.ru; 3 chigikov95@mail.ru

Исследование возможности улучшения чувствительности биосенсоров на основе нитрид-галлиевой наногетероструктуры транзистора с высокой подвижностью электронов для использования в составе многопараметрического инвазивного комплекса

В.Г. Тихомиров1, Г.А. Гудков2, С.В. Агасиева3

1 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (Санкт-Петербург, Россия)
2 ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» (Москва, Россия)
3 инженерная академия, Российский Университет Дружбы Народов имени Патриса Лумумба (Москва, Россия)
1 greenbob53@gmail.com, 3 agasieva-sv@rudn.ru

Формирование мощных коротких импульсов СВЧ с помощью усилителя на GaN-транзисторах

С.А. Бабунько1, Ю.Г. Белов2

1 АО «НПП «Салют-27» (г. Нижний Новгород, Россия)
2 Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (г. Нижний Новгород, Россия)

1 babunkosa@salut27.ru, 2 bel266@nntu.ru

Схемотехническое решение и алгоритм цифрового управления для универсального двунаправленного транзисторного модуля ключевого преобразователя напряжения

В.А. Филин1, А.Н. Головин2, В.С. Смирнов3, В.А. Юрова4

1–4 ФГБОУ ВО СПбГУТ им. проф. М.А. Бонч-Бруевича (Санкт-Петербург, Россия)

4 ФГБОУ ВО СЗГМУ им. И.И. Мечникова Министерства здравоохранения РФ (Санкт-Петербург, Россия)

1 filin_vladimir@mail.ru, 2 ece-ffp@sut.ru, 3 cathseugut@yandex.ru, 4 v.a.yurova@sut.ru

Вариации характеристик низковольтных логических вентилей на базе вертикальных кремниевых нанотранзисторов с коническим каналом

Н.В. Масальский1

1 Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (Москва, Россия)
volkov@niisi.ras.ru

Сравнительный анализ импедансов ключевых радиотехнических устройств с широтно-импульсной модуляцией на основе линейной модели и метода замкнутого контура

В.А. Филин1, Л.Э. Байжонова2, А.Н. Головин3, В.А. Юрова4

1, 3–4 ФГБОУ ВО «СПбГУТ им. проф. М.А. Бонч-Бруевича» (Санкт-Петербург, Россия)

2 Ташкентский университет информационных технологий имени Мухаммада аль-Хорезми
(г. Ташкент, Республика Узбекистан)

4 ФГБОУ ВО «Северо-Западный государственный медицинский университет им. И.И. Мечникова»
Минздрава России (Санкт-Петербург, Россия)

1 filin_vladimir@mail.ru; 2 bayjonoval@gmail.com; 3 cathseugut@yandex.ru; 4 v.a.yurova@sut.ru