350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №11 за 2013 г.
Статья в номере:
Инновационные технологии в производстве СВЧ-электронных твердотельных компонентов
Авторы:
В.А. Буробин - к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru, openline@gz-pulsar.ru Л.М. Пазинич - зам. директора НТЦ ТЭ, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: pazinich@gz-pulsar.ru
Аннотация:
Показаны новые виды высокоэффективных промышленных процессов и технологий и созданные на их основе конструкции СВЧ-электронных твердотельных компонентов (ЭТК). Рассмотрены вопросы практической реализации требований к разработкам и производству конкурентоспособных на отечественном и мировом рынках СВЧ ЭТК, проблемы и перспективы развития их производства.
Страницы: 37-44
Список источников

  1. Кремниевые планарные транзисторы / Под ред. Я.А. Федотова. М.: Сов. радио. 1973.
  2. Завражнов Ю.В., Каганова И.И., Мазель Е.З. и др. Мощные высокочастотные транзисторы. М.: Радио и связь. 1985.
  3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х т. / Пер. с англ. Изд. 2-е. М.: Мир. 1984.
  4. Блихер А.Физика силовых биполярных и полевых транзисторов / Пер. с англ. Л.: Энергоатомиздат. 1986.
  5. Спиридонов Н.С.Основы теории транзисторов. Киев: Техника. 1975.
  6. Бачурин В.В., Либерман B.C., Сопов О.В. Новый класс полупроводниковых приборов мощные высокочастотные МДП-транзисторы // В сб. ст. «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы». М. 1976. Вып.1. С. 291.
  7. Никишин В.И. и др. Проектирование и технология производства мощных СВЧ транзисторов. М.: Радио и связь. 1989. 145 с.
  8. Майская В.Высокочастотные полупроводниковые приборы // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2004. №8. С. 16-21.
  9. Фармикоун Г. и др. Технология мощных СВЧ LDMOS-транзисторов для радарных передатчиков L-диапазона и авиационных применений / Пер. С. Дидилев // Компоненты и технологии. 2007. №Ю. С. 14-16.
  10. Майская В.СВЧ-полупроводниковые технологии статус равен. Но у кого он равнее - // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2006. № 5.С. 20-27.
  11. Sun S.C., Plummer J.D. Modeling of the On-resistance of LDMOS and VMOS Power Transistors // IEEE Trans. 1980. V. ED-27. № 2. P. 356-367.
  12. Асессоров В.В. Мощные ВЧ- и СВЧ-кремниевые транзисторы для систем радиосвязи и телевещания // Электронная промышленность. Наука. Технология. Изделие. 2001. № 5. С. 6-14.