350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №11 за 2012 г.
Статья в номере:
Технологическая оптимизация ГИС и МИС дискретных аттенюаторов
Ключевые слова: оптимизация аттенюатор СВЧ-прибор проектирование диод транзистор
Авторы:
А.Г. Гудков - д. т. н., профессор, МГТУ им. Н. Э. Баумана В.В. Попов − к.т.н., генеральный директор ОАО «Светлана» (Санкт-Петербург)
Аннотация:
Представлены результаты исследования ГИС и МИС дискретных аттенюаторов; рассмотрены вопросы оптимального проектирования ГИС и МИС дискретных аттенюаторов; проанализированы результаты экспериментальных исследований.
Страницы: 42-47
Список источников
  1. Гудков А.Г. Радиоаппаратура в условиях рынка. М.: Сайнс-Пресс. 2008.
  2. Pucel R.A. Design considerations for monolithic microwave circuits // IEEE Trans. 1981. V. MTT-29, № 6. P. 513-534.
  3. Монолитные аналоговые интегральные схемы СВЧ диапазона / Данилин В.Н., Кушниренко А.И.,Морозов А.А. и др. // Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1981. Вып. 4. С. 3-44.
  4. Повышение надежности и качества ГИС и МИС СВЧ. Кн. 1 / под ред. А.Г. Гудкова и В.В. Попова. М. ООО «Автотест», 2012.