350 руб
Журнал «Радиотехника» №5 за 2012 г.
Статья в номере:
Влияние концентраций глубоких уровней в полуизолирующих подложках на электроперегрузки GaAs ПТШ
Ключевые слова: сверхкороткие импульсы полевые транзисторы с затвором Шоттки полуизолирующие подложки глубокие уровни
Авторы:
А.М. Бобрешов - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой, Воронежский государственный университет А.В. Иванцов - к.т.н., преподаватель, Военный авиационный инженерный университет И.С. Коровченко - к.ф.-м.н., ассистент, Воронежский государственный университет В.А. Степкин - к.ф.-м.н., ассистент, Воронежский государственный университет Г.К. Усков - к.ф.-м.н., доцент, Воронежский государственный университет
Аннотация:
Проведено моделирование воздействия электроперегрузок большой амплитуды на арсенид-галлиевые полевые транзисторы с затвором Шоттки. Показано, что изменение концентраций глубоких уровней в полуизолирующих подложках транзисторов может оказывать существенное влияние на характеристики воздействия, что подтверждается экспериментальными исследованиями.
Страницы: 99-102
Список источников
  1. Бобрешов А. М.и др. Механизмы обратимых отказов GaAs ПТШ при мощных импульсных воздействиях // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2008. Т. 11. № 3. С. 60 - 68.
  2. Бобрешов А. М.и др. Характеристики электромагнитной совместимости малошумящего усилителя на полевом транзисторе с затвором Шоттки при воздействии сверхкоротких импульсных помех // Радиоэлектроника. 2011. Т. 54. № 12. С. 41 - 46.
  3. Бобрешов А. М. и др. Структура объемного заряда в GaAs ПТШ на границе между активным слоем и подложкой, легированной хромом // Вестник Воронежского государственного университета. Сер. Физика. Математика. 2008. № 1. С. 5 - 10.
  4. Линдквист П. Ф., Форд У. М. Полуизолирующие подложки из арсенида галлия / под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. М.: Радиоисвязь. 1988. С. 7 - 36.
  5. Martin G. M. et al. Compensation mechanisms in GaAs // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. № 5. P. 2840 - 2852.
  6. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Шершакова И.Н. Полуизолирующий арсенид галлия для СВЧ-электроники // Известия вузов. Сер. Физика. 1983. № 10. С. 5 - 17.
  7. Shockley W.,Read W. Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons  // Jr. Phys. Rev. 1952. V. 87. № 5. P. 835 ? 842.
  8. Horio K. et al. Simplified simulation of GaAs MESFET-s with semi-insulating substrate compensated by deep levels // IEEE Trans. 1991. V. CAD-10. № 10. P. 1295 - 1302.
  9. Селезнев Б. И., Дмитриев В. А., Штейнгарт А. П. Исследование структур СВЧ полевых транзисторов с барьером Шотки на арсениде галлия// Вестник Новгородского государственного университета. 2001. № 19. С. 77 - 83.
  10. Bobreshov A. M. et al. Substrate Batch Effect in GaAs MESFET under Ultrashort Pulses // Electromagnetic Compatibility: 20th Int. Zurich Symposium. 12-16 Jan. 2009. Zurich, Switzerland. 2009. P. 389 - 392.