350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №2 за 2014 г.
Статья в номере:
Многозатворный 3-мерный транзистор с полевым управлением транспорта отрицательно заряженных экситонов
Ключевые слова: 3D-транзистор наноразмерный слой оксида тантала пленка Ленгмюра-Блоджетта заряженные экситоны подзатворные наноразмерные слои
Авторы:
Л.И. Гурский - чл.-корр. НАНБ, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (г. Минск) Г.В. Крылова - к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, Белорусский государственный университет (г. Минск)
Аннотация:
Рассмотрены принципы построения многозатворного 3D-транзистора с полевым управлением, основанным на 3D-экситон¬но-диэлектрической структуре с наноразмерными слоями и подзатворной активной области в гетероструктуре.
Страницы: 28-32
Список источников

  1. Макушин М.В., Железнова Л.И. Об освоении производства ИС с топологиями менее 20 нм. М.: ЦНИИ Электроника. 2013. C. 1-34.
  2. Крылова Г., Гурский Л. Спиновая поляризация в сильно-коррелированных наносистемах. LAP LAMBERT Academic Publishing, AV Akademikerverlag GmbH & Co., Germany. 2013. 334 с.
  3. Келдыш Л.В., Копаев Ю.В.Возможная неустойчивость полуметаллического состояния относительно кулоновского взаимодействия // ФТТ. 1964. Т. 6. С. 279.
  4. Келдыш Л.В.Кулоновское взаимодействие в тонких пленках полупроводников и полуметаллов // Письма в ЖЭТФ. 1979. Т. 29. С. 716.
  5. Крылова Г.В.Транспорт электрического заряда и нелинейная поляризация периодически упакованных структур в сильных электромагнитных полях. Минск: Издательский центр БГУ. 2008. 199 с.
  6. Grushevskaya H.V. Coherent charge transport in strongly correlated systems and quasiparticle pair production // Nonlin. Phen. in Com. Sys. 2009. V. 12. № 4. Р. 506-513.
  7. Патент US № 7939818, H01L 51/00, C08G 73/00, 10.05.2011.