В.Н. Вьюгинов – к.ф.-м.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)

E-mail: vyuginov@svetlana-ep.ru

А.Г. Гудков – д.т.н., профессор, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: profgudkov@gmail.com

В.А. Добров – начальник отдела, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)

E-mail: dobrov@svetlana-ep.ru

Т.Ю. Кудряшова – ст. преподаватель, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации»,
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

E-mail: vttania@list.ru

А.В. Мещеряков – к.т.н., доцент, кафедра «Радиотехнические и телекоммуникационные системы»,
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

E-mail: vttania@list.ru

В.Г. Усыченко – д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации»,
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

E-mail: usychenko@rphf.spbstu.ru

В.Д. Шашурин – д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: schashurin@bmstu.ru

С.И. Видякин – аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: bmsturl@gmail.com

С.В. Чижиков – ассистент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: chigikov95@mail.ru

Представлены основные принципы работы стенда для измерения низкочастотных шумов полупроводниковых приборов в условиях производства. Представлена схема установки для измерения низкочастотных шумов полупроводниковых изделий. Предложена методика, позволяющая проводить экспресс-анализ шумов приборов, находящихся на поверхности полупроводниковой пластины, и оценивать качество материала, из которого изготавливают полупроводниковый прибор. Представлены энергетические спектры шумов тока стока GaN-транзистора на SiC-подложке и вывод о качестве GaN-материала, из которого изготовлен транзистор.

1. Жигальский Г.П. Флуктуации и шумы в электронных приборах. М.: Физматлит. 2012. 512 с.
2. Levinshtein M.E., Rumyntsev S.L., Tauk R., et al. Low frequency noise in InAlAs/InGaAs modulation doped field effect transistor with 50-nm gate length // Journal of Applied Physics. 2007. 102. 064506.
3. Rumyntsev S.L., Pala N., Shur M.S., et al. Concentration dependence of the 1/f noise in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors // Semiconductor Science and Technology. 2002. № 17. P. 476−479.
4. Shmidt N.M., Levinshtein M.E., Lundin W.V., et al. Low-frequency noise in GaN- epilayers with different degree of order of the mosaic structure // Semiconductors. 2004. № 38 P. 1036.