350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №11 за 2013 г.
Статья в номере:
Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия
Ключевые слова: широкозонные полупроводники гетероэпитаксиальные структуры нитрида галлия нитрид галлия на кремнии
Авторы:
В.А. Буробин - к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru, openline@gz-pulsar.ru
Аннотация:
Рассмотрены преимущества приборов на основе широкозонных полупроводниковых материалов, состояние производства приборов широкозонной электроники в России и в мире.
Страницы: 5-12
Список источников

  1. Li T., Mastro M., Dadgar A. III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics. CRC Press. 2010. 593 с.
  2. GaN and ZnO-based Materials and Devices, Series: Springer Series in Materials Science, V. 156 / S. Pearton(Ed.). Springer. 2012. 485 с.
  3. Технология выращивания кристаллов нитрида галлия / под ред. Д. Эрентраута и др. / пер. с англ. К.В. Юдинцева// Миррадиоэлектроники. М.: Техносфера. 2011.
  4. Jin D., J. A. del Alamo. Mechanisms responsible for dynamic on-resistance in GaN high-voltage HEMTs // Proc. IEEE 24th Int. Symp. Power Semicond. Dev. ICs, Brugge, Belgium. Jun. 2012. P. 333-336.
  5. Буробин В.А., Крымко М.М. Перспективы развития отечественной силовой электроники в мультисистемном  кластере НПО «Пульсар» ОАО «Российская электроника» //Материалы XI отраслевой научно-техн. конф. «Состояние и перспективы развития отечественной микроэлектроники». Новосибирск. 2012.