350 руб
Журнал «Успехи современной радиоэлектроники» №9 за 2014 г.
Статья в номере:
Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью
Ключевые слова: СВЧ-электроника широкозонные полупроводниковые материалы наногетероструктуры
Авторы:
В.А. Буробин - к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.М. Коновалов - начальник СКБ ШЗП, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: kb-it@mail.ru А.А. Макаров - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru А.А. Щука - д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет). E-mail: shchuka@mail.mipt.ru
Аннотация:
Рассмотрены особенности выращивания наногетероструктур на основе нитрида галлия для СВЧ-транзисторов. Проведено сравнение материалов, используемых в качестве подложек, отражены технологические аспекты формирования гетероэпитаксиальных структур InAlN/GaN. Показаны преимущества разрабатываемых структур по сравнению с используемым в настоящее время арсенидом галлия.
Страницы: 48-51
Список источников

  1. Буробин В.А. Новое поколение электронной техники: Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия // Технополис XXI. 2012. Сентябрь. С. 18-19.
  2. Буробин В.А. Разработка конструкции и промышленной технологии изготовления мощного СВЧ транзистора на базе гетероэпитаксиальной структуры AlGaN/GaN // Оборонный комплекс ? научно-техническому прогрессу России. 2012. № 4. С. 66-71.
  3. Lobanova A.V. et al. AlInN MOVPE: growth chemistry and analysis of trends // Journal of Crystal Growth. 2012. Т. 352. № 1. С. 199-202.
  4. Medjdoub F. et al. Status of the emerging InAlN/GaN power HEMT technology // Open Electrical & Electronic Engineering Journal. 2008. Т. 2. С. 1-7.
  5. Lee D.S. et al. InAlN/GaN HEMTs with AlGaN back barriers // Electron Device Letters, IEEE. 2011. Т. 32. № 5. С. 617‑619.