350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №8 за 2016 г.
Статья в номере:
Применение псевдосплавов состава вольфрам-медь для отвода тепла в корпусах силовых полупроводниковых приборов
Ключевые слова: псевдосплав вольфрам-медь каркасный материал теплоотвод полупроводниковый прибор
Авторы:
М.В. Инюхин - инженер-технолог, ООО «Эколюм-Восход» (г. Калуга) E-mail: michael1@kaluga.ru А.П. Коржавый - Засл. деятель науки РФ, д.т.н., профессор, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: fn2kf@list.ru
Аннотация:
Рассмотрены основные требования, предъявляемые к корпусам силовых полупроводниковых приборов и теплоотводящим материалам, применяемым при их производстве. Определены основные параметры материалов для отвода тепла, которые влияют на возможность создания корпусов и обеспечение оптимального теплового режима полупроводниковых приборов. Проанализированы параметры широко применяемых теплоотводящих материалов и отмечены материалы с наиболее подходящими свойствами и характеристиками. Приведены параметры серийных материалов состава вольфрам-медь (W−Cu) различных производителей. Высказаны предположения о ближайших перспективах развития и применения теплоотводящих материалов в связи с применением карбида кремния в некоторых областях электроники. На основе рассмотренных данных рекомендованы перспективные теплоотводящие материалы.
Страницы: 10-15
Список источников

 

  1. Пономарев В.А., Яранцев Н.В. Порошковые материалы для изделий электронной техники / Под ред. А.П. Коржавого. М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2014. 304 с.
  2. Инюхин М.В., Коржавый А.П., Прасицкий Г.В. Параметры и техника получения теплоотводящих материалов для полупроводниковых приборов // Наукоемкие технологии. 2014. Т. 15. № 2. С. 10−19.
  3. Прасицкий В.В. Научно-технологические аспекты производства композиционных материалов для теплоотводящих и конструкционных элементов полупроводниковой и вакуумной техники // Наукоемкие технологии. 2014. Т. 15. № 10. С. 16−20.
  4. Коржавый А.П., Марин В.П., Сигов А.С. Некоторые аспекты создания технологий и конструкций изделий квантовой электроники // Наукоемкие технологии. 2002. Т. 3. № 4. С. 20−31.
  5. Прасицкий В.В., Прасицкий Г.В., Никифоров К.Г., Жданов С.М. Физико-технологические факторы обеспечения качества композиционных материалов, получаемых методом прокатки порошков // Наукоемкие технологии. 2015. Т. 16. № 9. С. 38−46.
  6. GeneSiC Semiconductor, Inc. Normally-OFF Silicon Carbide Junction Transistor 2N7640-GA // URL = http://www.genesicsemi .com/images/hit_sic/sjt/2N7640-GA.pdf.
  7. Bussarakons T. International Rectifier. Hermetic Surface-Mount Discrete Semiconductor, Solutions to Assembly Integration. URL = http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1016.pdf.
  8. Patent USА № 2010/0092327. 15 Apr 2010. Torrey Hills Technologies, LLC. Process for Making Copper Tungsten and Copper Molybdenum Composite Electronic Packaging Materials.
  9. Zweben C. Advanced Thermal Management Materials for Electronics and Photonics // Advancing Microelectronics. 2010. V. 37. № 4. P. 14−19.
  10. Боднарь Д. Металлические и композитные теплопроводящие материалы для мощных полупроводниковых корпусов // Компоненты и технологии. 2014. № 12. С. 155−160.
  11. Лебедев А., Сбруев С. SiC-электроника: прошлое, настоящее, будущее // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2006. № 5. С. 28−41.
  12. Петропавловский Ю. Современные полупроводниковые приборы на основе карбида кремния фирмы ROHM Semiconductor // Компоненты и технологии. 2011. № 4. С. 108−112.