350 руб
Журнал «Вакуумная, плазменная и твердотельная электроника» №1 за 2010 г.
Статья в номере:
Транзисторы на основе гетероструктур GaN/AlGaN для оборудования WiMAX
Ключевые слова: гетероструктуры GaN/AlGaN HEMT транзисторы WiMAX
Авторы:
В.А. Буробин - к. т. н., директор, ФГУП «ГЗ Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru А.М. Коновалов - зам. гл. инженера, ФГУП «ГЗ Пульсар». E-mail: openline@gz-pulsar.ru А.Ю. Волошин - инженер-технолог, ФГУП «ГЗ Пульсар»
Аннотация:
Приведены теоретические и экспериментальные данные о гетероструктурах GaN / AlGaN и обоснована оптимальность применения транзисторов c высокой подвижностью электронов на их основе в оборудовании беспроводного широкополосного доступа WiMax.
Страницы: 39-43
Список источников
  1. Александров С.В. диссертация «Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры AlGaN/GaN», Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 2006.
  2. Алексеев А., Чалый В., Красовицкий Д., ПетровС. Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN - основа новой «компонентной базы твердотельной СВЧ электроники // Компоненты и технологии, № 2. 2008. С. 29-34.
  3. Щука А.А. Элементы и приборы наноэлектроники. М., 2006.
  4. Босый В.И., Иващук А.В., Ковальчук В.Н., Семашко Е.М.Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников // ТКЭА. № 3. 2003. С. 53-58.
  5. Данилин В., Жукова Т., Кузнецов Ю., Тараканов С., УваровН. Транзистор на GaN пока самый «крепкий орешек» // Электроника: НТБ, № 4. 2005. С. 20-29.