И.М. Демешин, Е.Б. Осипов, Н.А. Осипова

Получено выражение для расчета энергии зонной структуры в одноплоскостной полупроводниковой пленке. Показано, что в однослойной структуре потенциальная энергия сохраняет дальний порядок в плоскости пленки хОу и имеет локализованный характер в направлении перпендикулярном плоскости пленки Oz. Выявлено, что это поле не расщепляет уровни энергии в зоне проводимости и приводит к расщеплению уровней тяжелых и легких дырок валентной зоне. Установлено, что различие потенциальной энергии по осям оказывает влияние на спин - орбитальное взаимодействие, это отличие отражается в коэффициенте γ.