350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №10 за 2014 г.
Статья в номере:
Метод анализа деградации подзатворного диэлектрика быстродействующего полевого транзистора
Ключевые слова: МДП-прибор подзатворный диэлектрик полевой транзистор приграничные ловушки инжекция
Авторы:
В.Е. Драч - к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ1-КФ, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: drach@kaluga.org А.В. Родионов - к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ2-КФ, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: andviro@gmail.com
Аннотация:
Рассмотрен сдвиг проходных характеристик полевого транзистора, обусловленный высокополевым стрессом. Детально изучены сдвиг характеристик и ловушки заряда, включая происхождение сдвига, его физическую природу и важность, влияющие факторы и параметры, характеризующие сдвиг. Основные результаты и выводы подтверждены многообразием геометрий затворов образцов, использованных в экспериментах.
Страницы: 79-84
Список источников

  1. Fleetwood D. Border traps in MOS devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992. V. NS‑39. P. 269−271.
  2. Bauza D. Detection of slow traps in the oxide of MOS transistors by a new current DLTS technique // Electronics Lett. 1994. V. 30. P. 484−485.
  3. Wang T., Chiang L., Zous N., et al. Characterization of various stress-induced oxide traps in MOSFET's by using a subthreshold transient current technique // IEEE Trans. Electron Dev. 1998. V. ED‑45. P. 1791−1796.
  4. Scarpa A., Paccagnella A., Ghidini G. Instability of post-Fowler-Nordheim stress measurements of MOS devices // Solid-State Electron. 1997. V. 41. № 7. P. 935−938.
  5. Драч В.Е. Генерация положительного заряда в наноразмерных пленках SiO2 МДП-структур в условиях сильнополевой туннельной инжекции // Сб. трудов Первой Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Наноинженерия». Москва. 2008. С. 142.
  6. Драч В.Е., Деградация наноразмерных короткоканальных МДП транзисторов при сильнополевой туннельной инжекции // Материалы XМеждунар. молодежной научно-технич. конф. учащихся, студентов, аспирантов и молодых ученых «Technology&Systems‑2009». Москва. 2009. С. 24.
  7. Драч В.Е., Чухраев И.В. Методика мониторинга генерации заряда в наноразмерном диэлектрике МДП-транзистора // Наука и образование: электронное научно-техническое издание. 2012. № 2. 77‑30569/332405
  8. Драч В.Е., Чухраев И.В., Смирнова О.М. Генерация заряда в транзисторах с наноразмерным диэлектриком // Вопросы радиоэлектроники. Сер. ОТ. 2012. № 3. С. 115−122.