350 rub
Journal Radioengineering №5 for 2012 г.
Article in number:
Influence of deep levels concentrations of semi-insulating substrate on high-voltage overloads of GaAs MESFETs
Keywords: ultra-short pulses GaAs MESFET semi-insulating substrate deep levels
Authors:
A.M. Bobreshov, A.V. Ivantsov, I.S. Korovchenko, V.A. Stepkin, G.K. Uskov
Abstract:
The GaAs MESFETs is widely used in connection with design of GHz low-noise amplifiers. There are some problems are dialed with different types of external factors. In this paper MESFETs under high-voltage overload exposure take into account. The mechanism of high-voltage overload effects is connected with deep levels in MESFET`s semi-insulating substrate, which have an effect on active layer thickness. In fabrication method of GaAs semi-isolated substrate concentrations of deep levels can be varied in close limits. Modeling is researched in this article influence of this small concentration changes on characteristic of MESFETs under high-voltage overloads exposure. Modeling results confirm earlier experiment results.
Pages: 99-102
References
  1. Бобрешов А. М.и др. Механизмы обратимых отказов GaAs ПТШ при мощных импульсных воздействиях // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2008. Т. 11. № 3. С. 60 - 68.
  2. Бобрешов А. М.и др. Характеристики электромагнитной совместимости малошумящего усилителя на полевом транзисторе с затвором Шоттки при воздействии сверхкоротких импульсных помех // Радиоэлектроника. 2011. Т. 54. № 12. С. 41 - 46.
  3. Бобрешов А. М. и др. Структура объемного заряда в GaAs ПТШ на границе между активным слоем и подложкой, легированной хромом // Вестник Воронежского государственного университета. Сер. Физика. Математика. 2008. № 1. С. 5 - 10.
  4. Линдквист П. Ф., Форд У. М. Полуизолирующие подложки из арсенида галлия / под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. М.: Радиоисвязь. 1988. С. 7 - 36.
  5. Martin G. M. et al. Compensation mechanisms in GaAs // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. № 5. P. 2840 - 2852.
  6. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Шершакова И.Н. Полуизолирующий арсенид галлия для СВЧ-электроники // Известия вузов. Сер. Физика. 1983. № 10. С. 5 - 17.
  7. Shockley W.,Read W. Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons  // Jr. Phys. Rev. 1952. V. 87. № 5. P. 835 ? 842.
  8. Horio K. et al. Simplified simulation of GaAs MESFET-s with semi-insulating substrate compensated by deep levels // IEEE Trans. 1991. V. CAD-10. № 10. P. 1295 - 1302.
  9. Селезнев Б. И., Дмитриев В. А., Штейнгарт А. П. Исследование структур СВЧ полевых транзисторов с барьером Шотки на арсениде галлия// Вестник Новгородского государственного университета. 2001. № 19. С. 77 - 83.
  10. Bobreshov A. M. et al. Substrate Batch Effect in GaAs MESFET under Ultrashort Pulses // Electromagnetic Compatibility: 20th Int. Zurich Symposium. 12-16 Jan. 2009. Zurich, Switzerland. 2009. P. 389 - 392.