350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №3 за 2010 г.
Статья в номере:
Нелинейный электрический низкочастотный шум в полупроводниках
Авторы:
Б. И. Якубович - к.ф.-м.н., ст. научн. cотрудник, ПИЯФ РАН E-mail: yakubovich@pnpi.spb.ru
Аннотация:
Рассмотрены нелинейные свойства электрических флуктуаций в полупроводниках, вызванных захватом и эмиссией носителей заряда дефектами структуры; проанализированы нелинейные флуктуации, связанные с увеличением концентрации дефектов при прохождении тока; дано описание электрических низкочастотных флуктуаций в полупроводниках, вызванных дефектами структуры, с учетом нелинейных явлений; показано, что нелинейные свойства флуктуаций могут быть использованы для повышения эффективности шумовых методов неразрушающего контроля электронных устройств.
Страницы: 137-141
Список источников
  1. Weissman M. B.1/f noise and other slow, nonexponential kinetics in condensed matter // Rev. Mod. Phys. 1988. V. 60. Nо. 2.
    P. 537-571.
  2. Kirton M. J., Uren M. J. Noise in solid-state microstructures: A new perspective on individual defects, interface states and low-frequency (1/f) noise // J. Adv. Phys. 1989. V. 38. Nо. 4. P. 367-468.
  3. Jones B. K. Electrical noise as a measure of quality and reliability in electronic devices // Adv. Electron. Electron. Phys. 1993.
    V. 87. P. 201-257.
  4. Kogan Sh. Electronic noise and fluctuations in solids. Cambridge: Cambr. Univ. Press. 1996.
  5. Якубович Б. И. Электрические флуктуации в неметаллах. СПб.: Энергоатомиздат. 1999.
  6. Vandamme L. K. J., Hooge F. N. On the additivity of generation-recombination spectra // Physica B. 2005. V. 357. Nо. 3. P. 507-524.
  7. Watanabe S. Multi-lorentzian model and 1/f noise spectra // J. Kor. Phys. Soc. 2005. V. 46. Nо. 3. P. 646-650.
  8. Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. М.: Мир. 1984.
  9. Smith J. S., Vaccaro J. Physical basis for evaluating the reliability of p-n junction devices // IEEE Trans. 1968. V. 17. Nо. 1. P. 20-27.