350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №5 за 2017 г.
Статья в номере:
Влияние технологических и конструкторских параметров на динамические характеристики интегральных микросхем на основе биполярных транзисторов
Тип статьи: научная статья
УДК: 621.396
Ключевые слова: интегральная микросхема транзистор конденсатор динамические характеристики скорость нарастания операционный усилитель.
Авторы:

О.Н. Глотова – инженер-технолог, АО «ВОСХОД»-КРЛЗ

E-mail: luckyfox13@mail.ru

С.А. Адарчин – к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ4, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: adarchin@rambler.ru

Аннотация:

Рассмотрены основные параметры биполярного n-p-n-транзистора, влияющие на динамические характеристики операционных усилителей. Проведен анализ влияние таких параметров, как глубина базы транзистора, величина емкости тонкопленочного конденсатора, величина базового резистора на токи потребления ОУ, скорость нарастания выходного напряжения (скорость отклика) и время установления выходного напряжения.

Страницы: 40-46
Список источников
  1. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. М.: Радио и связь. 1991.
  2. Комаров Ф.Ф. Ионная и фотонная обработка материалов. Учеб. пособие для студентов вузов. Минск.: Белгосуниверситет. 1998.
  3. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем. М: Радио и связь. 1991.
  4. Николаев И.М., Филинюк Н.А. Интегральные микросхемы и основы их проектирования. М.: Радио и связь. 1992.
  5. Реньян В.Р. Технология полупроводникового кремния / Пер. с англ. М.: Металлургия. 1999.
  6. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Сов. радио. 1980.
Дата поступления: 13 июня 2017 г.