350 руб
Журнал «Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век» №1 за 2016 г.
Статья в номере:
Исследование методом математического моделирования ВАХ многопараметрических биосенсоров на основе HEMT-транзисторов без затвора
Ключевые слова: многопараметрические биосенсоры HEMT-транзистор математическое моделирование ВАХ
Авторы:
А.Г. Гудков - д.т.н., профессор, кафедра РЛ6 «Технологии приборостроения» МГТУ им. Н.Э.Баумана. E-mail: profgudkov@gmail.com В.Н. Вьюгинов - к.ф.-м.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: vyuginov@svetlana-ep.ru В.Г. Тихомиров - к.т.н., ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: v11111@yandex.ru А.А. Зыбин - начальник лаборатории, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: zybin_aa@svetlana-ep.ru
Аннотация:
Построена математическая модель, позволяющая предсказать поведение тока стока в зависимости от изменений условий на поверхности гетероструктуры в области затвора, в частности, нанесение электролита, с известным pH. Отмечено, что модель позволяет начать процесс направленной оптимизации конструкции биосенсоров на основе гетероструктур AlGaN/GaN HEMТ с целью повышения их эксплуатационных характеристик. Проведено численное моделирование влияния некоторых внешних воздействий на ВАХ полевых транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN (HEMТ).
Страницы: 15-20
Список источников

 

  1. Ambacher O., Eickhoff M., Steinhoff G., Hermann M., Gorgens L., and Werss V. // Proc. ECS 214. 2002. 27.
  2. Neuberger R., Muller G., Ambacher O., Stutzmann M. // Phys. Status. Solidi. A. 2001. 185:85.
  3. Schalwig J., Muller G., Ambacher O., Stutzmann M. // Phys. Status. Solidi. A. 2001. 185:39.
  4. Steinhoff G., Hermann M., Schaff W.J., Eastman L.F., Stutzmann M., Eickhoff M. // Appl. Phys. Lett. 2003. 83:177.
  5. Eickhoff M., Neuberger R., Steinhoff G., Ambacher O., Muller G., Stutzmann M. // Phys. Status. Solidi. B. 2001. 228:519.
  6. Schalwig J., Muller G., Eickhoff M., Ambacher O., Statzmann M. // Sens. Actuat. B. 2002. 81:425.
  7. Stutzmann M., Steinhoff G., Eickhoff M., Ambacher O., Nobel C.E., Schalwig J., et al. // Diamond. Rel. Mater. 2002. 11:886.
  8. Kang B.S., Wang H.T., Ren F., Pearton S.J.Electrical detection of biomaterials using AlGaN/GaN HEMTs // J. Appl. Phys. 2008. 104(8):031101
  9. Тихомиров В.Г., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Соловьев Ю.В., Гладышев А.Г., Кулагина М.М., Земляков В.Е., Дудинов К.В., Янкевич В.Б., Бобыль А.В., Устинов В.М. // ФТП. 2011. 45(10), 1405.
  10. Tikhomirov V., Zemlyakov V., Volkov V., Parnes Ya., Vyuginov V., Lundin W., Sakharov A., Zavarin E., Tsatsulnikov A., Cherkashin N., Mizerov M., and Ustinov V. // Semiconductors. 2016. V. 50. №. 2. Р. 244-248.
  11. Hu W.D., Chen X.S., Quan Z.J., Xia C.S., Lu W., Ye P. Self-heating simulation of GaN-based metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors including hot electron and quantum effects // J. Appl. Phys. 2006. 100:074501. http://dx.doi.org/10.1063/1.2354327.
  12. Kang B.S., Wang H.T., Ren F., and Pearton S.J. Electrical detection of biomaterials using AlGaN/GaN high electron mobility transistors // Journal of Applied Physics. 2008. 104. 031101; doi: 10.1063/1.2959429
  13. Hung S.C., Wang Y.L., Hicks B., Pearton S.J., Ren F., Johnson J.W., Rajagopal P., Roberts J.C., Piner E.L., Linthicum K.J., and Chia G.C. Integration of Selective Area Anodized AgCl Thin Film with AlGaN/GaN HEMTs for Chloride Ion Detection // Electrochemical and Solid-State Letters. 2008. 11(9). H241-H244.
  14. Wang H.T., Kang B.S., Chancellor T.F. (Jr.), Lele T.P., Tseng Y., Ren F., Pearton S.J., Dabiran A., Osinsky A. Chow P.P. Selective detection of Hg(II) ions from Cu(II) and Pb(II) using AlGaN/GaN high electron mobility transistors // Electrochem. Solid. State. Lett. 2007. 10:J150-3.
  15. Steinhoff G., Hermann M., Schaff W.J., Eastmann L.F., Stutzmann M., and Eickhoff M. // Appl. Phys. Lett. 2003. 83. 177.
  16. Kang, Wang, Ren, Hlad, Gila, Abernathy, Pearton, Li, Low, Lin, Johnson, Rajagopal, Roberts, Piner, and Linthicum. Role of Gate Oxide in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor pH Sensors // Journal of Electronic Materials. 2008. V. 37. № 5. DOI: 10.1007/s11664-007-0298-y.