350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №3 за 2015 г.
Статья в номере:
Разработка компонентов бортовых многоканальных ГНСС приемников космических аппаратов всех типов орбит на основе арсенид-галлиевой технологии отечественного производства
Ключевые слова: полупроводники арсенид-галлиевая технология монолитные интегральные схемы радиационная стойкость космический аппарат навигационный приемник ГНСС-сигналы двухпозиционный коммутатор малошумящий усилитель полевые транзисторы затвор Шоттки
Авторы:
С.Г. Кочура - к.т.н., зам. ген. конструктора по электрическому проектированию и системам управления КА, АО «Информационные спутниковые системы» им. академика М.Ф. Решетнева» (г. Железногорск) Н.А. Тестоедов - д.т.н., профессор, чл.-корр., зав. кафедрой космических информационных систем, Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева В.Н. Школьный - гл. конструктор проектирования и испытаний РЭА, АО «Информационные спутниковые системы» им. академика М.Ф. Решетнева» (г. Железногорск) С.Б. Сунцов - к.т.н., начальник отдела конструирования радиоэлектронной аппаратуры, АО «Информационные спутниковые системы» им. академика М.Ф. Решетнева» (г. Железногорск). E-mail: sbsun@iss-reshetnev.ru А.В. Кондратенко - мл. науч. сотрудник, НИИ систем электрической связи ТУСУРа (г. Томск). E-mail: alkon@main.tusur.ru К.А. Алексеев - лаборант, НИИ систем электрической связи ТУСУРа (г. Томск). E-mail: aka@main.tusur.ru В.М. Карабан - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, зав. лабораторией, НИИ космических технологий ТУСУРа (г. Томск). E-mail: karaban_vm@main.tusur.ru
Аннотация:
Проведена разработка технических решений радиационно-стойких монолитно-интегральных схем (МИС) двухпозиционного коммутатора и малошумящего усилителя (МШУ) на основе арсенид-галлиевой технологии собственного производства для применения в составе бортовых многоканальных навигационных приемников сигналов глобальных навигационных спутниковых систем (ГНСС) космических аппаратов всех типов орбит для их автономного координатно-временного обеспечения.
Страницы: 39-43
Список источников

 

  1. HMC190AMS8/190AMS8E - GaAsMMICSPDTSwitchDC‑3 Ghz [Электронный ресурс] URL: http://www.radiant.su/other/hittite/pdf/hmc190ams8.pdf.
  2. GaAs МИС двухпозиционного СВЧ коммутатора MP202 [Электронный ресурс] URL: http://www.micran.ru/productions/MIS/switches/MP202.
  3. Петрова Т.С., Еремина Е.Л., Игнатьев М.Г., Козлова Л.А., Баров А.А. Монолитная интегральная схема двухпозиционного СВЧ коммутатора на GaAs // Известия Томского политехнического университета. 2006. Т. 309. № 8. С. 172−175.
  4. Баров А.А., Гюнтер В.Я., Игнатьев М.Г., Петрова Т.С. Управляющие монолитно-интегральные схемы СВЧ на базе GaAs ПТШ // Материалы 15‑й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо-2005) (Севастополь, 12−16 сентября 2005 г.). Севастополь: Вебер. 2005. С. 175−176.
  5. \
  6. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления. Пер. с англ. / Под ред. ДиЛоренцо Д.В., Канделуола Д.Д. М.: Радио и связь. 1988. 496 с.
  7. Gutmann R.J., Fryklund D.J. Characterization of Linear and Nonlinear Properties of GaAs MESFET-s for Broad-Band Control Applications // Transactions on Microwave Theory and Techniques. 1987. V. 35. № 5. P. 516−521.
  8. Зыков Д.Д., Матвеев В.В., Нечаев К.А., Карабан В.М. Повышение качества продукции посредством использования причинно-следственной диаграммы в комплексе с информационной системой управления полупроводниковым производством // Докл. ТУСУР. 2013. № 4(30). С. 173−176.
  9. Jain N., Gutmann R.J.ModelingandDesignofGaAsMESFETControlDevicesforBroad-BandApplications // TransactionsonMicrowaveTheoryandTechniques. 1990. V. 38. № 2. P. 109−117.
  10. HMC618LP3/618LP3E - GaAsSMTpHEMTLowNoiseAmplifier, 1,2−2,2 GHz[Электронный ресурс] URL: http://www.radiant.su/other/hittite/pdf/hmc618lp3.pdf.
  11. GaAs МИС широкополосного усилителя 1−4 ГГц МР502 [Электронный ресурс] URL: http://www.micran.ru/productions/MIS/amplifiers/MP502.
  12. Мокеров В.Г., Бабак Л.И., Федоров Ю.В.и др. Разработка комплекта монолитных малошумящих усилителей Х‑диапазона на основе 0,15 мкм GaAspHEMT-технологии // Доклады ТУСУРа. 2010. № 2(22). С. 105−117.
  13. Арыков В.С., Баров А.А., Кондратенко А.В.GaAspHEMT МИС малошумящего усилителя Х‑диапазона // Материалы 21‑й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь: Вебер. 2011. Т. 1. С. 159−160.
  14. Текшев В.Б. Двухтранзисторный СВЧ-усилитель с минимальным коэффициентом шума и согласованным входом и выходом // Общие вопросы радиоэлектроники. 1990. № 15. С. 16−23.
  15. Миронов М.А., Башаев А.В., Полосин С.А. Контроль целостности в бортовых системах функционального дополнения глобальных навигационных спутниковых систем // Радиотехника. 2004. № 7.