350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №6 за 2009 г.
Статья в номере:
Синтез динамических характеристик логических элементов на полностью обедненных КНИ КМОП нанотранзисторах
Ключевые слова: полностью обедненный КНИ нанотранзистор логический вентиль низкое напряжение питания
Авторы:
Н.В. Масальский - к.ф.-м.н., ст.научн.сотр., Научно-исследовательский институт системных исследований РАН. Е-mail: volkov@niisi.ras.ru
Аннотация:
Рассмотрим синтеза переходных характеристик, в частности задержки и связанные с нею мощности переключения, логических элементов инвертор, 2И-НЕ и 2ИЛИ-НЕ, выполненных на полностью обедненных КНИ КМОП нанотранзисторах; при помощи численного моделирования проанализированы динамические характеристики вентилей в диапазоне напряжения питания менее 1 В при разных значениях напряжения на обратном затворе транзисторов.
Страницы: 56-62
Список источников
  1. Colinge J.-P. Silicon on Insulator Technology: Materials to VLSI. Kluver Acad. Publ., Boston, Dordrecht, London. 1997.
  2. Захаров С.М. Пороговые характеристики полевых транзисторов со структурой «кремний на изоляторе // Микроэлектроника. 2003. Т. 32. № 1. С. 3-14.
  3. Banna S.R. Chan P.C.H., Ko P.K., Nguyen C.T. Mansun Chan, Threshold Voltage Model for Deep-Submicrometer Fully Depleted SOI MOSFET-s // IEEE Trans. Electron. Dev. 1995. ED-42(11). Р. 1949-1954.
  4. Захаров С.М., Масальский Н.В., Шафигуллин М.М. Проблемы схемотехнического моделирования интегральных схем // Успехи современной радиоэлектроники. 2005. № 2. С. 43-50.
  5. Suzuki E., Ishii K., Kanemaru S., Maeda T., Tsutsumi T., Sekigawa T., Nagai K., Hiroshima H. Highly Suppressed Short-Channel Effects in Ultrathin SOI n-MOSFET-s // IEEE Trans. Electron. Dev. 2000. ED-47(2). Р. 354-357
  6. Захаров С.М., Масальский Н.В.Моделирование характеристик логических элементов, выполненных на полностью обедненных КНИ КМОП нанотранзисторах // Электромагнитные волны и электронные системы. 2007. Т.12. № 10. С. 66 - 70.