350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №4 за 2016 г.
Статья в номере:
Свойства наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n(p)-Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Te (x = 0,21-0,23) с приповерхностными варизонными слоями и без таких слоев
Ключевые слова: МДП-структура HgCdTe молекулярно-лучевая эпитаксия переходный слой диэлектрик-полупроводник полная проводимость варизонный слой
Авторы:
А.В. Войцеховский - д.ф.-м.н., зав. кафедрой, Национальный исследовательский Томский государственный университет E-mail: vav43@mail.tsu.ru Н.А. Кульчицкий - д.т.н., профессор, Московский технологический университет (МИРЭА), Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова E-mail: n.kulchitsky@gmail.com С.Н. Несмелов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Национальный исследовательский Томский государственный университет E-mail: nesm69@mail.ru С.М. Дзядух - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Национальный исследовательский Томский государственный университет E-mail: bonespirit@sibmail.com
Аннотация:
Рассмотрены особенности электрофизических свойств МДП-структур на основе n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013) и Si (013). Обсуждены возможности определения основных параметров наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник (плотности быстрых и медленных поверхностных состояний, концентрации подлегирующих дефектов донорного типа) для МДП-структур на основе n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0.21-0.23) с варизонным слоем и без варизонного слоя из полной проводимости структур, измеренной в широком диапазоне температур и частот.
Страницы: 39-47
Список источников

 

  1. Rogalski A. Infrared detectors, 2nd ed.. New York: CRC Press. 2011.876 p.
  2. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С. и др. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий-ртуть-теллур на «альтернативных» подложках // ФТП. 2001. Т. 35. № 9. С. 1092‒1101.
  3. Izhnin I.I., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M. et al. Admittance Investigation of MIS Structures with HgTe-Based Single Quantum Wells // Nanoscale Research Letters. 2016. V. 11. № 1. P. 53-1‒53-4.
  4. Fu R., Pattison J. Advanced thin conformal Al2O3 films for high aspect ratio mercury cadmium telluride sensors // Optical Engineering. 2012. V. 51. № 10. P. 104003-1‒104003-4.
  5. Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 // Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58. № 4. С. 97‒106.
  6. Nicollian E. H., Brews J. R. MOS (metal oxide semiconductor) physics and technology. New York: Wiley. 1982. 906 p.
  7. Goodwin M.W., Kinch M.A., Koestner R.J. Metal-insulator semiconductor properties of molecular-beam epitaxy grown HgCdTe heterostructures // Journal of Vacuum Science & Technology A. 1990. V. 8. № 2. P. 1226‒1232.
  8. Goodwin M.W., Kinch M.A., Koestner R.J. Metal-insulator-semiconductor properties of HgTe-CdTe superlattices // Journal of Vacuum Science & Technology A. 1988. V. 6. № 4. P. 2685‒2692.
  9. Овсюк В.Н., Ярцев А.В. Исследование вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе МЛЭ CdHgTe n- и р-типа // Прикладная физика. 2007. № 5. С. 80‒83.
  10. Васильев В.В., Машуков Ю.П. Вольт-фарадные характеристики структур на основе p-Cd0.27Hg0.73Te с широкозонным варизонным слоем на поверхности // ФТП. 2007. Т. 41. № 1. С. 38‒44.
  11. An S.Y., Kim J.S., Seo D.W. et al. Passivation of HgCdTe pn diode junction by compositionally graded HgCdTe formed by annealing in a Cd/Hg atmosphere // Journal of Electronic Materials. 2002. V. 31. № 7. P. 683‒687.
  12. Rosbeck J.P., Harper M.E. Doping and composition profiling in Hg1−xCdxTe by the graded capacitance-voltage method // Journal of Applied Physics. 1987. V. 62. № 5. P. 1717‒1722.
  13. Voitsekhovskii A., Nesmelov S., Dzyadukh S. Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1−xCdxTe in wide temperature range // Opto-Electronics Review. 2014. V. 22. № 4. P. 236‒244.
  14. Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. и др. Расчет вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе ГЭС HgCdTe МЛЭ с приповерхностными варизонными слоями с повышенным составом // Прикладная физика. 2011. № 5. С. 80‒86.
  15. Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M. Capacitance-voltage characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators // Thin Solid Films. 2012. V. 522. P. 261‒266.
  16. Sze S.M., Ng Kwok K. Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed.. New York : Wiley, 2007. 832 p.
  17. Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M. Dopant in Near-Surface Semiconductor Layers of Metal-Insulator-Semiconductor Structures Based on Graded-Gap p-Hg0.78Cd0.22Te Grown by Molecular-Beam Epitaxy // Journal of Electronic Materials. 2016. V. 45. № 2. P. 881‒891.
  18. Frankl D.R. Some effects of material parameters on the design of surface space-charge varactors // Solid-State Electronics. 1961. V. 2. № 1. P. 71‒76.
  19. Van Overstraeten R., Declerck G., Broux G. Graphical Technique to Determine the Density of Surface States at the Si/SiO2 Interface of MOS Devices Using the Quasistatic C-V Method // Journal of The Electrochemical Society. 1973. V. 120. № 12. P. 1785‒1787.