П.Л. Куршев - аспирант, кафедра физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет E-mail: mepavel@mail.ru Е.Н. Бормонтов - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой физики полупроводников и микроэлектроники, Воронежский государственный университет E-mail: me144@phys.vsu.ru

Предложена методика, способная определить с достаточной точностью параметры большого сигнала мощных СВЧ-транзисторов при широкополосном согласовании, особенностью которой является универсальный математический подход к анализу измеренных оптимальных импедансов источника и нагрузки транзистора, позволяющий сформулировать и решить задачу синтеза упрощенной входной и выходной согласующих цепей. Приведены сравнительные результаты расчета и натурного эксперимента на примере LDMOS-транзистора, подтверждающие адекватность предложенной методики.

 

1. Боде Г. Теория цепей и проектирование усилителей с обратной связью: Пер. с англ. M.: Изд. иностр. лит-ры. 1948. 642 с.
2. Фано Р.М. Теоретические ограничения полосы согласования произвольных импедансов: Пер. с англ. М.: Сов. радио. 1965. 73 c.
3. Вамберский М.В., Казанцев В.И., Шелухин С.А. Передающие устройства СВЧ. М.: Высшая школа. 1984. 448 с.
4. Веселов Г.И., Егоров Е.Н., Алехин Ю.Н., Воронина Г.Г., Романюк В.А., Разевиг В.Д., Чаплин А.Ф., Шеремет М.В. Микроэлектронные устройства СВЧ. М.: Высш. Шк., 1988. 280 с.
5. Бова Н.Т., Евремов Ю.Г., Конин В.В., Невгасимый А.Ф., Соганик Б.Д. Микроэлектронные устройства СВЧ. К.: Техника. 1984. 184 с.
6. Шварц Н.З. Линейные транзисторные усилители СВЧ. М.: Сов. радио. 1980. 368 с.
7. Root D.E., Biernacki R.M., Marcu M., Koh M.; Tasker P.J. Frequency-scalable nonlinear behavioral transistor model from single frequency X‑parameters based on time-reversal transformation properties // Microwave Measurement Conference. 2015. P. 1−7.
8. Root D.E. Future Device Modeling Trends // IEEE Microwave Magazine. 2012. V. 13. № 7. P. 45−59.
9. Root D.E., Horn J., Betts L., Gillease C., Verspecht J. X‑параметры: новый принцип измерений, моделирования и разработки нелинейных ВЧ и СВЧ компонентов // Контрольно-измерительные приборы и системы. 2009. № 2. С. 20−24.
10. Aaen P.H., Wood J., Bridges D., Zhang L., Johnson E., Pla J.A., Barbieri T., Snowden C.M., Everett J.P., Kearney M.J. Multiphysics Modeling of RF and Microwave High-Power Transistors // IEEE Trans on MTT. 2012. V. 60. № 12. P. 4013−4023.
11. Wood J., Aaen P.H., Bridges D., Lamey D., Guyonnet M., Chan D.S., Monsauret N. A Nonlinear Electro-Thermal Scalable Model for High-Power RF LDMOS Transistors // IEEE Trans. on MTT. 2009. V. 57. № 2. P. 282−292.
12. Маттей Д.Л., Янг Л., Джонс Е.М. Т. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи. Т. 1: Пер. с англ. М.: Связь. 1971. 440 с.
13. Маттей Д.Л., Янг Л., Джонс Е.М. Т. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи. Т. 2: Пер. с англ. М.: Связь. 1971. 496 с.
14. Хелзайн Дж. Пассивные и активные цепи СВЧ: Пер. с англ. М.: Радио и связь. 1981. 200 с.
15. Малорацкий Л.Г., Явич Л.Р. Проектирование и расчет СВЧ элементов на полосковых линиях. М.: Сов. радио. 1972. 232 с.