350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №11 за 2011 г.
Статья в номере:
Электрический низкочастотный шум в полупроводниках
Авторы:
Б.И. Якубович - к. ф.-м. н., ст. науч. сотрудник, ПИЯФ РАН (г. Гатчина, Ленинградская обл.). Е-mail: yakubovich@pnpi.spb.ru
Аннотация:
Проанализирован в весьма общем виде электрический низкочастотный шум в полупроводниках, вызванный захватом и эмиссией носителей заряда ловушками; получено выражение, связывающее спектральную плотность шума с характеристиками полупроводников и статистическими свойствами процессов на ловушках; сделан вывод, что результаты могут быть применены в физике и технике полупроводников.
Страницы: 12-16
Список источников
  1. Kirton M.J., Uren M.J. Noise in solid-state microstructures: A new perspective on individual defects, interface states and low-frequency (1/f) noise // J. Adv. Phys. 1989. V. 38. № 4. P. 367-468.
  2. Jones B. K. Electrical noise as a measure of quality and reliability in electronic devices // Adv. Electron. Electron. Phys. 1993. V. 87. P. 201-257.
  3. Якубович Б. И. Электрические флуктуации в неметаллах. СПб.: Энергоатомиздат. 1999.
  4. Якубович Б. И. О спектре случайного телеграфного сигнала // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. № 24. С. 10-14.
  5. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука. 1990.
  6. Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. М.: Мир. 1984.
  7. Vandamme L. K. J., Hooge F.N. On the additivity of generation-recombination spectra // Physica B. 2005. V. 357. № 3. P. 507-524.
  8. Watanabe S. Multi-lorentzian model and 1/f spectra // J. Kor. Phys. Soc. 2005. V. 46. № 3. P. 646-650.
  9. Hooge F. N. 1/f noise is no surface effect // Phys. Lett. A. 1969. V. 29. № 3. P. 139-140.
  10. Kogan Sh. Electronic noise and fluctuations in solids. Cambridge: Cambr. Univ. Press. 1996.