350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №11 за 2010 г.
Статья в номере:
Термодинамика легирования (Al)GaAs в мос-гидридной эпитаксии с использованием CCl4
Ключевые слова: термодинамика МОС-гидридная эпитаксия AlGaAs легирование CCl4
Авторы:
Созыкин A.C. - инженер-технолог, ОАО «Восход»-КРЛЗ. E-mail: sozykin_anton@mail.ru Стрельченко С.С. - д. т. н., проф., Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана Головатый Ю.П. - ст. преподаватель, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана Ладугин М.А. - инженер, к. т. н., ООО «Сигм Плюс» Мармалюк А.А. - д. т. н., зам. директора, ООО «Сигм Плюс»
Аннотация:
Разработана термодинамическая модель процессов роста и легирования эпитаксиальных слоёв GaAs и AlGaAs углеродом в системе материалов Ga(C2H5)3-Al(CH3)3-AsH3-CCl4-H2. Концентрация углерода была рассчитана в приближении регулярных твёрдых растворах в системах GaAs-GaC, AlAs-AlC. Получены зависимости уровня легирования эпитаксиальных слоёв GaAs и AlGaAs углеродом от основных технологических параметров роста.
Страницы: 44-48
Список источников
  1. Cunningham B.T., Baker J.E., Stilman G.E. Carbon tetrachloride doped AlxGa1-xAs grown by metalorganic chemical vapor deposition // Applied Physics Letters. 1990. V. 56. P. 836-838.
  2. Guido L.J., Jackson G.S., Hall D.C., Piano W.E., Holonyak N. Carbon-doped AlxGa1-xAs-GaAs quantum wells lasers // Applied Physics Letters. 1988. V. 52. P. 522-524.
  3. Bulaev P.V., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A., Nikitin D.B., Zalevsky I.D., Kapitonov V.A., Nikolaev D.N., Pikhtin N.A., Lyutetskiy A.V., Tarasov I.S. Comparison of carbon and zinc p-clad doped LP MOCVD grown InGaAs/AlGaAs low divergence high-power laser heterostructures // Journal of Crystal Growth. 2003. V. 248. P. 114-118.
  4. Rebey A., Beji L., El Jani B., Gibart P. Optical monitoring of the growth rate reduction by CCl4 during metal organic vapour-phase epitaxy deposition of carbon doped GaAs // Journal of Crystal Growth. 1998. V. 191. P. 734-739.
  5. Begarney M.J., Warddrip M.L., Kappers M.J., Hicks R.F. Kinetics carbon tetrachloride decomposition during the metalorganic vapor-phase epitaxy of gallium arsenide and indium // Journal of Crystal Growth. 1998. V. 193. P. 305-315.
  6. Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Сухарев А.В., Стрельченко С.С. Профильное легирование углеродом эпитаксиальных слоёв GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии // Изв. вузов. Материалыэлектрон. техники. 2009. № 4. С. 36-41.
  7. Стрельченко С.С., Матяш А.А. Кинетика осаждения эпитаксиальных слоев соединений АIIIВV из газовой фазы. // Обзоры по электронной технике. серия. 6. «Материалы». 1979. Вып. 8 (678). 107 с.
  8. Глазов В.М., Павлова Л.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. М.: Металлургия. 1988. 560 с.
  9. Ладугин М.А., Сухарев А.В., Падалица А.А.Особенности легирования GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии // Изв. вузов. Материалыэлектрон. техники. 2008. № 1. С. 36-41.
  10. Tateno K., Kohama Yo., Amano C.. Carbon doping and etching effects of CBr4 during metal organic chemical vapor deposition of GaAs and AlGaAs // Journal of Crystal Growth. 1997. V. 172. P. 5-12.