350 руб
Журнал «Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век» №3 за 2016 г.
Статья в номере:
Особенности технологии InGaAsP/InP наногетероструктур для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 нм
Ключевые слова: полупроводниковые преобразователи лазерное излучение твердые растворы газофазная эпитаксия
Авторы:
А.Е. Маричев - аспирант, кафедра оптоэлектроники, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»; ст. лаборант, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: segregate1@yandex.ru Р.В. Левин - науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: lev13@yandex.ru А.Б. Гордеева - к.ф-м.н., науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: anastasiya.gordeeva@mail.ioffe.ru Г.С. Гагис - к.ф-м.н., науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: galina.gagis@gmail.com В.И. Кучинский - зав. кафедрой оптоэлектроники, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»; д.ф.-м.н, профессор, гл. науч. сотруд-ник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: HHvladimir@kuch.ioffe.ruHH Н.Д. Прасолов - аспирант, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информаци-онных технологий, механики и оптики (ИТМО); инженер, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: nikpras@bk.ru Н.М. Шмидт -преподаватель, кафедра оптоэлектроники, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»; д.ф.-м.н, профессор, гл. науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: HHnatalia.shmidt@mail.ioffe.ru
Аннотация:
Рассмотрены особенности технологии InGaAsP/InP наногетероструктур для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 нм, выращенных в области спинодального распада. Проведены исследования оптических и структурных свойств InGaAsP слоев толщиной от 501000 нм, позволившие разработать технологию InGaAsP/InP наногетероструктур, обеспечивающих эффективность преобразования 50%.
Страницы: 27-31
Список источников

 

  1. Крохин О.Н. Передача электрической энергии посредством лазерного излучения // УФН. 2006. Т. 176. №4. С. 441-444.
  2. Hecht J. Laser-powered helicopter hovers for hours // New Scientist. 2010. V. 207. № 25. Р. 2777-2781.
  3. Philips J. Bonds and Bands in Semiconductors. New York: Academic Press. 1973. 94 р.
  4. Mori M., Kagawa H., Saito Y. Current Status of Study on Hydrogen Production with Space Solar Power Systems // (SSPS) Proc. Conf. «Solar Power from Space-04» Granada, Spain. 2004. SSPS. 567. p. 3.
  5. Stringfellow Y. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice. Boston: Academic Press. 1989. 94 р.
  6. Schlenker D., Miyamoto T., Chen Z., Kawaguchi M., Kondo T. Inclusion of Strain in Miscibility Gap Calculation for III-V Semiconductors // Japanese Journal of Applied Physics. 2000. № 39. P. 5751-5757.
  7. Onabe K. Calculation of Miscibility Gap in Quaternary InGaPAs with Stringtly Regular Solution Approximation // Japanese Journal of Applied Physics. 1982. V. 21. № 5. P. 797-798.
  8. Asomoza R., Elyukhin V., Pena-Sierra R. Spinodal decomposition in the AIIIxB III1-xCV y DV1-y quaternary alloys // Journal of Crystal Growth. 2001. № 222. P. 58-63.
  9. Marichev A.E., Pushnyi B.V. and Levin R.V. Investigation of spinodal decomposition of InGaAsP solid solutions grown by the MOCVD technique // Journal of Physics: Conference Series 690. 2016. P. 012010.
  10. Левин Р.В., Маричев А.Е., Шварц М.З., Марухина Е.П., Хвостиков В.П., Пушный Б.В., Мизеров М.Н., Андреев В.М. Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур. // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 5. С. 715-719.
  11. Гегузин Я.Е. Диффузионная зона. М.: Наука. 1979. 343 с.