350 руб
Журнал «Радиотехника» №5 за 2016 г.
Статья в номере:
Методика и аппаратура для измерения низкочастотного шума
Авторы:
В.Н. Вьюгинов - к.ф.-м.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: vyuginov@svetlana-ep.ru А.Г. Гудков - д.т.н., профессор, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: profgudkov@gmail.com В.А. Добров - начальник отдела, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: dobrov@svetlana-ep.ru Т.Ю. Кудряшова - ст. преподаватель, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: vttania@list.ru А.В. Мещеряков - к.т.н., доцент, кафедра «Радиотехнические и телекоммуникационные системы», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: vttania@list.ru В.Г. Усыченко - д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: usychenko@rphf.spbstu.ru В.Д. Шашурин - д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: schashurin@bmstu.ru С.И. Видякин - аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: bmsturl@gmail.com С.В. Чижиков - ассистент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: chigikov95@mail.ru
Аннотация:
Представлены основные принципы работы стенда для измерения низкочастотных шумов полупроводниковых приборов в условиях производства. Представлена схема установки для измерения низкочастотных шумов полупроводниковых изделий. Предложена методика, позволяющая проводить экспресс-анализ шумов приборов, находящихся на поверхности полупроводниковой пластины, и оценивать качество материала, из которого изготавливают полупроводниковый прибор. Представлены энергетические спектры шумов тока стока GaN-транзистора на SiC-подложке и вывод о качестве GaN-материала, из которого изготовлен транзистор.
Страницы: 152-154
Список источников

 

  1. Жигальский Г.П. Флуктуации и шумы в электронных приборах. М.: Физматлит. 2012. 512 с.
  2. Levinshtein M.E., Rumyntsev S.L., Tauk R., et al. Low frequency noise in InAlAs/InGaAs modulation doped field effect transistor with 50-nm gate length // Journal of Applied Physics. 2007. 102. 064506.
  3. Rumyntsev S.L., Pala N., Shur M.S., et al. Concentration dependence of the 1/f noise in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors // Semiconductor Science and Technology. 2002. № 17. P. 476−479.
  4. Shmidt N.M., Levinshtein M.E., Lundin W.V., et al. Low-frequency noise in GaN- epilayers with different degree of order of the mosaic structure // Semiconductors. 2004. № 38 P. 1036.