С.Д. Синицкий – к.т.н., доцент, ст. науч. сотрудник, научно-исследовательский центр, Краснодарское высшее военное училище имени генерала армии С.М. Штеменко E-mail: s.sinickii@mail.ru
Ю.И. Стрелков – к.т.н., профессор, ст. науч. сотрудник, научно-исследовательский центр, Краснодарское высшее военное училище имени генерала армии С.М. Штеменко
E-mail: yistrel@mail.ru
Д.А. Кучерук – аспирант, начальник управления, научно-исследовательский центр, Краснодарское высшее военное училище имени генерала армии С.М. Штеменко E-mail: kda_dissert@mail.ru
Е.С. Иванов – ассистент, оператор научной роты,
Краснодарское высшее военное училище имени генерала армии С.М. Штеменко E-mail: adeven@list.ru
Постановка проблемы. Задача определения работоспособности отдельных узлов и компонентов радиоэлектронных устройств (РЭУ) различных систем передачи, обмена и хранения информации весьма актуальна и, несомненно, является основой высокой степени готовности использования техники по предназначению. Объектами диагностирования (ОД) могут выступать отдельные составляющие аппаратуры: микросхемы, узлы и линии связи, а работа по поиску неисправностей определяется как техническое диагностирование РЭУ.
Цель. Рассмотреть возможность технического диагностирования РЭУ с применением вращающегося электромагнитного поля (ВЭМП).
Результаты. Большое число средств диагностирования основываются на использовании метода «тест-сигналов», когда на определенные входы РЭУ подаются специально сформированные сигналы, а с выходов РЭУ снимаются «отклики» на эти сигналы и сравниваются с эталонными. Определенный интерес представляет рассмотрение ответной реакции полупроводниковых элементов и цепей РЭУ на воздействие ВЭМП, которое будет воздействовать на диагностируемый объект со всех сторон по окружности. В качестве ОД использовалось «Устройство чтения карт памяти». Сравнение различия между измеренными и эталонными значениями показало превышение допустимых для этого вида плат параметров рассогласования.
Практическая значимость. Данный способ диагностирования РЭУ позволяет определять неисправные ОД, а в последующем и неисправные функциональные цепи ОД. Вероятность правильного диагностирования зависит от степени интеграции цепей.
- Исследование электрофизических свойств полупроводниковых слоев (n- и p-тип) и структур с двумерным электронным газом методом Холла и вихретоковым методом. Методические указания по исследовательской работе. СПб: УРАН СПбАУ НОЦ нанотехнологий РАН. 2010.
- Фесенко М.В., Хлопов Б.В., Кузьминых А.С., Митягин А.Ю. Неоднородный полупроводниковый носитель информации в переменном магнитном поле. ФГУП «ЦНИРТИ им. академика А.И. Берга».
- Герасимов В.Г., Зайдель Х.Э. Электротехника: Программированное учебное пособие. М.: Высшая школа. 1983. 480 с.
- Копылов И.П. Электрические машины. М.: Энергоатомиздат. 1986. 360 с.