Н.В. Масальский - к.ф-м.н, ст. научный сотрудник, Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (Москва). Е-mail: volkov@niisi.ras.ru

Проведено моделирование распределения потенциала по широкому диапазону температуры для архитектуры двухзатворного КНИ нанотранзистора «без перекрытия» затвора и стока/истока, сформированых в виде вытянутых областей. Установлено, что рассмотренная аналитическая модель показала хорошее согласование результатов численных расчетов с результатами моделирования.

 

1. Gharabagi R. A model for fully depleted double gate SOI CMOS transistors including temperature effects. // Modeling and Simulation of Microsystems. 2001. № 3. Р. 490-496.
2. Goel А.К., Тan Т.Н. High temperature and self-heating effects in fully depleted SOI MOSFETs. // Microelectronics Journal. 2006. V. 37. Р. 963-969.
3. Kranti A., Armstrong G.A. Engineering source/drain extension regions in nanoscale double gate (DG) SOI MOSFETs: Analytical model and design considerations. // Solid-State Electronics. 2006. v. 50. № 2. Р. 437-447.
4. Масальский Н.В. Оптимизация параметров двух затворных суб-20 нм КНИ КМОП транзисторов с архитектурой «без перекрытия». // Микроэлектроника.2012. Т. 41. № 1. С. 57-64.
5. Масальский Н.В.Моделирование КНИ нанотранзисторов с тонкой нелегированной рабочей областью. // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения / Материалы Международной научно-техни­ческой конференции «INTERMATIC-2012», 3-7 декабря 2012 г., Москва. М.: МИРЭА. 2012. Ч. 4. С. 95-98.
6. ATLAS user\'s manual. SILVACO International. 2006.