Журнал «Системы высокой доступности» №2 за 2018 г.
Статья в номере:
Информационная технология построения многомасштабных моделей в задачах вычислительного материаловедения
Тип статьи: научная статья
УДК: 519.876
Авторы:

К.К. Абгарян – к.ф.-м.н., зав. отделом, ФИЦ «Информатика и управление» РАН (Москва);  зав. кафедрой, Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет) E-mail: kristal83@mail.ru

Аннотация:

Сформулирована постановка многомасштабных научных проблем, включающих в себя явления несопоставимых пространственных и/или временных масштабов, решение которых невозможно без учета всех факторов, играющих ключевые роли в таких задачах. Представлены основные положения разработанной информационной технологии построения многомасштабных моделей с использованием таких новых понятий, как «базовая модель-композиция» и «Многомасштабная Композиция», для их описания использован теоретико-множественный аппарат. Показано на актуальном классе задач о новых полупроводниковых материалах, что такой подход может использоваться при исследовании многомасштабных физических процессов или явлений, когда возникает задача объединения имеющихся моделей, отнесенных к разным пространственно-временным уровням, в едином вычислительном процессе.

Страницы: 9-15
Список источников
  1. Lesard Introduction to Computational Materials Science. Fundamentals to Applications. Cambridge University Press. 2013. 414 с.
  2. Бродский Ю.И. Модельный синтез и модельно-ориентированное программирование М.: ВЦ РАН. 2013. 142 с.
  3. Куратовский К., Мостовский А. Теория множеств. М.: Мир. 1970. 416 с.
  4. Абгарян К.К. Применение оптимизационных методов для моделирования многослойных полупроводниковых наносистем // Труды Института системного анализа РАН. Динамика неоднородных систем. 2010. Т. 53(3). С. 6−9.
  5. Абгарян К.К. Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. 2016. Т. 19. № 2. С. 112−118.
  6. Абгарян К.К., Ревизников Д.Л. Численное моделирование распределения носителей заряда в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах с учетом поляризационных эффектов // ЖВМ и МФ. 2016. Т. 56. № 1. С. 155−166.
  7. Kohn W., Sham L.J. // Phys. Rev. 1965. 140. A1133.
Дата поступления: 20 апреля 2018 г.