350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №7 за 2009 г.
Статья в номере:
Фототранзистор. Сигнальные и пороговые характеристики
Авторы:
В. Г. Шинкаренко - д.т.н., зав. кафедрой радиоэлектроники и прикладной информатики Московского физико-технического института (МФТИ) . Е-mail: vilen@mail.mipt.ru
Аннотация:
Представлена теория фототранзистора, соответствующая современному уровню теории нефотоэлектрических полупроводниковых приборов; показано, что ее особенность - в направленности исследований физических процессов на обоснование свойств и технических характеристик фототранзисторов, а также адекватности их представлений с помощью получаемых уравнений и соответствующих эквивалентных схем.
Страницы: 40-65
Список источников
- Shockley W.F., Sparks M., and Teal G.K. P-n junction transistor // Phis. Rev. 1951. V. 83. P. 151.
- Шокли В. Теория электронных полупроводников. М.: Ин. лит-ра. 1953.
- Горохов В.А. Основные соотношения в фототранзисторах. Полупроводниковые приборы и их применение / под ред. Я.А. Федотова. 1961. Вып. 7. С. 77-102.
- Амброзяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов / пер. с польск. М.: Сов. радио. 1970.
- ван дер Зил А. Шумы при измерениях / пер. с англ. М.: Мир. 1979.
- De La Moneda F.H., et al. Noise in Phototransistors // IEEE Trans. on ED. 1971. V. ED-18. №6. Р. 340-346.
- Шинкаренко В.Г. Фототранзистор: основные соотношения // Тез. докл. XL Всесоюз. Научн. сессии НТО им. А.С. Попова, посвящённой Дню радио. М.: Радио и связь. 1985.
- Шинкаренко В.Г. Приём оптического излучения. Учеб. пособие. М.: Изд. МФТИ. 1981.
- Пауль Р. Транзисторы / пер. с нем. М.: Сов. радио. 1973.
- Ebers J.J., Moll J.L. Large, Signal Behavior of Junction Transistors // Proc. IRE. 1954. V. 42. Р. 1761.
- ЗиC. Физика полупроводниковых приборов / пер с англ. Кн. 1. М.: Мир. 1984.
- Сивухин Д.В. Общий курс физики. Т. 3: Электричество. М.: Наука. 1977.