350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №4 за 2014 г.
Статья в номере:
Выбор схемотехнических, конструкторских и технологических решений при разработке инвазивного транзисторного биосенсора
Ключевые слова: инвазивный биосенсор транзистор диагностика заболевание нанотехнологии
Авторы:
В. Н. Вьюгинов - к.т.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург. E-mail: mail@svetlana-ep.ru А. Г. Гудков - д.т.н., профессор, кафедра РЛ6 «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э.Баумана; ген. директор, ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН». E-mail ooo.giperion@gmail.com А. А. Зыбин - начальник лаборатории, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург С. А. Мешков - к. т. н., ст. науч. сотрудник, ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» Д. И. Цыганов - д.т.н., зав. кафедрой, ГБОУ ДПО РМАПО Минздрава России
Аннотация:
Представлена задача разработки транзисторного инвазивного биосенсора. В качестве базовой конструкции выбран AlGaN HEMT без затвора. Показано, что на затворной области транзистора иммобилизуются молекулы детектируемого аналита. Рассмотрены конструктивно-технологические особенности транзистора и способ компенсации температурного дрейфа параметров транзистора для создания на его базе инвазивного биосенсора.
Страницы: 66-70
Список источников

  1. Casal, P., Wen, X., Gupta,S., Nicholson, T. III, Wang, Y., Theiss, A., Bhushan, B., Brillson, L., Lee, S. C., ImmunoFET feasibility in physiological salt environments (2012) Phil. Trans. R. Soc. A 370. Р. 2474-2488.
  2. Webb, J. B., Tang, H., Bardwell, J. A., Liu, Y., Lapointe, J., MacElwee, T., Growth of GaN/AlGaN HFETs on SiC Substrates with Optimized Electrical Characteristics Using the Ammonia-MBE Technique // Phys.stat.sol.(a). 2002. V. 194. №2.P. 439-442.
  3. Gateless-FET pH Sensor Fabricated on Undoped AlGaN/GaN HEMT Structure. Sains Malaysia 40(3)(2011). Р. 267-273.
  4. Mastura Shafinaz Zainal Abidin, Abdul Manaf Hashim, Maneea Eizadi Sharifabad, Shaharin Fadzli Abd Rahman and Taizoh Sadoh, Open-Gated pH Sensor Fabricated on an Undoped-AlGaN/GaN HEMT Structure. Sensors 2011. № 11. Р. 3067-3077.
  5. Chu, B. H., Kang, B. S., Hung, S. C., Chen, K. H., Ren, F., Sciullo, A., Gila, B. P. and Pearton, S. J., Aluminum Gallium Nitride (GaN)/GaN High Electron Mobility Transistor-Based Sensors for Glucose Detection in Exhaled Breath Condensate. JournalofdiabetesScienceandTechnology. 2010. № 4(1). Р. 171-179.
  6. Гудков А.Г., Попов В.В., Вьюгинов В. Н., Волков В. В., Зыбин А.А. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Ч. 46. Транзисторы GaN с длиной затвора 0,5 мкм и периферией 500 мкм и 1500 мкм // Машиностроитель. 2014. № 1. С. 42-44.
  7. Kang, B. S., Wang, H. T., Ren, F., Gila, B. P., Abernathy, C. R., S. Pearton, J., Johnson, J. W., Rajagopal, P., Roberts, J. C., Piner, E. L., and Linthicum, K. J., pH sensorusing AlGaN/GaN high electron mobility transistors with Sc2O3in the gate region. Applied Physics Letters. 2007. № 91. Р. 012-110.