С.П. Вихров – д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Микро- и наноэлектроника»,  Рязанский государственный радиотехнический университет

E-mail: vikhrovsergey@mail.ru

Н.В. Вишняков – к.т.н., доцент, кафедра «Микро- и наноэлектроника»,  Рязанский государственный радиотехнический университет

E-mail: rcpm-rgrtu@yandex.ru

В.В. Гудзев – к.ф.-м.н., доцент, кафедра «Микро- и наноэлектроника», 

Рязанский государственный радиотехнический университет

E-mail: valerygudzev@yandex.ru

В.Г. Литвинов – к.ф.-м.н., доцент, кафедра «Микро- и наноэлектроника», 

Рязанский государственный радиотехнический университет

E-mail: vglit@yandex.ru

В.Г. Мишустин – к.ф.-м.н., доцент, кафедра «Микро- и наноэлектроника»,  Рязанский государственный радиотехнический университет

E-mail: vgmish@yandex.ru

Рассмотрены возможности токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней и метода компенсации тока нестационарной фотопроводимости для исследования локализованных электронных состояний в щели подвижности аморфного гидрированного кремния. Показана возможность их совместного применения в качестве экспресс-метода контроля параметров приборных структур на некристаллических полупроводниках.

1. W. van Sark, Korte L., Roca F. (eds.). Physics and Technology of Amorphous-Crystalline Heterostructure Silicon Solar Cells. Springer Berlin Heidelberg. Berlin: Heidelberg. 2012.
2. Mishustin V.G., Vikhrov S.P., Vishnyakov N.V., etc. Influence of the localized states on the collection efficiency of photogenerated charge carries in solar cells based on a-Si:H // Proceedings Research monograph MECO. Bar, Montenegro. 2016. P. 47−50.
3. Литвинов В.Г., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г. и др. Исследование глубоких энергетических уровней в HIT-структуре a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n) // Сб. тр. Межд. конф. «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». СПб.: Изд-во Политехнического ун-та. 2016. С. 211−212.
4. Стрит Р., Бигельсен Д. Спектроскопия локализованных состояний // Физика гидрогенизированного кремния. Вып. II. Электронные и колебательные свойства / Под ред. Джоунопулоса Дж., Люковски Дж. М.: Мир. 1988. 448 с.
5. Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Мишустин В.Г. Исследование глубоких уровней в барьерных структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния // Сб. тр. СТНО-2016. Рязань: РГРТУ. 2016. С. 259−263.
6. Авачев А.П., Алмазов Д.В., Мальченко С.И., Мишустин В.Г. Модифицированный времяпролетный метод: перспективы развития // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2012. № 42−2. С. 39−43.
7. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков: Учеб. пособие. М.: Высшая школа. 1977. 448 с.
8. Гудзев В.В., Зубков М.В., Кусакин Д.С., Литвинов В.Г. Способ определения энергии ионизации равномерно распределенных дефектов с глубокими уровнями в полупроводниковых барьерных структурах с неоднородным легированием базы // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2015. № 52. С. 163−168.
9. Алпатов А.В., Кострюков С.А., Мишустин В.Г. и др. Исследование контактных явлений в фотоэлектрических датчиках на основе наноструктурированных неупорядоченных полупроводников // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2009. № 30. С. 58−62.
10. Litvinov V.G., Vishnyakov N.V., Gudzev V.V., Mishustin V.G., Vikhrov S.P., Karabanov S.M., Karabanov A.S. Measuring complex for analysis of recombination deep traps in semiconductor solar cells // USB Proceedings 2015 IEEE ICIT. Seville, Spain. 17−19 March 2015. P. 1071−1074.
11. Мишустин В.Г. Новый подход к исследованию неупорядоченных полупроводников модифицированным времяпролетным методом // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2001. № 8. С. 95−99.