350 руб
Журнал «Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век» №2 за 2014 г.
Статья в номере:
Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторе
Ключевые слова: одноэлектронный транзистор нанопровод КНИ-технология имплантация нанолитография вольтамперные и затворные характеристики сканирующая туннельная микроскопия
Авторы:
Д. Е. Преснов - к. ф.-м. н., ст. научн. сотрудник, Отдел микроэлектроники, НИИЯФ, Московский Государственный Университет. E-mail: denis.presnov@phys.msu.ru С. В. Амитонов - аспирант, физический факультет, Московский Государственный Университет. E-mail: sam-msu@yandex.ru В.С. Власенко - руководитель департамента Научного и Промышленного Материаловедения, ООО «ОПТЭК» (Москва). E-mail: vlasenko@optecgroup.com В. А. Крупенин - к. ф.-м. н., ст. научн. сотрудник, физический факультет, Московский Государственный Университет. E-mail: vladimir.krupenin@phys.msu.ru
Аннотация:
Разработан метод изготовления одноэлектронного транзистора из высоколегированного мышьяком кремния на изоляторе (КНИ). Легирующая примесь с концентрацией более 1020 см-3 была сосредоточена в верхнем слое кремния толщиной 55 нм. Формирование элементов структуры одноэлектронного транзистора происходило с помощью серии последовательных процессов анизотропного и изотропного травления во фторсодержащей плазме с промежуточным контролем электрических параметров. Измерены вольтамперные и модуляционные характеристики экспериментальных структур при температуре 4,2 К. Дан анализ возможности использования кремниевого одноэлектронного транзистора в качестве сверхчувствительного зарядового/полевого сенсора для широкого круга задач.
Страницы: 37-41
Список источников

  1. Brenning H., Kafanov S., Duty T., Kubatkin S., and Delsing P. An ultrasensitive radio-frequency single-electron transistor working up to 4.2K // J. Appl. Phys. 2006. 100. 114321.
  2. Krupenin V. A., Presnov D. E., Zorin A. B. and Niemeyer J. Aluminum single electron transistors with islands isolated from a substrate // J. Low Temp. Phys. 2000. 118 (5/6). Р. 287 - 296.
  3. Аверин Д. В., Лихарев К. К. Когерентные колебания в туннельных переходах малых размеров. // ЖЭТФ. 1986. 90 (2). 733 с.
  4. Pashkin Yu. A., Nakamura Y., Tsai J. S. Room-temperature Al single-electron transistor made by electron-beam lithography // Appl. Phys. Lett. 2000. 76 (16). 2256.
  5. Golovach V. N., Jehl X., Houzet M., Pierre M., Roche B., Sanquer M. and Glazman L. I. Single-dopant resonance in a single-electron transistor // Phys. Rev. 2011. B 83. Р. 075401-(1-4).
  6. Yoo M. J., Fulton T. A., Hess H. F., Willet R. L., Dunkleberger L. N., Chichester R. J., Pfeiffer L. N., West K. W. Scanning single-electron transistor microscopy: imaging individual charges // Science. 1997. 276. 579.
  7. Suter K., Akiyama T., de Rooij N. F., Huefner M., Ihn T. and Staufer U. Integration of a Fabrication Process for an Aluminum Single-Electron Transistor and a Scanning Force Probe for Tuning-Fork-Based Probe Microscopy // Journal оf Microelectromechanical Systems. 2010. 19 (5).
  8. Крупенин В. А., Преснов Д. Е., Власенко В. С. Зарядовый шум в одноэлектронном транзисторе из высоко-допированного кремния-на-изоляторе // Радиотехника. 2008. № 1. С. 78 - 84.
  9. Преснов Д. Е., Амитонов С. В., Крупенин В. А.Полевой транзистор с каналом-нанопроводом на основе кремния на изоляторе // Микроэлектроника. 2012. 41(5). С. 364 - 367.