350 руб
Журнал «Успехи современной радиоэлектроники» №9 за 2011 г.
Статья в номере:
Исследование параметров полевых транзисторов с изолированным затвором при низких температурах
Ключевые слова: МОП-транзистор параметры МОП-транзистора криогенные температуры параметрическая идентификация
Авторы:
А.М. Пилипенко - к.т.н., доцент, кафедра теоретических основ радиотехники, Технологический институт Южного федерального университета (г. Таганрог). E-mail: pilipenko-am@mail.ru В.Н. Бирюков к.т.н., доцент, кафедра теоретических основ радиотехники, Технологический институт Южного федерального университета (г. Таганрог). E-mail: biryukov@users.tsure.ru
Аннотация:
Предложена пятипараметрическая модель полевого транзистора с изолированным затвором, учитывающая все основные физические эффекты при длинном канале. Разработана методика параметрической оптимизации. Приведены результаты измерения параметров p-канальных транзисторов в диапазоне температур 20-80 К.
Страницы: 66-70
Список источников
  1. Алфеев В. Н. Полупроводники, сверхпроводники и параэлектрики в криоэлектронике: свойства и применение в криоэлектронных интегральных схемах и приборах структур на основе контактов полупроводников, сверхпроводников и параэлектриков. М.: Сов. радио. 1979.
  2. Nagata H., Shibai H., Hirao T., Watabe T., Noda M., Hibi Y., Kawada M., Nakagawa T.Cryogenic Capacitive Transimpedance Amplifier for Astronomical Infrared Detectors // IEEE Transactions on Electron Devices. 2004. V. 51. № 2. P. 270-278.
  3. Fanson J. L., Fazio G. G., Houck J. R., Kelly T., Rieke G. H., Tenerelli D. J., Whitten T. Space infrared telescope facility (SIRTF) // Proceedings of SPIE. 1998. V. 3354. P. 57-65.
  4. Glidden R. M., Lizotte S. C., Cable J. S., Mason L. W., Cao C. Optimization of Cryogenic CMOS Processes for Sub-10K Applications // Proceedings of SPIE. 1992. V. 1684. P. 2-39.
  5. Бирюков В. Н., Пономарев А. М. Ципис Н. Л. Исследование вольт-амперных и шумовых характеристик полевых транзисторов с изолированным затвором при низких температурах // Изв. вузов МВ и ССО СССР. Радиоэлектроника. 1986. Т. 29. № 11. C. 92-94.
  6. Бирюков В. Н. Четырехпараметрическая компактная модель полевого транзистора с коротким каналом // Нанотехнологии-2010. Труды Междунар. научно-техн. конф. и молодежной школы-семинара. Ч. 2. Таганрог: ТТИ ЮФУ. 2010. С. 114-115.