350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №2 за 2014 г.
Статья в номере:
Перспективы развития отечественной электроники
Ключевые слова: электроника полупроводниковые соединения A3B5 оптоэлектроника металлоорганическая газофазная эпитаксия электронные приборы
Авторы:
С.С. Стрельченко - д.т.н., профессор, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: stas40@kaluga.ru
Аннотация:
Рассмотрены современные достижения и прогнозируемый уровень в создании большого класса микроэлектронных, оптических, квантовых и наноэлектромеханических приборов на основе нитридных соединений группы A3B5. Показаны возможные пути развития этого направления электроники в России.
Страницы: 4-9
Список источников

  1. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетеро-структур // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. № 1. С. 3-18.
  2. Кремер Г. Критический обзор тории гетеропереходов // Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: Пер. с англ. М.: Мир. 1989.
  3. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники: Учеб. пособие. Изд. 2-е, испр. и доп. Новосибирск: Изд-воНГТУ. 2004.
  4. Manasevit H.M., Erdman F.M., Simpson W.I. The use of metalorganics in preparation of semiconductor materials // J. Electrochem. Soc. 1971. V. 118. № 11. P. 1864-1868.
  5. Макаров С.И., Журавлева Л.М., Матяш А.А., Стрельченко С.С. Термодинамический анализ и экспериментальные исследования процесса синтеза нитрида галлия в системе Ga-HCl-NH3-H2// Электронная техника. Сер. Материалы. 1976. Вып. 7. С. 37-43.
  6. Стрельченко С.С., Матяш А.А. Кинетика осаждения эпитаксиальных слоев AIIIBV из газовой фазы // Обзоры по элетронной технике. Сер. 6. Материалы. Вып. 8(678). М.: Изд-воЦНИИ «Электроника». 1979.
  7. Stringfellow G.B. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice. ACADEMIC PRESS. 2-nd ed. 1999. P. 572.
  8. Nakamura S., Senoh M., Mukai T. High-power InGaN/GaN double-heterostructure blue-light-emitting diodes // Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 1993. V. 32. P.2390.
  9. Worldwide LED component market grows 9 %. // Solid State Technology. March 2013. P. 11.
  10. Energy policy act of  2005 // http://www.gpo.gov/fdsys/pkg/PLAW-109publ58/pdf/PLAW-109publ58.pdf.
  11. Ming Ma,Jaehee Cho,E. Fred Schubert,Yongjo Park,Gi Bum Kim, Cheolsoo Sone. Strong light-extraction enhancement in GaInN light-emitting diodes patterned with TiO micro-pillars with tapered sidewalls // APPLIED PHYSICS LETTERS. V.2012. 101.
  12. Shunfeng Li, Andreas Waag. GaN based nanorods for solid state lighting // J. Appl. Phys. 2012. V. 111.
  13. German efforts advance semi-polar materials // Compound semiconductors. 2013. V. 19. № 2. P. 44-49.
  14. Hiroto Sekiguchi1, Yasufumi Takagi, Tatsuki Otani1 et el.Red-Light-Emitting Diodes with Site-Selective Eu-Doped GaN Active Layer // Jpn.J.Appl.Phys. 2013. V. 52.
  15. Rüdiger Quay. Gallium Nitride Electronics. Springer-Verlag Berlin Heidelberg. 2008. P. 470.
  16. Semiconductor device-based sensors for Gas, Chemical, and Bio Applications / Ed. Fan Ren&Stephen J. Pearton. CRC Press. 2011. P.318.
  17. Comprehensive Microsystems. Elsevier. 2008. P.1932.
  18. Research and Markets: III-Nitrides 2012-2013 Patent Landscape. http://finance.yahoo.com/news/research-markets-iii-nitrides-2012-125300968.html.