Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову semiconductor
Взаимодействие СВЧ-излучения с многослойными металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) структурами
А. А. Прилуцкий - к. т. н., зам. ген. конструктора, ОАО «НПК НИИДАР». E-mail: pril_59@mail.ru
Нелинейный электрический низкочастотный шум в полупроводниках
Б. И. Якубович - к.ф.-м.н., ст. научн. cотрудник, ПИЯФ РАН E-mail: yakubovich@pnpi.spb.ru
Лазерно индуцированная люминесценция в гетероструктурах на основе органических полупроводников и наночастиц CdSe и CdSe/ZnS
С.В. Дайнеко - мл. научный сотрудник, Институт физической химии и электрохимии РАН (Москва). Е-mail: s.daineko@gmail.com К.В. Захарченко - научный сотрудник, Московский инженерно-физический институт (государственный университет) В.И. Золотаревский - научный сотрудник, Институт физической химии и электрохимии РАН (Москва) К.Е. Мочалов - научный сотрудник, Институт биоорганической химии РАН (Москва) В.А. Олейников - научный сотрудник, Институт биоорганической химии РАН (Москва) М.Г. Тедорадзе - к.х.н., Институт физической химии и электрохимии РАН (Москва). Е-mail: vanlab@glas.apc.org А.Р. Тамеев - научный сотрудник, Институт физической химии и электрохимии РАН (Москва) А.В. Чистолинов - Московский инженерно-физический институт (государственный университет) А.А. Чистяков - д.ф.-м.н., ст. научн. сотрудник, Московский инженерно-физический институт (государственный университет). Е-mail: chistaa@mail.ru
Становление и развитие научных направлений в Институте радиофизики и электроники им. А.Я. Усикова Национальной академии наук Украины
А. А. Костенко - к. ф.-м. н., ст. научн. сотрудник, Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины В. М. Яковенко - д. ф.-м. н., академик НАН Украины, проф., директор, Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины
Становление вычислительных систем и комплексов военного назначения на заре стратегических ракетных войск
А. В. Рожнов - к. т. н. доцент кафедры защиты информации Московской финансово-юридической академии; начальник НИЛ ВА РВСН им. Петра Великого (г. Москва). E-mail: newradical@mail.ru А. Н. Губин - к. т. н., пс ВА РВСН им. Петра Великого. П. А. Михайлов - курсант ВА РВСН им. Петра Великого (г. Москва). E-mail: newradical@mail.ru П. А. Белавкин - выпускник ВА РВСН им. Петра Великого (г.Москва). E-mail: newradical@mail.ru
Сканирующая отражательная антенна с импедансным цилиндрическим рефлектором в виде слоистой структуры полупроводник-диэлектрик-металл с оптронным управлением
А.А. Прилуцкий - к.т.н., зам. ген. конструктора, ОАО «НПК «НИИДАР». E-mail: pril_59@mail.ru
Нелинейный резонанс и устойчивость излучения инжекционного полупроводникового лазера при его модуляции СВЧ-колебаниями
Ю. И. Алексеев - д. т. н., профессор кафедры кафедра Антенн и Радиопередающих Устройств, Технологический институт Южного федерального университета, г. Таганрог. E-mail: jigulina@mail.ru
Выравнивание напряжений на последовательно распределенных силовых полупроводниковых приборах в состоянии низкой проводимости
Н. Н. Беспалов - к. т. н., зав. кафедрой автоматики, Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева (г. Саранск). E-mail: bnn48@mail.ru С. С. Капитонов - аспирант, кафедра автоматики, Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева (г. Саранск). E-mail: kapss88@mail.ru
Перспективы создания СВЧ-элементов на основе полупроводниковых алмазных материалов
А.А. Алтухов - к.т.н., ст. науч. сотрудник, ООО ПТЦ «УралАлмазИнвест» А.С. Бугаев - академик, зав. лабораторией, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Ю.В. Гуляев - академик, директор, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН К.Н. Зяблюк - к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, ООО ПТЦ «УралАлмазИнвест» А.Ю. Митягин - д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, профессор, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Г.В. Чучева - д.ф.-м.н., ученый секретарь, ФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН
Электрический низкочастотный шум в полупроводниках
Б.И. Якубович - к. ф.-м. н., ст. науч. сотрудник, ПИЯФ РАН (г. Гатчина, Ленинградская обл.). Е-mail: yakubovich@pnpi.spb.ru
Процессы диффузии низкомолекулярных компонентов в планарных наноструктурах на основе фталоцианинов
Л. А. КОНДРАЧЕНКО - д.х.н., профессор, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (г. Нижний Новгород) Е. С. ЛЕОНОВ - к.х.н., зав. лабораторией, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (г. Нижний Новгород) П. А. ЛУЧНИКОВ - зав. лабораторией, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). E-mail: fisika@mail.ru Л. Г. ПАХОМОВ - д.х.н., профессор, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (г. Нижний Новгород) В. В. ТРАВКИН - мл. науч. сотрудник, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (г. Нижний Новгород)
НАНОЧАСТИЦЫ АСФАЛЬТЕНОВ КАК АМОРФНЫЕ ОРГАНИЧЕСКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
С.А. Шуткова - ст. преподаватель, кафедра физики, Уфимская государственная академия экономики и сервиса (УГАЭС) E-mail: Svetlana-Shutkova@yandex.ru М.Ю. Доломатов - д.х.н., профессор, кафедра физики, УГАЭС E-mail: dolomatov@gmail.com С.В. Дезорцев - к.т.н., мл.науч. сотрудник, кафедра физики, УГАЭС E-mail: jazz-n-blues@rambler.ru, dezortsev@rambler.ru
Система управления наномеханическими устройствами в вакуумной камере ионного сканирующего микроскопа при помощи лазерного нагрева
П. В. Лега - стажер-исследователь, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН E-mail: lega_peter@list.ru
Физические процессы в барьерных структурах на основе неупорядоченных и наноструктурированных полупроводников
С.П. Вихров - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой биомедицинской и полупроводниковой электроники, Рязанский ГРТУ. E-mail: me@rsreu.ru Н.В. Бодягин - д.ф.-м.н., профессор, кафедра биомедицинской и полупроводниковой электроники, Рязанский ГРТУ. E-mail: me@rsreu.ru Н.В. Вишняков - к.т.н., доцент, кафедра биомедицинской и полупроводниковой электроники, руководитель Регионального центра зондовой микроскопии, Рязанский ГРТУ. E-mail: rcpm-rgrtu@yandex.ru В.Г. Мишустин - к.ф.-м.н., доцент, кафедра биомедицинской и полупроводниковой электроники, начальник управления организацией научных исследований, Рязанский ГРТУ. E-mail: me@rsreu.ru
Процессы диффузии низкомолекулярных компонентов в планарных наноструктурах на основе фталоцианинов
Л.А. Кондраченко - д.х.н., профессор, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (г. Нижний Новгород) Е.С. Леонов - к.х.н., зав. лабораторией, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (г. Нижний Новгород) П.А. Лучников - зав. лабораторией, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). E-mail: fisika@mail.ru Л.Г. Пахомов - д.х.н., профессор, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (г. Нижний Новгород) В.В. Травкин - мл. науч. сотрудник, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (г. Нижний Новгород)
Реверсивный тепловой затвор
А. А. Балагур - к. ф.-м. н., доцент, кафедра «Радиоприборы», Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) (МИРЭА). E-mail: balagur@mirea.ru, balagur@proc.ru
Система управления наномеханическими устройствами в вакуумной камере ионного сканирующего микроскопа при помощи лазерного нагрева
П.В. Лега - стажер-исследователь, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: lega_peter@list.ru
Асфальто-смолистые вещества и продукты на их основе как возможные материалы для наноэлектроники
М.Ю. Доломатов - д.х.н., профессор, кафедра «Физика» УГАЭС. E-mail: dolomatov@gmail.co С.В. Дезорцев - к.т.н., мл. науч. сотрудник, кафедра «Физика», УГАЭС. E-mail: jazz-n-blues@rambler.ru, dezortsev@rambler.ru С.А. Шуткова - аспирант, кафедра «Физика», УГАЭС. E-mail: Svetlana-Shutkova@yandex.ru Д.О. Шуляковская - аспирант, кафедра «Физика», УГАЭС. E-mail: shibaeva@bk.ru
Механизмы ограничения токопрохождения в мелкокристаллических слоях nCdTe:In до развития токовой неустойчивости
В.В. Сорочан - к.ф.-м.н., Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: vsorochan@mail.ru, vitsorochan@yandex.ru
Электрические флуктуации и дефекты структуры в полупроводниках
Б.И. Якубович - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ПИЯФ РАН (Санкт-Петербург). Е-mail: yakubovich@pnpi.spb.ru
Реализация хаотических режимов колебаний при СВЧ-модуляции полупроводниковых лазеров
М.В. Орда-Жигулина - доцент, кафедра «Антенны и радиопередающие устройства», Технологический институт Южного федерального университета (г. Таганрог, Ростовск. обл.). E-mail: jigulina@mail.ru Ю.И. Алексеев - д.т.н., профессор, кафедра «Антенны и радиопередающие устройства», Технологический институт Южного федерального университета (г. Таганрог, Ростовск. обл.)
Изготовление узлов электронных приборов на основе неметаллических материалов методом электрического взрыва проводников
В.Г. Конюшков - к.т.н., доцент, Саратовский государственный технический университет им. Ю.А. Гагарина. E-mail: ems@sstu.ru
Формирование математических моделей полупроводниковых приборов для анализа робастности электронных схем
А.В. Бондарев - зав. кафедрой электроснабжения промышленных предприятий, Кумертауский филиал Оренбургского государственного университета
Модель зонной структуры в одноплоскостной полупроводниковой пленке
И.М. Демешин, Е.Б. Осипов, Н.А. Осипова
Управление хаотической генерацией инжекционного полупроводникового лазера при внешнем воздействии АМ-оптическим излучением
Ле Тхай Шон - аспирант, кафедра «Антенны и радиопередающие устройства» (АиРПУ), Инженерно-технологическая академия (ТРТИ), Южный федеральный университет (г. Таганрог). E-mail: lethaison1110@gmail.com Ю.И. Алексеев - д.т.н., профессор, кафедра «Антенны и радиопередающие устройства» (АиРПУ), Инженерно-технологическая академия (ТРТИ), Южный федеральный университет (г. Таганрог)
Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия
В.А. Буробин - к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru, openline@gz-pulsar.ru
Особенности технологии выращивания эпитаксиальных структур для производства pin-диодов СВЧ- и ВЧ-диапазонов в ОАО «Оптрон» и перспективы ее развития
О.Р. Абдуллаев - к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон». E-mail: abd@optron.ru Т.П. Колмакова - к.т.н., начальник цеха, ОАО «Оптрон» М.В. Меженный - заместитель начальника цеха, ОАО «Оптрон» М.Ю. Филатов - к.т.н., зам. директора СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru
Разработка технологии производства СВЧ-транзисторов на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия в ОАО «ГЗ «Пульсар»
В.А. Буробин - к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru, openline@gz-pulsar.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор по инновационному развитию, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.М. Коновалов - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: kb-it@mail.ru А.А. Макаров - инженер-технолог, ОАО «ГЗ «Пульсар». e-mail: makarov.pulsar@gmail.com М.В. Пашков - инженер-технолог, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: michaelpashkov@yandex.ru Р.И. Тычкин - зам. гл. инженера, ОАО «ГЗ «Пульсар»
Перспективы использования кубического нитрида бора при создании электронных приборов
О.Р. Абдуллаев - к.т.н., директор по науке и производству; ОАО «Оптрон». E-mail: abd@optron.ru А.С. Якунин - директор Департамента pадиоэлектронной промышленности, Министерство промышленности и торговли РФ
Формирование математических моделей полупроводниковых приборов для анализа робастности электронных схем
А.В. Бондарев - к.т.н., зав. кафедрой электроснабжения промышленных предприятий, Кумертауский филиал Оренбургского государственного университета
Элементы ВОЛС с частотным уплотнением каналов на СВЧ-несущей
Г.В. Куликов - д.т.н., профессор, декан факультета радиотехнических и телекоммуникационных систем, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА) М.А. Карпов - к.т.н., доцент, кафедра телекоммуникационных систем, МГТУ МИРЭА В.Ш. Берикашвили - д.т.н., профессор, кафедра ИСиТ, МГОУ Е.В. Егорова - к.т.н., доцент, кафедра телекоммуникационных систем, МГТУ МИРЭА. Е-mail: calipso@dubki.ru А.В. Панков - аспирант, кафедра телекоммуникационных систем, МГТУ МИРЭА А.Ю. Матвеев - аспирант, кафедра телекоммуникационных систем, МГТУ МИРЭА
Сопоставление импедансных свойств инжекционного лазера, определяемых квантово-механическим и радиотехническим методами
Ю. И. Алексеев - д.т.н., профессор, кафедра антенн и радиопередающих устройств, Технологический институт Южного федерального университета, г. Таганрог М. В. Орда-Жигулина - к. т. н., доцент, кафедра антенн и радиопередающих устройств, Технологический институт Южного федерального университета, г. Таганрог. E-mail: jigulina@mail.ru
Перспективы развития отечественной электроники
С.С. Стрельченко - д.т.н., профессор, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: stas40@kaluga.ru
Перспективы развития отечественной электроники
С.С. Стрельченко - д.т.н., профессор, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: stas40@kaluga.ru
Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью
В.А. Буробин - к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.М. Коновалов - начальник СКБ ШЗП, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: kb-it@mail.ru А.А. Макаров - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru А.А. Щука - д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет). E-mail: shchuka@mail.mipt.ru
Стабилизация режима синхронизации инжекционного полупроводникового лазера с внешним инжектируемым излучением
Ле Тхай Шон - аспирант, кафедра «Антенны и радиопередающие устройства» (АиРПУ), Технологический институт Южного федерального университета Ю.И. Алексеев - д.т.н, профессор, кафедра «Антенны и радиопередающие устройства», Технологический институт Южного федерального университета
Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью
В.А. Буробин - к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.М. Коновалов - начальник СКБ ШЗП, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: kb-it@mail.ru А.А. Макаров - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru А.А. Щука - д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет). E-mail: shchuka@mail.mipt.ru
Моделирование влияния электрофизических параметров слоев сульфида и теллурида кадмия на выходные характеристики солнечных элементов nCdS-pCdTe
В.В. Сорочан - к.ф.-м.н., Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: vsorochan@mail.ru Аунг Пьо - аспирант, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
Моделирование динамических характеристик наноструктурных устройств радиофотоники с помощью электронной САПР AWRDE
М.Е. Белкин - д.т.н., профессор, Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: belkin@mirea.ru В.В. Головин - к.т.н., доцент, Севастопольский государственный университет Ю.Н. Тыщук - ст. преподаватель, Севастопольский государственный университет
Применение полупроводниковых оптических усилителей в системах «Radio-over-Fiber» телекоммуникационных сетей
В.А. Андреев - д.т.н., профессор, ректор, Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики (г. Самара). E-mail: andreev@psati.ru А.В. Бурдин - д.т.н., профессор, помощник ректора, Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики (г. Самара). E-mail: bourdine@psati.ru В.А. Бурдин - д.т.н., профессор, проректор, Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики (г. Самара). E-mail: burdin@psati.ru М.И. Нарышкин - соискатель, кафедра технологий и инноваций специальной связи, Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики (г. Самара). E-mail: nmi@rambler.ru
Особенности процессов эпитаксиального роста наногетероструктур InAlN/InGaN для СВЧ-транзисторов коммуникационных систем
А.А. Арендаренко - ст. науч. сотрудник, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: arendarenko.pulsar@mail.ru В.Н. Данилин - ст. науч. сотрудник, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: danilin.pulsar@mail.ru А.А. Макаров - вед. специалист, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru Р.И. Тычкин - начальник НИЦИТ, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: kb-it@mail.ru
Применение псевдосплавов состава вольфрам-медь для отвода тепла в корпусах силовых полупроводниковых приборов
М.В. Инюхин - инженер-технолог, ООО «Эколюм-Восход» (г. Калуга) E-mail: michael1@kaluga.ru А.П. Коржавый - Засл. деятель науки РФ, д.т.н., профессор, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: fn2kf@list.ru
Влияние дислокаций на параметрические свойства полупроводниковых приборов
И.Р. Бережанский - студент, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: berezhanskiy.ivan@mail.ru С.А. Адарчин - к.т.н., доцент, зам. зав. кафедрой «Материаловедение», Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: adarchin@rambler.ru В.Г. Косушкин - д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Материаловедение», Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: kosushkin@gmail.com
Моделирование прозрачности низкоразмерного канала с квантовым ограничением в полупроводниковых приборах на 2D-структурах с поперечным токопереносом

Н.А. Ветрова¹, А.А. Филяев², В.Д. Шашурин³

1, 2, 3 Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия),     1 vetrova@bmstu.ru; 2 alex.filyaev.98@gmail.com; 3 schashurin@bmstu.ru

Исследование локализованных состояний в барьерных структурах элементов электроники на основе аморфного гидрированного кремния

С.П. Вихров – д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Микро- и наноэлектроника»,  Рязанский государственный радиотехнический университет

E-mail: vikhrovsergey@mail.ru

Н.В. Вишняков – к.т.н., доцент, кафедра «Микро- и наноэлектроника»,  Рязанский государственный радиотехнический университет

E-mail: rcpm-rgrtu@yandex.ru

В.В. Гудзев – к.ф.-м.н., доцент, кафедра «Микро- и наноэлектроника», 

Рязанский государственный радиотехнический университет

E-mail: valerygudzev@yandex.ru

В.Г. Литвинов – к.ф.-м.н., доцент, кафедра «Микро- и наноэлектроника», 

Рязанский государственный радиотехнический университет

E-mail: vglit@yandex.ru

В.Г. Мишустин – к.ф.-м.н., доцент, кафедра «Микро- и наноэлектроника»,  Рязанский государственный радиотехнический университет

E-mail: vgmish@yandex.ru

Информационная технология построения многомасштабных моделей в задачах вычислительного материаловедения

К.К. Абгарян – к.ф.-м.н., зав. отделом, ФИЦ «Информатика и управление» РАН (Москва);  зав. кафедрой, Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет) E-mail: kristal83@mail.ru

Персептронная сеть прогнозирования электрических характеристик резонансно-туннельного диода

Н.А. Ветрова1, К.П. Пчелинцев2, В.Д. Шашурин3  

1–3 Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)

Вероятностные характеристики уровней электромагнитного поражения полупроводниковых приборов и радиоэлектронных средств

А.А. Волков – к.т.н., преподаватель, ВУНЦ ВВС «Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского  и Ю.А. Гагарина» (г. Воронеж)

E-mail: volkov_aa@autorambler.ru.

Приемник терагерцевого излучения на основе пленки VOx

А.С. Олейник – д.т.н., профессор, кафедра «Электронные приборы и устройства»,  Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.

М.А. Медведев – студент, кафедра «Электронные приборы и устройства»,  Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.

E-mail: medmixal@yahoo.com

Я.В. Туркин – аспирант, кафедра «Электронные приборы и устройства»,  Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А. E-mail: turkin.yaroslav@gmail.com

Техническое диагностирование радиоэлектронных устройств с применением вращающегося магнитного поля

С.Д. Синицкий – к.т.н., доцент, ст. науч. сотрудник,  научно-исследовательский центр, Краснодарское высшее военное училище имени генерала армии С.М. Штеменко E-mail: s.sinickii@mail.ru

Ю.И. Стрелков – к.т.н., профессор, ст. науч. сотрудник,  научно-исследовательский центр, Краснодарское высшее военное училище имени генерала армии С.М. Штеменко

E-mail: yistrel@mail.ru

Д.А. Кучерук – аспирант, начальник управления,  научно-исследовательский центр, Краснодарское высшее военное училище имени генерала армии С.М. Штеменко E-mail: kda_dissert@mail.ru

Е.С. Иванов – ассистент, оператор научной роты, 

Краснодарское высшее военное училище имени генерала армии С.М. Штеменко E-mail: adeven@list.ru

Влияние локализованных состояний на эффективную высоту потенциального барьера «металл – аморфный гидрогенизированный кремний»

Н.В. Вишняков – к.т.н., доцент,  кафедра «Микро- и наноэлектроника», Рязанский государственный радиотехнический университет им. В.Ф. Уткина E-mail: rcpm-rgrtu@yandex.ru; rcpm@rsreu.ru

Моделирование технологического процесса формирования быстродействующих диодов

В.В. Андреев – д.т.н., профессор, кафедра «Конструирование и производство электронной аппаратуры», Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: vladimir_andreev@bmstu.ru

С.В. Рыжов – магистр, кафедра «Конструирование и производство электронной аппаратуры», Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: sergey.righov@gmail.com

А.В. Романов – аспирант, кафедра «Конструирование и производство электронной аппаратуры», Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: romanov@okbmel.ru

Особенности электрического низкочастотного шума в полупроводниках

Б.И. Якубович – к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Национального исследовательского центра «Курчатовский институт» E-mail: yakubovich_bi@pnpi.nrcki.ru

Генерационно-рекомбинационный шум в узкозонных полупроводниках

Б.И. Якубович1

1 Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова (г. Гатчина, Россия)

Электрические флуктуации в полупроводниках, вызванные ловушками

Б.И. Якубович1

1 Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова (Ленинградская обл., г. Гатчина, Россия)

Осцилляционный механизм и фотонная болометрия микроволнового излучения в нанокристаллах антимонида индия для применения в медицине

Н.Д. Жуков1

1 ООО «НПП Волга» (г. Саратов, Россия)
1ndzhukov@rambler.ru