350 руб
Журнал «Радиотехника» №8 за 2011 г.
Статья в номере:
Автоматизированный измерительный стенд для оценки стойкости радиоэлектронной аппаратуры к воздействию сверхкоротких импульсных помех
Ключевые слова: электромагнитная совместимость сверхкороткие импульсы автоматизированные измерения малошумящие усилители полевые транзисторы с затвором Шоттки транзисторы с высокой подвижностью электронов
Авторы:
А.М. Бобрешов - д. ф.-м. н., профессор кафедры электроники, Воронежский государственный университет. E-mail: bobreshov@phys.vsu.ru А.В. Иванцов - к. т. н., ст. преподаватель, Военный авиационный инженерный университет И.С. Коровченко - к. ф.-м. н., ассистент кафедры электроники, Воронежский государственный университет. E-mail: korovchenko@phys.vsu.ru В.А. Степкин - аспирант кафедры электроники ВГУ. E-mail: stepkin@phys.vsu.ru Г.К. Усков - к. ф.-м. н., доцент кафедры электроники, Военный авиационный инженерный университет. E-mail: uskov@phys.vsu.ru
Аннотация:
Описан автоматизированный измерительный стенд для исследования характеристик электромагнитной совместимости малошумящих усилителей при воздействии последовательностей импульсов субнаносекундной длительности. Разработаны соответствующие алгоритмы измерения и расчета.
Страницы: 54-57
Список источников
  1. Бобрешов А.М., Дыбой А.В., Китаев Ю.И., Нестеренко Ю.Н., Усков Г.К., Обрезан О.И. Исследование обратимых отказов GaАs ПТШ при импульсных перегрузках // Изв. вузов. Сер. Электроника. 2006. № 5. С. 69-77.
  2. Бобрешов А.M, ЛевченкоВ.Н., Китаев Ю.И., Коровченко И.С., Кошелев А.Г., Нестеренко Ю.Н., Усков Г.К. Экспериментальное исследование обратимой деградации GaАs ПТШ под действием сверхкоротких видеоимпульсов // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2007. Т. 10. № 1. С. 104-111.
  3. Bobreshov A.M.,Korovchenko I.S. et al. Substrate batch effect in GaAs MESFET under ultra-short pulses // IEEE Proceedings of Electromagnetic Compatibility, 2009 20th International Zurich Symposium on. 2009. P. 389-392.
  4. Бобрешов А.М., Ряполов М.П., Усков Г.К. Обратимые отказы НЕМТ-транзисторов под действием сверхкоротких видеоимпульсов // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2009. Т. 12. № 1. С. 63-68.
  5. Бобрешов А.М., Руднев Е.А., Усков Г.К. Характеристики помехозащищенности полевого транзистора в условиях действия импульсных помех большой амплитуды // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Радиолокационная техника. 2007. № 1. С. 31-45.
  6. Itoh T., Yanai H. Stability of Performance and Interfacial Problems in GaAs MESFET`s // IEEE Transactions on Electron Devices. 1980. V. ED-27. №6. P. 1037-1045.