350 руб
Журнал «Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век» №2 за 2014 г.
Статья в номере:
Перспективная технология получения высоковольтных p-i-n-структур GaAs-AlGaAs для силовой электроники
Ключевые слова: силовая электроника жидкофазная эпитаксия p-i-n-диод соединения A<sup>3</sup>B<sup>5</sup>
Авторы:
В.Л. Крюков - к.т.н., зам. директора по науке, ООО «МеГа Эпитех» (г. Калуга). E-mail: vitk3@mail.ru Е.В. Крюков - инженер-технолог, ООО «МеГа Эпитех» (г. Калуга) Л.А. Меерович - Генеральный директор ЗАО «ЭЛМАТ» (г. Калуга). E-mail: lameerovich@gmail.com С.С. Стрельченко - инженер-технолог, ООО «МеГа Эпитех» (г. Калуга) С.С. Стрельченко - д.т.н., профессор, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: stas40@kaluga.ru К.А. Титивкин - инженер-технолог, ООО «МеГа Эпитех» (г. Калуга)
Аннотация:
Рассмотрена оригинальная технология выращивания высокоомных p-i-n-структур на основе системы GaAs-AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии, которая позволяет получать силовые диоды, существенно превосходящие по совокупности основных параметров лучшие кремниевые аналоги. Показано, что особенностью технологии является возможность эффективного управления ключевыми параметрами p-i-n-структуры (обратное напряжение, быстродействие, «мягкость» процесса обратного восстановления, температурная зависимость ВАХ) заданием требуемых технологических режимов.
Страницы: 32-36
Список источников

  1. Войтович В.Е., Гордеев А.И., Думаневич А.Н. // Силовая электроника. 2010. № 5. С. 4-10.
  2. Войтович В.Е., Гордеев А.И., Думаневич А.Н. // Силовая электроника. 2010. № 2. C.16 - 19.
  3. Полянский И.// Силовая электроника. 2005. № 2. C.6 - 7.
  4. Адферов Ж.И., Корольков В.Г., Никитин В.Г., Степанова М.Н., Третьяков Д.Н. // Письма ЖТФ. 1976. Т. 2. Вып. 2. С. 201 - 205.
  5. VoitovichV., Rang T., Rang G. // Estonian Lournal of Engineering. 2010. V. 16. № 1. P. 11 - 22.
  6. КрюковЕ.В., КрюковВ.Л., МееровичЛ.А., СтрельченкоС.С., ТитивкинК.А. // ПатентРФ 2488911 от 19.03.2012. Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкостной эпитаксии.
  7. Ильинский А.Б., Куценко А.Б., Мельников М.Б. // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28. Вып. 1. С. 150 - 160.