Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову эпитаксия
Термодинамика легирования (Al)GaAs в мос-гидридной эпитаксии с использованием CCl4
Созыкин A.C. - инженер-технолог, ОАО «Восход»-КРЛЗ. E-mail: sozykin_anton@mail.ru Стрельченко С.С. - д. т. н., проф., Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана Головатый Ю.П. - ст. преподаватель, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана Ладугин М.А. - инженер, к. т. н., ООО «Сигм Плюс» Мармалюк А.А. - д. т. н., зам. директора, ООО «Сигм Плюс»
Об образовании макроскопических выступов на поверхности призматических нитевидных кристаллов кремния
Небольсин В.А. - д.т.н., Воронежский государственный технический университет. E-mail: vcm@vmail.ru Дунаев А.И. - к.ф.-м.н., Воронежский государственный технический университет. E-mail: hidden_111@mail.ru Долгачев А.А. - к.ф.-м.н., Воронежский государственный технический университет. E-mail: dekan@fddo.vorstu.ru Завалишин М.А. - Воронежский государственный технический университет. E-mail: hidden_111@mail.ru
Особенности технологии выращивания эпитаксиальных структур для производства pin-диодов СВЧ- и ВЧ-диапазонов в ОАО «Оптрон» и перспективы ее развития
О.Р. Абдуллаев - к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон». E-mail: abd@optron.ru Т.П. Колмакова - к.т.н., начальник цеха, ОАО «Оптрон» М.В. Меженный - заместитель начальника цеха, ОАО «Оптрон» М.Ю. Филатов - к.т.н., зам. директора СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru
Перспективы развития отечественной электроники
С.С. Стрельченко - д.т.н., профессор, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: stas40@kaluga.ru
Перспективная технология получения высоковольтных p-i-n-структур GaAs-AlGaAs для силовой электроники
В.Л. Крюков - к.т.н., зам. директора по науке, ООО «МеГа Эпитех» (г. Калуга). E-mail: vitk3@mail.ru Е.В. Крюков - инженер-технолог, ООО «МеГа Эпитех» (г. Калуга) Л.А. Меерович - Генеральный директор ЗАО «ЭЛМАТ» (г. Калуга). E-mail: lameerovich@gmail.com С.С. Стрельченко - инженер-технолог, ООО «МеГа Эпитех» (г. Калуга) С.С. Стрельченко - д.т.н., профессор, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: stas40@kaluga.ru К.А. Титивкин - инженер-технолог, ООО «МеГа Эпитех» (г. Калуга)
Перспективы развития отечественной электроники
С.С. Стрельченко - д.т.н., профессор, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: stas40@kaluga.ru
Перспективная технология получения высоковольтных p-i-n-структур GaAs-AlGaAs для силовой электроники
В.Л. Крюков - к.т.н., зам. директора по науке, ООО «МеГа Эпитех» (г. Калуга). E-mail: vitk3@mail.ru Е.В. Крюков - инженер-технолог, ООО «МеГа Эпитех» (г. Калуга) Л.А. Меерович - Генеральный директор ЗАО «ЭЛМАТ» (г. Калуга). E-mail: lameerovich@gmail.com С.С. Стрельченко - инженер-технолог, ООО «МеГа Эпитех» (г. Калуга) С.С. Стрельченко - д.т.н., профессор, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: stas40@kaluga.ru К.А. Титивкин - инженер-технолог, ООО «МеГа Эпитех» (г. Калуга)
Особенности технологии InGaAsP/InP наногетероструктур для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 нм
А.Е. Маричев - аспирант, кафедра оптоэлектроники, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»; ст. лаборант, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: segregate1@yandex.ru Р.В. Левин - науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: lev13@yandex.ru А.Б. Гордеева - к.ф-м.н., науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: anastasiya.gordeeva@mail.ioffe.ru Г.С. Гагис - к.ф-м.н., науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: galina.gagis@gmail.com В.И. Кучинский - зав. кафедрой оптоэлектроники, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»; д.ф.-м.н, профессор, гл. науч. сотруд-ник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: HHvladimir@kuch.ioffe.ruHH Н.Д. Прасолов - аспирант, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информаци-онных технологий, механики и оптики (ИТМО); инженер, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: nikpras@bk.ru Н.М. Шмидт -преподаватель, кафедра оптоэлектроники, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»; д.ф.-м.н, профессор, гл. науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: HHnatalia.shmidt@mail.ioffe.ru
Свойства наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n(p)-Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Te (x = 0,21-0,23) с приповерхностными варизонными слоями и без таких слоев
А.В. Войцеховский - д.ф.-м.н., зав. кафедрой, Национальный исследовательский Томский государственный университет E-mail: vav43@mail.tsu.ru Н.А. Кульчицкий - д.т.н., профессор, Московский технологический университет (МИРЭА), Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова E-mail: n.kulchitsky@gmail.com С.Н. Несмелов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Национальный исследовательский Томский государственный университет E-mail: nesm69@mail.ru С.М. Дзядух - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Национальный исследовательский Томский государственный университет E-mail: bonespirit@sibmail.com
Получение тонких пленок графита на диэлектрической подложке методом гетероэпитаксиального синтеза

И.А. Сорокин1, Д.В. Колодко2, Е.Г. Шустин3, В.А. Лузанов4

1−4 ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Россия)

Получение тонких пленок графита на диэлектрической подложке методом гетероэпитаксиального синтеза*

И.А. Сорокин1, Д.В. Колодко2, Е.Г. Шустин3, В.А. Лузанов4

1-4 ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Россия)