350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №4 за 2010 г.
Статья в номере:
Характеристики маломощного однобитного полного сумматора на полностью обедненных КНИ КМОП нанотранзисторах
Ключевые слова: полностью обедненный КНИ нанотранзистор полный однобитный сумматор низкое напряжение питания
Авторы:
Н.В. Масальский - к.ф.-м.наук, зав. сектором НИИСИ РАН. E-mail: volkov@niisi.ras.ru
Аннотация:
Проанализированы численно характеристики маломощного однобитного сумматора на полностью обедненных КМОП нанотранзисторах со структурой КНИ (кремний на изоляторе); исследованы зависимости задержки и мощности переключения от величины напряжения питания в диапазоне менее 1 В при разных значениях напряжения на обратном затворе транзисторов.
Страницы: 52-56
Список источников
  1. Colinge, J.-P. Silicon on Insulator Technology: Materials to VLSI, Kluver Acad. Publ., Boston, Dordrecht, London, 1997.
  2. Захаров С.М., Масальский Н.В. Моделирование  характеристик  логических элементов, выполненных на полностью обедненных КНИ КМОП  нанотранзисторах // Электромагнитные волны и электронные системы. 2007. Т.12. № 10. С. 57-64.
  3. Масальский Н.В. Полностью обедненные КМОП КНИ логические элементы для низковольтных применений // Микроэлектроника. 2008.  Т. 37. №6. С. 470-480.
  4. Kantabutra V. Designing optimum one-level carry-skip adders // IEEE Trans. on Comp. 1993.V. 42, No.6. Р.759-764.
  5. Alioto M.; Palumbo G. Impact of Supply Voltage Variations on Full Adder Delay: Analysis and Comparison, Very Large Scale Integration (VLSI) Systems // IEEE Transactions 2006. V.14, Nо.12. Р. 1322 - 1335
  6. Захаров С.М., Масальский Н.В., Шафигуллин М.М. Проблемы схемотехнического моделирования интегральных схем // Успехи современной радиоэлектроники. 2005. № 2. С. 43-50.
  7. Goel S.; Kumar A.; Bayoumi M. A.Design of Robust, Energy-Efficient Full Adders for Deep-Submicrometer Design Using Hybrid-CMOS Logic Style, Very Large Scale Integration (VLSI) Systems // IEEE Transactions, 2006. V.14, Nо.12. Р. 1309 - 1321