350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №11 за 2013 г.
Статья в номере:
Особенности технологии выращивания эпитаксиальных структур для производства pin-диодов СВЧ- и ВЧ-диапазонов в ОАО «Оптрон» и перспективы ее развития
Ключевые слова: эпитаксия pin-диод кремний СВЧ-прибор полупроводниковые структуры
Авторы:
О.Р. Абдуллаев - к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон». E-mail: abd@optron.ru Т.П. Колмакова - к.т.н., начальник цеха, ОАО «Оптрон» М.В. Меженный - заместитель начальника цеха, ОАО «Оптрон» М.Ю. Филатов - к.т.н., зам. директора СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru
Аннотация:
Приведена базовая технология эпитаксии для производства pin-диодов СВЧ- и КВ-диапазона длин волн в ОАО «Оптрон». Проанализированы особенности получения и узкие места существующей технологии выращивания эпитаксиальных структур. Показана уникальность применяемых эпитаксиальных процессов, которая в сочетании с другими технологическими приемами позволяет выпускать pin-диоды СВЧ- и КВ-диапазонов длин волн с характеристиками на уровне лучших зарубежных аналогов. Указаны направления дальнейшего развития производства СВЧ-приборов.
Страницы: 22-29
Список источников

 

  1. Whitman L.J., Joyce S.A., Yarmoff J.A., McFcely F.R. Terminello L.J. The chemosorphous of SiCl4, Si2Cl6 and chlorine on Si (111) 7×7 // Semicond. Sci. Technol. 1989. V. 4. P. 1056-1057.
  2. Stephen C.S. Low-temperature Silicon Processing Techniques fos VISIC- Fabrication // Solid State Technol. 1981. № 3. P. 72-82.
  3. Lyer S.S., Arienzo M., de Fresant E. Low-temperature Silicon Cleaning via Hydrogen passivation and conditions for Epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 9. P. 893-895.
  4. Burns G.P. Low-temperature native oxide removal from Silicon using nitrogen trifluoride prior low-temperature Epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. № 10. P. 1423-1425.
  5. Орион Б.В., Скворцов И.М. Вопросы низкотемпературного выращивания эпитаксиальных слоев кремния // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок: Ч. 1. Новосибирск: Наука. 1975. С. 132-138.
  6. Райнова Ю.П., Чистяков Ю.Д. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия. 1979. 408 c.
  7. Акуленок М.В.Эпитаксиальные процессы в технологии микроэлектроники. М.: МИЭТ. 1993. 84 c.
  8. Процессы реального кристаллообразования / Под ред. Н. В. Белова. М.: Наука. 1977. 235 c.
  9. Флоренцев С.Н. Силовая электроника начала тысячелетия // Электротехника. 2003. № 6. С. 3-9.