В.Г. Тихомиров - к.т.н., доцент, СПбГЭТУ «ЛЭТИ» E-mail: root@post.etu.spb.ru В.Д. Шашурин - д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: schashurin@bmstu.ru С.И. Видякин - аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: bmsturl@gmail.com С.В. Чижиков - ассистент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: chigikov95@mail.ru

Проведена адаптация численных моделей к особенностям конструкции и технологии транзисторных приборных структур и выполнены расчеты статических вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик гетероструктурных полевых транзисторов. Смоделировано воздействие интенсивности облучения на проводимость двумерного газа и выходные характеристики гетероструктурного полевого транзистора и приведены результаты этого влияния на ВАХ транзистора. На основании результатов выполненных исследований сделан вывод о возможности достаточно эффективного использования численного моделирования для разработки СВЧ гетероструктурных полевых транзисторов с учетом особенностей реальных приборных конструкций.

 

1. Palankovski V., Quay R., Selberherr S. Industrial Application of Heterostructure Device Simulation // IEEE J. Solid − State Circuits. 2001. V. 36. №. 9. Р. 1365-1370.
2. Тихомиров В.Г., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Соловьев Ю.В., Гладышев А.Г., Кулагина М.М., Земляков В.Е., Дудинов К.В., Янкевич В.Б., Бобыль А.В., Устинов В.М. Исследование влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзистров на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs−InGaAs−GaAs // Физика и техника полупровдников. 2011. Т. 45. Вып. 10.
3. Поляков А.Я. и др. Тезисы докл. 6-й Всерос. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы». Санкт-Петербург. 18-20 июня 2008. 146 с.
4. Vyuginov V.N., Gudkov A.G., Dobrov V.A., Leushin V.Yu., Meshkov S.A., Popov V.V. Account of inheritable characteristics in terms of complex technological optimization of MMIC // 2011 21th Int. Crimean Conf. - Microwave & Telecommunication Yechnology» (CriMiCo-2011). Sevastopol. 2011. 709 p.
5. Gudkov A.G., Leushin V.Yu., Meshkov S.A., Popov V.V. Account Application of complex technological optimization for monolithic circuits designing // 2008 18th Int. Crimean Conf. «Microwave & Telecommunication Yechnology» (CriMiCo-2008). Sevastopol. 2008. Р. 535-536.
6. Gudkov A.G. Complex technological optimization of microwave devices // 2007 17th Int. Crimean Conf. «Microwave & Telecommunication Yechnology» (CriMiCo-2007). Sevastopol. 2007. Р. 521-522.
7. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Зыбин А.А., Шаганов П.А., Видякин С.И. Исследование чувствительности параметров малошумящих усилителей к перепадам температуры // Радиотехника. 2016. Вып. 1. C. 107-109.
8. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Видякин С.И., Кузьмичев Ю.С. МИС СВЧ-переключатель на SiC pin-диодах // Радиотехника. 2016. Вып. 1. C. 110-112.
9. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А., Кудряшова Т.Ю., Мещеряков А.В., Усыченко В.Г., Шашурин В.Д., Видякин С.И., Чижиков С.В. Методика и аппаратура для измерения низкочастотного шума // Радиотехника. 2016. Вып. 5. C. 152-154.
10. Гудков А.Г., Попов В.В. Технологическая оптимизация ГИС и МИС дискретных аттенюаторов // Электромагнитные волны и электронные системы. 2012. Т. 17. № 11. С. 42-47.
11. Гудков А.Г., Попов В.В. Технологическая оптимизация дискретных ГИС и МИС фазовращателей // Электромагнитные волны и электронные системы. 2012. Т. 17. № 12. С. 33-39.
12. Попов В.В., Бирюлева Е.Г., Вартанов О.С., Волков В.В., Вьюгинов В.Н., Грозина М.И.,Гудков А.Г., Добров В.А., Евлампиев И.К., Зыбин А.А., Иванова В.П., Петров П.А, Савин А.М., Шаганов П.А. Монолитные интегральные устройства СВЧ // Электромаг­нитные волны и электронные системы. 2014. Т. 22. № 4. С. 4-59.
13. Гудков А.Г. Пути повышения точности дискретных ГИС и МИС фазовращателей // Антенны. 2013. Вып. 3(190). С. 63-67.
14. Гудков А.Г., Кирпиченков А.И., Козлов П.С. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки производства. Часть 30. Элементная база транзисторных МШУ в МИС // Машиностроитель. 2012. № 8. С. 15-18.
15. Гудков А.Г., Королев А.В., Костюнчик Д.А. Прогнозирование качества и надёжности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 43. О выборе структуры транзисторных усилительных трактов // Машиностроитель. 2013. № 10. С. 19-24.
16. Гудков А.Г., Попов В.В., Вьюгинов В.Н., Волков В.В., Зыбин А.А. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства.Часть 46. Транзисторы GaN с длиной затвора 0,5 мкм и периферией 500 мкм и 1500 мкм // Машиностроитель. 2014. № 1. С. 42-44.
17. Гудков А.Г., Кирпиченков А.И., Козлов П.С. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 32. Схемотехнические варианты построения транзисторных МШУ // Машиностроитель. 2012. № 11. С. 20-26.
18. Вартанов О.С. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Евлампиев И.К., Попов В.В. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 49. 6-разрядные КМОП драйверы с параллельным и последовательным интерфейсом для управления GaAs транзисторами // Машиностроитель. 2014. №4. С. 25-27.
19. Гудков А.Г., Попов В.В. Оптимальное проектирование с учетом технологических факторов дискретных ГИС и МИС фазовращателей // Машиностроитель. 2015. № 5. С. 33-42.
20. Гудков А.Г., Попов В.В. Оптимальное проектирование с учетом технологических факторов ГИС и МИС дискретных аттенюаторов// Машиностроитель. 2015. № 6. С. 19-26.
21. Гудков А.Г., Григорьев С.Н., Назаров В.В., Скороходов Е.А., Шашурин В.Д. К вопросу обеспечения качества конструкции СВЧ-аттенюатора // Техника машиностроения. 2013. № 4(88). С. 32-44.