350 руб
Журнал «Радиотехника» №4 за 2013 г.
Статья в номере:
Проектирование устройств управления амплитудой мощных однополярных импульсов
Ключевые слова: амплитуда управление мощные сигналы транзисторы
Авторы:
А.А. Титов - д.т.н., профессор, кафедра радиоэлектроники и защиты информации, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. E-mail: TitovAA@rzi.tusur.ru
Аннотация:
Рассмотрены четыре схемных решения построения устройств управления амплитудой мощных однополярных импульсов на биполярных транзисторах. Описаны особенности работы и методика проектирования рассматриваемых устройств. Приведен пример реализации и результаты экспериментальных исследований.
Страницы: 97-101
Список источников
  1. Ильюшенко В.Н., Авдоченко Б.И., Баранов В.Ю. и др. Пикосекундная импульсная техника / Под ред. В.Н. Ильюшенко. М.: Энергоатомиздат. 1993. 368 с.
  2. Патент РФ № 2328818.
  3. Титов А.А., Пушкарев В.П., Авдоченко Б.И. Мощный импульсный СВЧ генераторный модуль // Известия вузов. Сер. Приборостроение. 2010. № 5. С. 47-52.
  4. Петухов В.М. Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности и их зарубежные аналоги: Справочник. В 4-х томах. М.: КубК-а. 1997.
  5. Заявка на изобретение РФ № 2011117238. Приоритет от 28.04.2011.
  6. Патент РФ № 2395897.
  7. Патент РФ № 2429558.