Ф.А. Барон – д.т.н., зам. гл. технолога по микроэлектронике, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
С.З. Галеев – зам. начальника цеха микроэлектроники, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
Ф.В. Зеленов – инженер-технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
А.Б. Иванов – инженер-технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
С.О. Коновалов – инженер-технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
А.Н. Масюгин – инженер-технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
А.В. Стреж – гл. технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
E-mail: filippbaron@mail.ru
Выполнена оценка уменьшения габаритных размеров СВЧ приемопередающего модуля при переходе от гибридной сборки к технологии тонкопленочных пассивных элементов на многослойной керамической плате и сделан сравнительный анализ суммарной площади элементов, используемых в приемопередающем модуле, изготовленного по технологии гибридной сборки и по технологии монокристаллических плат с применением собственной интегральной пассивной элементной базы. Проведено сравнение нелинейности основных типов транзисторов. Представлены расчеты нелинейности на основе вольт-амперных характеристик транзисторов: MOS, BJT, HEMT, MESFET, MODFET и JFET. Для каждого из них вычислен параметр нелинейности IIP3, по которому производилось сравнение.
- Yuan Taur, Tak H. Ning Modern VLSI Devices. Cambridge University Press. 2013.
- Sigfrid Yngvesson Microwave Semiconductor Devices / Springer Science & Business Media. 1991.
- Behzad Razavi RF Microelectronics. Prentice Hall PTR. 1998.