Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову транзистор
Полевой транзистор на основе кремниевого нанопровода
В.А. Крупенин, Д.Е. Преснов, В.С. Власенко, С.В. Амитонов
Шумовые характеристики двухполюсника с отрицательным сопротивлением на основе биполярного транзистора
М.П. Савченко
Методика моделирования переходных процессов в однотактных каскадах на биполярных транзисторах
А.Г. Чертановский - ст. преподаватель, кафедра радиотехники и радиотехнических систем, Чувашский государственный университет им. И.Н. Ульянова E-mail: alexgray@mail.ru
Методика уточнения характеристик модели Матерка полевого транзистора
В.П. Мещанов - д. т. н., зам. директора ОАО «ЦНИИИА». E-mail: market@cime.ru А.Л. Хвалин - к. т. н., доцент, Саратовский ГУ. E-mail: Khvalin63@mail.ru
Кремниевая наноэлектроника: проблемы и перспективы
К. А. Валиев - академик РАН, Советник РАН, зав. кафедрой физических и технологических проблем микроэлектроники, Физико-технологический институт РАН E-mail: valiev@ftian.ru В. В. Вьюрков - к.ф.-м.н., доц. кафедры физических и технологических проблем микроэлектроники, Физико-технологический институт РАН, вед. научн. сотрудник ФТИАН E-mail: vyurkov@ftian.ru А. А. Орликовский - академик РАН, зам. зав. кафедрой физических и технологических проблем микроэлектроники МФТИ, директор, ФТИАН E-mail: orlikovsky@ftian.ru
Дискретные многоразрядные СВЧ-фазовращатель и аттенюатор, выполненные на элементах поверхностного монтажа
Е.Ю. Замешаева - инженер, аспирант, Санкт-Петербургский Государственный электротехнический университет (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова (Ленина) П.А. Туральчук - к.ф.-м.н., инженер ЛЭТИ Д.В. Холодняк - ассистент ЛЭТИ М.Д. Парнес - к.ф.-м.н., инженер ООО «Резонанс» Р.Г. Шифман - зам. директора OАO «Светлана-Электронприбор» И.Б. Вендик - д.ф.-м.н., проф. ЛЭТИ
Транзисторы на основе гетероструктур GAN/ALGAN для оборудования WIMAX
В.А. Буробин - к. т. н., директор, ФГУП «ГЗ Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru А.М. Коновалов - зам. гл. инженера, ФГУП «ГЗ Пульсар». E-mail: openline@gz-pulsar.ru А.Ю. Волошин - инженер-технолог, ФГУП «ГЗ Пульсар»
Решение задач проектирования СВЧ-генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе
Д.М. Горбачев - к. т. н., инженер-программист ООО НетКРЭКер Е.В. Мазеев - аспирант Саратовского ГТУ М.А. Фурсаев - д. т. н., профессор Саратовского ГТУ
Уменьшение погрешности контактирования при измерении параметров мощных полевых транзисторов
А.А. Капралова - вед. инженер ФГУП НПП «Исток» В.М. Лукашин - нач. НТС НИИ «МЭИИТ МИЭМ» Л.В. Манченко - нач. лаборатории ФГУП НПП «Исток» А.Б. Пашковский - д.ф.-м.н., нач. отдела ФГУП НПП «Исток» В.А. Пчелин - к.т.н., нач. лаборатории ФГУП НПП «Исток». E-mail: solidstate10@mail.ru
Перспективы создания СВЧ-элементов на основе полупроводниковых алмазных материалов
А.А. Алтухов - к.т.н., ст. науч. сотрудник, ООО ПТЦ «УралАлмазИнвест» А.С. Бугаев - академик, зав. лабораторией, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Ю.В. Гуляев - академик, директор, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН К.Н. Зяблюк - к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, ООО ПТЦ «УралАлмазИнвест» А.Ю. Митягин - д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, профессор, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Г.В. Чучева - д.ф.-м.н., ученый секретарь, ФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН
Автоматизированный измерительный стенд для оценки стойкости радиоэлектронной аппаратуры к воздействию сверхкоротких импульсных помех
А.М. Бобрешов - д. ф.-м. н., профессор кафедры электроники, Воронежский государственный университет. E-mail: bobreshov@phys.vsu.ru А.В. Иванцов - к. т. н., ст. преподаватель, Военный авиационный инженерный университет И.С. Коровченко - к. ф.-м. н., ассистент кафедры электроники, Воронежский государственный университет. E-mail: korovchenko@phys.vsu.ru В.А. Степкин - аспирант кафедры электроники ВГУ. E-mail: stepkin@phys.vsu.ru Г.К. Усков - к. ф.-м. н., доцент кафедры электроники, Военный авиационный инженерный университет. E-mail: uskov@phys.vsu.ru
Плазмонное детектирование терагерцевого излучения в полевых транзисторах с двумерным электронным каналом и решеточным затвором
Д.В. Фатеев - к.ф.-м.н., науч. сотрудник, СФ ИРЭ им.В.А.Котельникова РАН E-mail: FateevDV@yandex.ru
Плазмонное детектирование терагерцевого излучения в двумерном электронном канале полевого транзистора с двойным решеточным затвором и асимметричной элементарной ячейкой
Д.В. Фатеев - к. ф.-м. н., ст. науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН; ст. науч. сотрудник, СГУ им. Н. Г. Чернышевского. Е-mail: FateevDV@yandex.ru В.В. Попов - д. ф.-м. н., зав. лабораторией, Саратовский филиал ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН Т. Отсуджи - сотрудник, Исследовательский ин-т электрических коммуникаций (Япония) Я.М. Мезиани - зав. лабораторией прикладной физики, Университет г. Саламанки (Испания) Д. Кокилат - сотрудник, лаборатория им. Ш. Кулона, Университет Moнтпелие-2 (Франция) В. Кнап - зав. лабораторией им. Ш. Кулона, Университет Moнтпелие-2 (Франция) С.А. Никитов - д. ф.-м. н., зам. директора ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, зав. лабораторией, СГУ им. Н. Г. Чернышевского
Транзисторы на основе гетероструктур GaN/AlGaN для оборудования WiMAX
В.А. Буробин - к. т. н., директор, ФГУП «ГЗ Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru А.М. Коновалов - зам. гл. инженера, ФГУП «ГЗ Пульсар». E-mail: openline@gz-pulsar.ru А.Ю. Волошин - инженер-технолог, ФГУП «ГЗ Пульсар»
Полевой транзистор с каналом-нанопроводом - основа молекулярного биосенсора
Д.Е. Преснов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, отдел микроэлектроники, НИИЯФ, Московский Государственный Университет. E-mail: denis.presnov@phys.msu.ru С.В. Амитонов - аспирант, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: Sam-MSU@yandex.ru В.А. Крупенин - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, лаборатория криоэлектроники, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: vladimir.krupenin@phys.msu.ru
Влияние концентраций глубоких уровней в полуизолирующих подложках на электроперегрузки GaAs ПТШ
А.М. Бобрешов - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой, Воронежский государственный университет А.В. Иванцов - к.т.н., преподаватель, Военный авиационный инженерный университет И.С. Коровченко - к.ф.-м.н., ассистент, Воронежский государственный университет В.А. Степкин - к.ф.-м.н., ассистент, Воронежский государственный университет Г.К. Усков - к.ф.-м.н., доцент, Воронежский государственный университет
Управление полевыми транзисторами в мостовой схеме с фазовым сдвигом без применения нелинейных оптопар в контуре обратной связи
А.М. Бобрешов - д. ф.-м. н., профессор, зав. кафедрой электроники, Воронежский государственный университет (ВГУ), декан физического факультета ВГУ. E-Mail: bobreshov@phys.vsu.ru А.В. Дыбой - к. ф.-м. н., доцент, кафедра электроники Воронежский государственный университет. E-Mail: dyboy_a@mail.ru В.Мухаммед Салех - аспирант, кафедра электроники, Воронежский государственный университет. E-Mail: wathik@yandex.ru С.В. Бабенко - студент, кафедра электроники, Воронежский государственный университет. E-Mail: salia2@yandex.ru
Полевой транзистор с каналом-нанопроводом - основа молекулярного биосенсора
Д.Е. Преснов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, отдел микроэлектроники, НИИЯФ, Московский Государственный Университет. E-mail: denis.presnov@phys.msu.ru С.В. Амитонов - аспирант, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: Sam-MSU@yandex.ru В.А. Крупенин - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, лаборатория криоэлектроники, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: vladimir.krupenin@phys.msu.ru
Широкополосный твердотельный многоразрядный аттенюатор миллиметрового диапазона
А.И. Ли - руководитель группы ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ. E-mail: LeeAndrey67@yandex.ru С.И. Толстолуцкий - к.т.н., начальник сектора ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ. E-mail: tolstolutsky_si@mail.ru Д.А. Трухов - инженер-технолог ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ. E-mail: truhov@rambler.ru
Технологическая оптимизация ГИС и МИС дискретных аттенюаторов
А.Г. Гудков - д. т. н., профессор, МГТУ им. Н. Э. Баумана В.В. Попов − к.т.н., генеральный директор ОАО «Светлана» (Санкт-Петербург)
Технологическая оптимизация дискретных ГИС и МИС фазовращателей
А.Г. Гудков - д.т.н., профессор, кафедра РЛ6 «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана В.В. Попов - к.т.н., генеральный директор ОАО «Светлана» (Санкт-Петербург)
Влияние сверхширокополосной помехи с высокой пиковой мощностью на функционирование малошумящих GaAs ПТШ
А.М. Бобрешов - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедры электроники. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет». E-mail: bobreshov@phys.vsu.ru И.С. Коровченко - к.ф.-м.н., ассистент кафедры электроники. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет». E-mail: korovchenko@vsu.ru Ю.Н. Нестеренко- к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет». E-mail: nesterenko@phys.vsu.ru В.А. Степкин - к.ф.-м.н., ассистент кафедры электроники. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет». E-mail: stepkin@phys.vsu.ru Г.К. Усков - к.ф.-м.н., доцент кафедры электроники. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет». E-mail: uskov@phys.vsu.ru
Проектирование устройств управления амплитудой мощных однополярных импульсов
А.А. Титов - д.т.н., профессор, кафедра радиоэлектроники и защиты информации, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. E-mail: TitovAA@rzi.tusur.ru
Пути повышения точности дискретных ГИС- и МИС-фазовращателей
А.Г. Гудков - д.т.н., профессор, МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва). E-mail: k_rl6@mstu.ru
Кремниевый транзистор с каналом-нанопроводом из неравномерно легированного кремния на изоляторе
С.В. Амитонов - аспирант, физический факультет, МГУ. E-mail: sam-msu@yandex.ru Д.Е. Преснов - к.ф.-м.н.. ст. науч. сотрудник, отдел микроэлектроники, НИИЯФ, МГУ. E-mail: denis.presnov@phys.msu.ru В.А. Крупенин - к.ф.-м.н.. ст. науч. сотрудник, физический факультет, МГУ. E-mail: vladimir.krupenin@phys.msu.ru
Генератор высоковольтных наносекундных импульсов на лавинных транзисторах
М.А. Карпов - к.т.н., доцент, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) Д.В. Никишин - аспирант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) А.В. Шпак - докторант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) Е.В. Егорова - к.т.н., доцент, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА). Е-mail: calipso@dubki.ru Е.О. Петренко - аспирант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) С.С. Халимов - аспирант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА)
Генератор высоковольтных наносекундных импульсов на лавинных транзисторах
М. А. Карпов - к.т.н., доцент, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) Д. В. Никишин - аспирант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) А. В. Шпак - докторант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) Е. В. Егорова - к.т.н., доцент, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА). Е-mail: calipso@dubki.ru Е. О. Петренко - аспирант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) С. С. Халимов - аспирант, кафедра «Телекоммуникационные системы», Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА)
Отрицание дешифратора
О. А. Громов - ассистент, кафедра «Автоматика и телемеханика», Пермский национальный исследовательский политехнический университет. E-mail: ogromov@inbox.ru А. Ю. Городилов - науч. сотрудник, Пермский национальный исследовательский политехнический университет. E-mail: gora830@yandex.ru А. А. Сулейманов - аспирант, ассистент, кафедра «Автоматика и телемеханика», Пермский национальный исследовательский политехнический университет. E-mail: alex@pstu.ru С. Ф. Тюрин - д.т.н., профессор, кафедра «Автоматика и телемеханика», Пермский национальный исследовательский политехнический университет. E-mail: tyurinsergfeo@rambler.ru
Сеточные твердотельные модуляторы для передающих устройств РЛС
М.В. Скупяко - вед. инженер, ОКБ ОАО «НПО «ЛЭМЗ», Москва. E-mail: skupyako@gmail.com А.Ю. Млинник - ст. науч. сотрудник, ОКБ ОАО «НПО «ЛЭМЗ», Москва. E-mail: otdel5.kblira@gmail.com С.В. Монин - начальник отдела, ОКБ ОАО «НПО «ЛЭМЗ», Москва. E-mail: otdel5.kblira@gmail.com
Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторе
Д. Е. Преснов - к. ф.-м. н., ст. научн. сотрудник, Отдел микроэлектроники, НИИЯФ, Московский Государственный Университет. E-mail: denis.presnov@phys.msu.ru С. В. Амитонов - аспирант, физический факультет, Московский Государственный Университет. E-mail: sam-msu@yandex.ru В.С. Власенко - руководитель департамента Научного и Промышленного Материаловедения, ООО «ОПТЭК» (Москва). E-mail: vlasenko@optecgroup.com В. А. Крупенин - к. ф.-м. н., ст. научн. сотрудник, физический факультет, Московский Государственный Университет. E-mail: vladimir.krupenin@phys.msu.ru
Выбор схемотехнических, конструкторских и технологических решений при разработке инвазивного транзисторного биосенсора
В. Н. Вьюгинов - к.т.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург. E-mail: mail@svetlana-ep.ru А. Г. Гудков - д.т.н., профессор, кафедра РЛ6 «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э.Баумана; ген. директор, ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН». E-mail ooo.giperion@gmail.com А. А. Зыбин - начальник лаборатории, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург С. А. Мешков - к. т. н., ст. науч. сотрудник, ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» Д. И. Цыганов - д.т.н., зав. кафедрой, ГБОУ ДПО РМАПО Минздрава России
Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторе
Д. Е. Преснов - к. ф.-м. н., ст. научн. сотрудник, Отдел микроэлектроники, НИИЯФ, Московский Государственный Университет. E-mail: denis.presnov@phys.msu.ru С. В. Амитонов - аспирант, физический факультет, Московский Государственный Университет. E-mail: sam-msu@yandex.ru В.С. Власенко - руководитель департамента Научного и Промышленного Материаловедения, ООО «ОПТЭК» (Москва). E-mail: vlasenko@optecgroup.com В. А. Крупенин - к. ф.-м. н., ст. научн. сотрудник, физический факультет, Московский Государственный Университет. E-mail: vladimir.krupenin@phys.msu.ru
Метод анализа деградации подзатворного диэлектрика быстродействующего полевого транзистора
В.Е. Драч - к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ1-КФ, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: drach@kaluga.org А.В. Родионов - к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ2-КФ, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: andviro@gmail.com
Эффект интермодуляции на выходе передающей адаптивной антенной решетки
Д.Д. Ганзий - д.т.н., начальник отделения, ОАО «НПЦ «ВИГСТАР» (Москва) E-mail: ntc4@vigstar.ru П.В. Русаков - начальник сектора, ОАО «ГСКБ «Алмаз-Антей» (Москва) E-mail: rp258rt@rambler.ru Г.И. Трошин - д.т.н., профессор, вед. науч. сотрудник, ОАО «НПЦ «ВИГСТАР» (Москва) E-mail: ntc4@vigstar.ru
Разработка компонентов бортовых многоканальных ГНСС приемников космических аппаратов всех типов орбит на основе арсенид-галлиевой технологии отечественного производства
С.Г. Кочура - к.т.н., зам. ген. конструктора по электрическому проектированию и системам управления КА, АО «Информационные спутниковые системы» им. академика М.Ф. Решетнева» (г. Железногорск) Н.А. Тестоедов - д.т.н., профессор, чл.-корр., зав. кафедрой космических информационных систем, Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева В.Н. Школьный - гл. конструктор проектирования и испытаний РЭА, АО «Информационные спутниковые системы» им. академика М.Ф. Решетнева» (г. Железногорск) С.Б. Сунцов - к.т.н., начальник отдела конструирования радиоэлектронной аппаратуры, АО «Информационные спутниковые системы» им. академика М.Ф. Решетнева» (г. Железногорск). E-mail: sbsun@iss-reshetnev.ru А.В. Кондратенко - мл. науч. сотрудник, НИИ систем электрической связи ТУСУРа (г. Томск). E-mail: alkon@main.tusur.ru К.А. Алексеев - лаборант, НИИ систем электрической связи ТУСУРа (г. Томск). E-mail: aka@main.tusur.ru В.М. Карабан - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, зав. лабораторией, НИИ космических технологий ТУСУРа (г. Томск). E-mail: karaban_vm@main.tusur.ru
О.В. Лосев и пути развития русской микроэлектроники в XXI в
С.А. Гилёв - вед. инженер, Музей науки «Нижегородская радиолаборатория» ННГУ им. Н.И. Лобачевского (Национальный исследовательский университет) (г. Нижний Новгород). E-mail: serangil-nrl@yandex.ru М.А. Новиков - к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, Институт физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород). E-mail: mnovik@ipm.sci-nnov.ru А.А. Потапов - д.ф.-м.н., профессор, гл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН; Президент совместной китайско-российской лаборатории информационных технологий и фрактальной обработки сигналов (Китай, Гуанджоу). E-mail: potapov@cplire.ru А.Э. Рассадин - координатор объединенных научно-образовательных программ НРО НТОРЭС им. А.С. Попова (г. Нижний Новгород). E-mail: brat_ras@list.ru
Особенности проектирования широкополосных усилительных модулей диапазона 2-4 ГГц с выходной мощностью 50 Вт
М.П. Апин - к.э.н., первый зам. ген. директора - гл. инженер, ОАО «НПП «Алмаз» (г. Саратов) Л.С. Сотов - д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского А.Л. Хвалин - д.т.н., доцент, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Моделирование распределения токов в системе соединений мощного ВЧ (СВЧ) транзистора
О.М. Булгаков - д.т.н., профессор, первый зам. начальника, Краснодарский университет МВД России М.Ю. Пакляченко - адъюнкт, Воронежский институт МВД России. E-mail: marina_lion@mail.ru
Анализ зависимости параметров HEMT транзисторов на основе GaN от толщины наноразмерного барьерного слоя AlGaN с помощью численного моделирования
В.А. Петров - инженер-технолог, ЗАО «Светлана -Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: v.petrov@svetlana-ep.ru В.Г. Тихомиров - к.т.н., ЗАО «Светлана - Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: v11111@yandex.ru
Методика и аппаратура для измерения низкочастотного шума
В.Н. Вьюгинов - к.ф.-м.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: vyuginov@svetlana-ep.ru А.Г. Гудков - д.т.н., профессор, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: profgudkov@gmail.com В.А. Добров - начальник отдела, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: dobrov@svetlana-ep.ru Т.Ю. Кудряшова - ст. преподаватель, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: vttania@list.ru А.В. Мещеряков - к.т.н., доцент, кафедра «Радиотехнические и телекоммуникационные системы», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: vttania@list.ru В.Г. Усыченко - д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: usychenko@rphf.spbstu.ru В.Д. Шашурин - д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: schashurin@bmstu.ru С.И. Видякин - аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: bmsturl@gmail.com С.В. Чижиков - ассистент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: chigikov95@mail.ru
Характеристики электромагнитной совместимости малошумящего усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом при воздействии сверхкоротких импульсных помех
А.М. Бобрешов - д.ф.-м.н., профессор, декан Физического факультета, Воронежский государственный университет. E-mail: bobreshov@phys.vsu.ru И.С. Коровченко - к.ф.-м.н., доцент, Физический факультет, Воронежский государственный университет. E-mail: korovchenko@vsu.ru В.А. Степкин - к.ф.-м.н., доцент, Физический факультет, Воронежский государственный университет E-mail: stepkin@phys.vsu.ru Г.К. Усков - д.ф.-м.н., доцент, Физический факультет, Воронежский государственный университет E-mail: uskov@phys.vsu.ru Лэ Куанг Тук - аспирант, Физический факультет, Воронежский государственный университет E-mail: lequangtuc@gmail.com
Проектирование мощных широкополосных усилителей на отечественной элементной базе в диапазоне 1-2 ГГц
М.П. Апин - к.э.н., первый зам. ген. директора, гл. инженер, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов) А.Г. Балаболин - начальник отдела, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов) А.Л. Хвалин - д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского Л.С. Сотов - д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Адаптивный к помехам усилительный каскад
А.М. Бобрешов - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой электроники, Воронежский государственный университет E-mail: bobreshov@phys.vsu.ru Н.Н. Мымрикова - д.ф.-м.н., профессор, кафедра электроники, Воронежский государственный университет E-mail: ninamymrikova@gmail.com А.А. Яблонских - аспирант, кафедра электроники, Воронежский государственный университет E-mail: jablonskihaa@yandex.ru
Наноэлектронные биосенсоры для диагностики онкологических заболеваний

Т.С. Романова – к.б.н., мл. науч. сотрудник, 

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича (Москва)

E-mail: romtatyana@mail.ru

К.А. Мальсагова – к.б.н. мл. науч. сотрудник, 

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича (Москва)

E-mail: f17-1086@yandex.ru

Т.О. Плешакова – д.б.н., зам. директора по научной работе, 

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича (Москва)

E-mail: pleshakova@gmail.com

А.А. Валуева – мл. науч. сотрудник, Научно-исследовательский институт биомедицинской химии 

им. В.Н. Ореховича» (Москва); Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева (Москва)

E-mail: varuevavarueva@gmail.com

Р.А. Галлиулин – ведущий программист, 

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича (Москва)

E-mail: rafael.anvarovich@gmail.com

В.С. Зиборов – вед. специалист, Научно-исследовательский институт биомедицинской химии  им. В.Н. Ореховича (Москва); Объединенный институт высоких температур РАН (Москва)

E-mail: ziborov.vs@yandex.ru

О.Ф. Петров – академик РАН, д.ф.-м.н., директор Объединенного института высоких температур РАН (Москва)

E-mail: ofpetrov@ihed.ras.ru

В.Г. Никитаев – д.т.н., профессор, зав. кафедрой компьютерных медицинских систем, 

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (Москва)

E-mail: kaf46@mail.ru

А.Н. Проничев – к.т.н., первый зам. заведующего кафедрой компьютерных медицинских систем,  Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (Москва)

E-mail: kaf46@mail.ru

Е.А. Дружинина – аспирант, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (Москва) E-mail: kaf46@mail.ru

Ю.Д. Иванов – д.б.н., профессор, зав. лабораторией нанобиотехнологии, 

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича (Москва)

E-mail: yurii.ivanov.nata@gmail.com

Исследование влияния легирования буферного слоя GaN углеродом на эффект лавинного пробоя нормально открытых HEMT AlGaN/AlN/GaN-транзисторов

Тхан Пьо Чжо

Институт квантовой физики и наноэлектроники Национального исследовательского университета «МИЭТ»  (Москва, Россия) 

Подготовка поверхности подложки кремниевых нанопроволочных полевых транзисторов для создания биосенсора

А.А. Черемискина¹, В.М. Генералов², А.С. Сафатов³, Г.А. Буряк4, А.Л. Асеев5

1-4 ФБУН ГНЦ вирусологии и биотехнологии «Вектор» Роспотребнадзора (р.п. Кольцово, Новосиб. обл., Россия)

5 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (г. Новосибирск, Россия);

Новосибирский государственный университет (г. Новосибирск, Россия)

Генератор хаоса с высоким энергетическим потенциалом

С.В. Савельев, Л.А. Морозова

 Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Россия)

Повышающе-понижающий реверсивный импульсный преобразователь с высоким КПД

О.В. Непомнящий1, И.Е. Сазонов2, А.П. Яблонский3, В.Н. Хайдукова4

1-4 ФГАОУ ВО «Сибирский федеральный университет» (г. Красноярск, Россия)

Метод расчета и оптимизации шумовых характеристик широкополосных фотоприемников повышенной точности

Д. Ф. Зайцев – д.т.н., гл. конструктор по радиофотонике,

АО «Концерн «Радиоэлектронные технологии» E-mail: zaysev@yandex.ru

Особенности построения средневолнового радиомаяка дифференциальных подсистем глобальных навигационных спутниковых систем «Каскад 800», обладающего повышенной эксплуатационной надежностью, и его перспективные возможности

Л.А. Абрамов – к.т.н., гл. специалист, АО «Российский институт радионавигации и времени» (Санкт-Петербург) E-mail:office@rirt.ru

Н.С. Хохлов – начальник лаборатории, АО «Российский институт радионавигации и времени» (Санкт-Петербург)

Н.А. Коротков – начальник сектора, АО «Российский институт радионавигации и времени» (Санкт-Петербург)

Д.Г. Кравченко – ст. инженер, АО«Российский институт радионавигации и времени» (Санкт-Петербург)

В.С. Никитин – ст. инженер, АО «Российский институт радионавигации и времени» (Санкт-Петербург)

Теоретический анализ массогабаритных характеристик и нелинейности при переходе от гибридных сборок к технологии монокристаллических плат

Ф.А. Барон – д.т.н., зам. гл. технолога по микроэлектронике, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
С.З. Галеев – зам. начальника цеха микроэлектроники, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
Ф.В. Зеленов – инженер-технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
А.Б. Иванов – инженер-технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
С.О. Коновалов – инженер-технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
А.Н. Масюгин – инженер-технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
А.В. Стреж – гл. технолог, АО «НПП «Радиосвязь» (г. Красноярск)
E-mail: filippbaron@mail.ru

Обзор методов измерения S-параметров транзисторов СВЧ и их сравнительный анализ

С.В. Савелькаев – д.т.н., профессор, Сибирский государственный университет геосистем и технологий E-mail: sergei.savelkaev@yandex.ru

Концепция построения биосенсора на основе HEMT

С.В. Агасиева - к.т.н., доцент, МГТУ им. Н.Э. Баумана; нач. отдела, ООО «НПИ «ГИПЕРИОН» (Москва)
В.Н. Вьюгинов - к.ф.-м.н., директор АО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)
В.В. Жердева - к.б.н., доцент, ФГБОУ ДПО РМАНПО Минздрава России (Москва)
E-mail: zherdeva.victoria@gmail.com
А.А. Зыбин - начальник лаборатории, АО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)
В.Г. Тихомиров - к.т.н., доцент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Методика и аппаратура для измерения низкочастотного шума

В.Н. Вьюгинов – к.ф.-м.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)

E-mail: vyuginov@svetlana-ep.ru

А.Г. Гудков – д.т.н., профессор, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: profgudkov@gmail.com

В.А. Добров – начальник отдела, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)

E-mail: dobrov@svetlana-ep.ru

Т.Ю. Кудряшова – ст. преподаватель, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации»,
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

E-mail: vttania@list.ru

А.В. Мещеряков – к.т.н., доцент, кафедра «Радиотехнические и телекоммуникационные системы»,
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

E-mail: vttania@list.ru

В.Г. Усыченко – д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации»,
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

E-mail: usychenko@rphf.spbstu.ru

В.Д. Шашурин – д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: schashurin@bmstu.ru

С.И. Видякин – аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: bmsturl@gmail.com

С.В. Чижиков – ассистент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: chigikov95@mail.ru

Измерение теплового импеданса мощных транзисторов

В.И. Смирнов – д.т.н., профессор, кафедра «Проектирование и технология электронных средств», Ульяновский государственный технический университет

E-mail: smirnov-vi@ulstu.ru

В.А. Сергеев – д.т.н., доцент, директор Ульяновского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН E-mail: sva@ulstu.ru

А.А. Гавриков – к.т.н., ст. науч. сотрудник, Ульяновский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН E-mail: a.gavrikoff@gmail.com

А.М. Шорин – аспирант, кафедра «Проектирование и технология электронных средств», 

Ульяновский государственный технический университет

E-mail: anshant@yandex.ru

Моделирование широкополосного термостабилизированного усилительного модуля в диапазоне частот 1…2 ГГц

В.С. Чесаков – магистрант, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского

E-mail: seva.chesakov@mail.ru, kof@info.sgu.ru

Л.С. Сотов – д.т.н., Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского E-mail: slskit@mail.ru, kof@info.sgu.ru

Моделирование характеристик биполярного транзистора 2Т937 Часть I. Статические характеристики

М.П. Апин – к.э.н., первый зам. ген. директора, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

E-mail: info@almaz-rpe.ru, almaz-npp@mail.ru

А.Г. Балаболин – начальник отдела, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

E-mail: titkov-1973@yandex.ru, almaz-npp@mail.ru

А.Л. Хвалин – д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского

Моделирование характеристик биполярного транзистора 2Т937 Часть II. Частотные характеристики

М.П. Апин – к.э.н., первый зам. ген. директора, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

E-mail: info@almaz-rpe.ru, almaz-npp@mail.ru

А.Г. Балаболин – начальник отдела, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

E-mail: titkov-1973@yandex.ru, almaz-npp@mail.ru

А.Л. Хвалин – д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского

Синтез тракта предварительного усиления с последовательным соединением каскадов с целью уменьшения нелинейных искажений

А.М. Бобрешов – д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой электроники, декан Физического факультета, Воронежский государственный университет

E-mail: bobreshov@phys.vsu.ru

Н.Н. Мымрикова – д.ф.-м.н., профессор, кафедра электроники, Воронежский государственный университет E-mail: ninamymrikova@gmail.com

А.А. Яблонских – аспирант, кафедра электроники, Воронежский государственный университет E-mail: jablonskihaa@yandex.ru

Аналитическое представление характеристик биполярных транзисторов

А.Е. Китаев – инженер-программист, АО «СКБ радиоизмерительной аппаратуры» (г. Н. Новгород) E-mail: kitaev_a_e@mail.ru

Сверхширокополосный СВЧ-генератор, управляемый напряжением

А.Б. Никитин – к.т.н., доцент, Высшая школа прикладной физики и космических технологий, 

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

E-mail: nikitin@mail.spbstu.ru

Е.И. Хабитуева – аспирант, Высшая школа прикладной физики и космических технологий, 

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого E-mail: basilliounderground@mail.ru

Оптимизация характеристик усилителя мощности на отечественных биполярных транзисторах в диапазоне от 1 до 2 ГГц

М.П. Апин – к.э.н., первый зам. ген. АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

Г.В. Кудряшов – начальник научно-производственного комплекса, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов)

А.Л. Хвалин – д.т.н., профессор, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского

Современные комплексированные устройства терагерцевого диапазона

А.А. Титков – аспирант, кафедра «Электронные приборы и устройства»,  Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.

E-mail: titkov-1973@yandex.ru

А.С. Олейник – д.т.н., профессор, кафедра «Электронные приборы и устройства»,  Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.

E-mail: anatoly.semenovich@gmail.com

М.С. Степанов – инженер, АО «НПП «Алмаз» (г. Саратов) E-mail: little_hans@mail.ru

Повышение надежности технологии формирования области базы транзисторов операционных усилителей

К.В. Попова – студент, кафедра ЭИУ4, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: krispo1994@yandex.ru

С.А. Адарчин – к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ4, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: adarchin@rambler.ru

В.Г. Косушкин – зав. кафедрой ЭИУ4, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: kosushkin@gmail.com

Е.Г. Пёрышкин – зам. гл. технолога, АО «ВОСХОД»-КРЛЗ E-mail: pesha1953@gmail.com

Влияние технологических и конструкторских параметров на динамические характеристики интегральных микросхем на основе биполярных транзисторов

О.Н. Глотова – инженер-технолог, АО «ВОСХОД»-КРЛЗ

E-mail: luckyfox13@mail.ru

С.А. Адарчин – к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ4, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: adarchin@rambler.ru

Сверхширокополосный усилитель мощности СВЧ

А.В. Бобров1, В.Н. Вьюгинов2, И.Г. Киселёв3, М.Ш. Тугушев4

1,3,4 АО «Светлана-Электронприбор»  (Санкт-Петербург, Россия)

2 СПб ГЭТУ (ЛЭТИ), (Санкт-Петербург, Россия)

Исследование влияния погрешностей изготовления на параметры транзисторов для монолитных интегральных схем СВЧ и выявление ключевых факторов, определяющих стабильность их работы в составе миниатюрного радиотермографа

В.Г. Тихомиров1, С.В. Чижиков2

1 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (С.-Петербург, Россия)

2 МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)

2 ООО «НПИ ФИРМА ГИПЕРИОН» (Москва, Россия)

Гетероструктурный транзистор для энергоэффективного малошумящего усилителя радиотермографа на основе монолитных интегральных схем

А.Г. Гудков1, В.Г. Тихомиров2, С.В. Чижиков3

1,3 МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)

2 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Санкт-Петербург, Россия)

3 ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» (Москва, Россия)

Моделирование приборных структур наноэлектроники на основе 2D-материалов

И.И. Абрамов1, Н.В. Коломейцева2, В.А. Лабунов3, И.А. Романова4, И.Ю. Щербакова5

1–5 Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (г. Минск, Республика Беларусь)
 

Модернизация квазимонолитного усилителя мощности СВЧ-диапазона

В.А. Иовдальский1, Н.В.Ганюшкина2, В.П. Марин3, И.Н. Аюпов4, П.А. Сторин5

1,2,4,5 АО «НПП «Исток» им. Шокина» (Моск. обл., г. Фрязино, Россия)
3 Российский технологический университет (РТУ) МИРЭА (Москва, Россия)
 

Гетероструктурный транзистор для энергоэффективного малошумящего усилителя радиотермографа на основе монолитных интегральных схем

А.Г. Гудков1, В.Г. Тихомиров2, С.В. Чижиков3

1,3 МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)

2 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (Санкт-Петербург, Россия)

1 profgudkov@gmail.com; 2 vv11111@yandex.ru; 3 chigikov95@mail.ru