350 руб
Журнал «Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век» №1 за 2017 г.
Статья в номере:
Влияние низкотемпературного отжига на низкочастотные и СВЧ-параметры AlGaN/GaN транзисторов
Ключевые слова: HEMT-транзистор СВЧ-транзистор термотренировка AlGaN GaN
Авторы:
А.С. Евсеенков - аспирант, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); инженер-технолог, АО «Светлана-Электронприбор» E-mail: as.evseenkov@gmail.com В.Е. Земляков - к.т.н., доцент, Национальный исследовательский университет «МИЭТ» E-mail: vzml@rambler.ru В.Г. Тихомиров - к.т.н., доцент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) E-mail: v11111@yandex.ru С.А. Тарасов - к.ф-м.н., доцент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) E-mail: SATarasov@mail.ru Я.М. Парнес - аспирант, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); вед. инженер, АО «Светлана-Электронприбор» E-mail: jmparnes@gmail.com Н.К. Баловнев - студент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); инженер, АО «Светлана-Электронприбор» E-mail: nikolay5556@gmail.com Е.Е. Куртеев - студент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); инженер, АО «Светлана-Электронприбор» E-mail: kusticky@gmail.com А.Н. Лубяной - инженер, АО «Светлана-Электронприбор» E-mail: andrey.lubyanoy@gmail.com
Аннотация:
Исследовано влияние низкотемпературного отжига на низкочастотные и СВЧ-параметры транзисторов на гетероэпитаксиальных структурах AlGaN/GaN. Термотренировка проводилась в диапазоне температур 180-250 °С, при времени выдержки 2 ч. Показано сильное влияние низкотемпературного отжига на параметры прямой ветви ВАХ затвор-сток, токи утечки транзистора через закрытый затвор, выходную СВЧ-мощность.
Страницы: 19-22
Список источников

 

  1. Faraclas E., Anwar A. AlGaN/GaN HEMTs: experiment and simulation of DC characteristics // Solid-State Electron. 2006. V. 50. № 6. Р. 1051-1056.
  2. Byung-Jae Kim, et al. Investigating the effect of thermal annealing on dc performance of off-state drain-voltage step-stressed AlGaN/GaN high electron mobility transistors // J. Vac. Sci. Technol. 2015. V. B 33, 031204.
  3. Kim H., et al. Reliability evaluation of high power AlGaN/GaN HEMTs on SiC // Phys. Status Solidi A. 2001. № 188. Р. 203-206.
  4. Tikhomirov V., Zemlyakov V., Volkov V., Parnes Ya., Vyuginov V., Lundin W., Sakharov A., Zavarin E., Tsatsulnikov A., Cherkashin N., Mizerov M., Ustinov V. // Semiconductors. 2016. V. 50. № 2. Р. 244-248.