С.В. Савелькаев – д.т.н., профессор, Сибирский государственный университет геосистем и технологий E-mail: sergei.savelkaev@yandex.ru

Рассмотрены двухсигнальный метод измерения S-параметров транзисторов, модификация этого метода и разработанный на их основе метод адекватного измерения S-параметров таких приборов. Методы реализуются коаксиальным имитатороманализатором усилителей и автогенераторов СВЧ как в согласованных, так и в рассогласованных с нагрузками измерительных каналах этого имитатора-анализатора. Проанализирована область применения и взаимосвязь рассматриваемых методов с указанием их преимуществ и недостатков. Приведена методика нормировки S-параметров транзистора и комплексных коэффициентов отражения его нагрузок, измеренных в коаксиальном измерительном тракте имитатора-анализатора  относительно микрополоскового тракта, в котором будет использован данный прибор при его эксплуатации.

1. Хибель М. Основы векторного анализа цепей / Пер. с англ. С.М. Смоленского. Под ред. У. Филлипп. М.: Издательский дом МЭИ. 2009.
2. Измерение в «горячем» режиме с импульсными сигналами на анализаторе цепей. R&SZVA [Электронный режим]. Режим доступа: www.rohde-schwarz.ru/439/ AN001rus_HotS22_pulse.pdf.
3. Root D.E., Horn J., Betts L., Gillease Ch., Verspecht J. Х-параметры: новый принцип измерений, моделирования и разработки нелинейных ВЧ и СВЧ компонентов // Контрольно-измерительные приборы и системы, компания Agilend Technologies. C. 20–24.
4. Никулин С.М., Торгованов А.И. Измерение S-параметров СВЧ транзисторов при высоком уровне мощности методом пространственно удаленной нагрузки // Датчики и системы. 2015. № 4 (191). С. 14–18.
5. Савелькаев С.В. Методы анализа устойчивости активных СВЧ-цепей и измерения их S-параметров // Метрология. 2005. № 4. С. 19–28.
6. Mazumder S.R. Two-signal parameters of transistors / IEEE Trans. 1978. V. MTT-26. № 6. P. 417–420.
7. Li S.H., Bosisio R.G. Automatic analysis of two-port active microwave network / Electronics Letters. 1982. V. 18. № 24. P. 1033–1034.
8. Савелькаев С.В., Ромасько С.В. Способ измерения S-параметров четырехполюсников, предназначенных для включения в микрополосковый тракт / Новосибирск: Вестник СГУ-ГиТ. 2017. Т. 22. № 2. С. 260–270.
9. Пат. 2653569 РФ: МПК7 G01R 27/28 Способ измерения S-параметров четырехполюсников СВЧ, предназначенных для включения в микрополосковую линию / Свелькаев С.В., Ромасько С.В. Заявл. 29.03.2017. Опубл. 11.05.2018. Бюл. № 14.
10. Савелькаев С.В., Ромасько С.В. Метод измерения S-параметров транзисторов на имитаторе-анализаторе усилителей и автогенераторов / Метрология. 2017. № 2. С. 19–28. (Savel’kaev S.V., Romas’ko S.V. A method of measuring the S-parameters of transistors on a simulator-analyzer of amplifiers and UNF self-excited oscillators // Measurement Techniques. April-June, 2017. № 2. P. 31–44).
11. Пат. 2652650 РФ: МПК7 G01R 27/28 Способ адекватного измерения S-параметров транзисторов на имитаторе-анализаторе усилителей и автогенераторов СВЧ / Свелькаев С.В., Ромасько С.В. Заявл. 29.03.2017. Опубл. 28.04.2018. Бюл. № 13.
12. Савелькаев С.В., Ромасько С.В., Литовченко В.А., Заржецкая Н.В. Теоретические основы построения имитатораанализатора активных СВЧ-цепей / Успехи современной радиоэлектроники. 2017. № 2. С. 50–61.
13. Савелькаев С.В. Коаксиальное контактное устройство / Измерительная техника. 2005. № 5. С. 65–68.
14. Савелькаев С.В. Разработка и исследование методов и прецизионных средств измерения S-параметров активных СВЧцепей // Дисс. … д.т.н. Новосибирск. 2006.
15. Силаев М.А., Брянцев С.Ф. Приложение матриц и графов к анализу СВЧ устройств. М.: Сов. радио. 1970.