350 rub
Journal Science Intensive Technologies №11 for 2013 г.
Article in number:
Innovative Technologies in Production of Microwave Solid State Electronic Components
Authors:
V.A. Burobin - Ph.D. (Eng.), General Director, GZ Pulsar. E-mail: burobin@gz-pulsar.ru, openline@gz-pulsar.ru
L.M Pazinich - Vice-Director of R&D Centre for Solid-State Electronics, GZ Pulsar. E-mail: pazinich@gz-pulsar.ru
Abstract:
Technological modernization of production sites, implementation of new high-performance equipment and technology improvement of device fabrication will allow to overcome technological gap and lift electronic component base to a whole new level corresponding to the highest world technical achievements.
Pages: 37-44
References

  1. Kremnievy'e planarny'e tranzistory' / Pod red. Ja.A. Fedotova. M.: Sov. radio, 1973. 336 s.
  2. Zavrazhnov Ju.V., Kaganova I.I., Mazel' E.Z. i dr. Moshhny'e vy'sokochastotny'e tranzistory'. M.: Radio i svyaz', 1985. 176 s.
  3. Zi S. Fizika poluprovodnikovy'x priborov: V 2-x t. / Per. s angl. 2-e izd. M.: Mir. 1984. 456 s.
  4. Blixer A. Fizika silovy'x bipolyarny'x i polevy'x tranzistorov / Per. s angl. L.: E'nergoatomizdat. 1986. 248 s.
  5. Spiridonov N.S. Osnovy' teorii tranzistorov. Kiev: Texnika. 1975. 359 s.
  6. Bachurin V.V., Liberman B.C., Sopov O.V. Novy'j klass poluprovodnikovy'x priborov moshhny'e vy'sokochastotny'e MDP- tranzistory' // V sb. st. «Mikroe'lektronika i poluprovodnikovy'e pribory'». M. 1976. Vy'p.1. S. 291.
  7. Nikishin V.I. i dr. Proektirovanie i texnologiya proizvodstva moshhny'x SVCh tranzistorov. M.: Radio i svyaz'. 1989. 145 s.
  8. Majskaya V. Vy'sokochastotny'e poluprovodnikovy'e pribory' // E'lektronika: Nauka, texnologiya, biznes. 2004. №8. S. 16-21.
  9. Farmikoun G. i dr. Texnologiya moshhny'x SVCh LDMOS-tranzistorov dlya radarny'x peredatchikov L-diapazona i aviaczionny'x primenenij / Per. S. Didilev // Komponenty' i texnologii. 2007. №Ju. S. 14-16.
  10. Majskaya V. SVCh-poluprovodnikovy'e texnologii status raven. No u kogo on ravnee - // E'lektronika: Nauka, Texnologiya, Biznes. 2006. № 5. S. 20-27.
  11. Sun S.C., Plummer J.D.  Modeling of the On-resistance of LDMOS and VMOS Power Transistors // IEEE Trans. 1980. V. ED-27. № 2. P. 356-367.
  12. Asessorov V.V. Moshhny'e VCh- i SVCh-kremnievy'e tranzistory' dlya sistem radiosvyazi i televeshhaniya // E'lektronnaya promy'shlennost'. Nauka. Texnologiya. Izdelie. 2001. № 5. S. 6-14.