Издательство РАДИОТЕХНИКА

Б.М. Гарин - к.ф.-м.н., ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: bormigar@yandex.ru И.П. Никитин - к.ф.-м.н., ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: nikitin@fryazino.net А.В. Таранов - к.ф.-м.н., ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: taranov@cplire.ru Е.Н. Хазанов - д.ф.-м.н., профессор, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: khazanov@cplire.ru

Физико-химические основы технологии особо чистых неорганических веществ

Г.Р. Аллахвердов - д.х.н., профессор, зав. лабораторией тонкого неорганического синтеза, ФГУП «ИРЕА» (Москва) А.Л. Михлин - зам. зав. лабораторией неорганических технологий, ФГУП «ИРЕА» (Москва)

Особенности технологии InGaAsP/InP наногетероструктур для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 нм

А.Е. Маричев - аспирант, кафедра оптоэлектроники, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»; ст. лаборант, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: segregate1@yandex.ru Р.В. Левин - науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: lev13@yandex.ru А.Б. Гордеева - к.ф-м.н., науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: anastasiya.gordeeva@mail.ioffe.ru Г.С. Гагис - к.ф-м.н., науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: galina.gagis@gmail.com В.И. Кучинский - зав. кафедрой оптоэлектроники, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»; д.ф.-м.н, профессор, гл. науч. сотруд-ник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: HHvladimir@kuch.ioffe.ruHH Н.Д. Прасолов - аспирант, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информаци-онных технологий, механики и оптики (ИТМО); инженер, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: nikpras@bk.ru Н.М. Шмидт -преподаватель, кафедра оптоэлектроники, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»; д.ф.-м.н, профессор, гл. науч. сотрудник, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). E-mail: HHnatalia.shmidt@mail.ioffe.ru