350 руб
Журнал «Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век» №2 за 2016 г.
Статья в номере:
Анализ зависимости параметров HEMT транзисторов на основе GaN от толщины наноразмерного барьерного слоя AlGaN с помощью численного моделирования
Ключевые слова: численное моделирование СВЧ транзистор AlGaN
Авторы:
В.А. Петров - инженер-технолог, ЗАО «Светлана -Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: v.petrov@svetlana-ep.ru В.Г. Тихомиров - к.т.н., ЗАО «Светлана - Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: v11111@yandex.ru
Аннотация:
Продемонстрировано численное моделирование полевых СВЧ-транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMTs) на основе GaN/AlGaN гетероструктур. Показано, что оптимальная толщина барьерного слоя AlGaN позволяет реализовать режим высокой мощности СВЧ.
Страницы: 37-39
Список источников

 

  1. Vitanov S., et al. Solid-State Electronics 54. 2010. Р. 1105-1112.
  2. Tikhomirov V., Zemlyakov V., Volkov V., Parnes Ya., Vyuginov V., Lundin W., Sakharov A., Zavarin E., Tsatsulnikov A., Cherkashin N., Mizerov M., Ustinov V., Semiconductors. 2016. V. 50. № 2. P. 244-248.
  3. Faraclas E., Anwar A. AlGaN/GaN HEMTs: experiment and simulation of DC characteristics. Solid-State Electron 2006. 50(6).1051-6.
  4. Tikhomirov V. G., Maleev N. A., Kuzmenkov A. G., Solov-ev Yu. V., Gladyshev A. G., Kulagina M. M., Zemlyakov V. E., Dudinov K. V., Yankevich V. B., Bobyl-A. V., Ustinov V. M.Semiconductors. 45. 1352. 2011.
  5. Polyakov V., Schwierz F. Influence of electron mobility modeling on DC I-V characteristics of WZ-GaN MESFET // IEEE Trans Electron Dev. 2001.48. 512-6.
  6. Grasser T., Ting-Wei T., Kosina H., Selberherr S. A review of hydrodynamic and energy-transport models for semiconductor device simulation // Proc IEEE .2003. 91(2). 251-74.
  7. Vurgaftman I., Meyer J., Ram-Mohan L. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys. J Appl Phys. 2001. 89(11). 5815-75.
  8. Liu S., Yang S., Tang Z., Jiang Q., Liu C., Wang M., et al. // IEEE Electron Dev Lett. 2014.35. 723.