350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №1 за 2011 г.
Статья в номере:
Плазмонное детектирование терагерцевого излучения в полевых транзисторах с двумерным электронным каналом и решеточным затвором
Авторы:
Д.В. Фатеев - к.ф.-м.н., науч. сотрудник, СФ ИРЭ им.В.А.Котельникова РАН E-mail: FateevDV@yandex.ru
Аннотация:
Исследованы терагерцевые плазмоны в транзисторных структурах с двумерным электронным каналом и решеточным затвором.
Страницы: 48-49
Список источников
  1. Popov V.V., Tsymbalov G.M., Fateev D.V., Shur M.S. Higher-order plasmon resonances in GaN-based field-effect-transistor arrays // International Journal of High Speed Electronics and Systems. 2007. V.17(3). P.557.
  2. Фатеев Д.В., Попов В.В., ShurM.S. Трансформация плазмонного спектра в транзисторной структуре с решеточным затвором и пространственно-модулированным двумерным электронным каналом // Физика и техника полупроводников. 2010.
    Т. 44(11). С.1455.
  3. Маремьянин К.В., Ермолаев Д.М., Фатеев Д.В., Морозов С.В., Малеев Н.А., Земляков В.Е., Гавриленко В.И., Попов В.В., Шаповал С.Ю. Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36(8). С. 39.
  4. Popov V.V., Fateev D.V., Polischuk O.V., Shur M.S. Enhanced electromagnetic coupling between terahertz radiation and plasmons in a grating-gate transistor structure on membrane substrate // Optics Express. 2010. V.18(16). P.16771.