350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №11 за 2013 г.
Статья в номере:
Разработка технологии производства СВЧ-транзисторов на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия в ОАО «ГЗ «Пульсар»
Ключевые слова: СВЧ-электроника широкозонные полупроводниковые материалы наногетероструктуры
Авторы:
В.А. Буробин - к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru, openline@gz-pulsar.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор по инновационному развитию, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.М. Коновалов - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: kb-it@mail.ru А.А. Макаров - инженер-технолог, ОАО «ГЗ «Пульсар». e-mail: makarov.pulsar@gmail.com М.В. Пашков - инженер-технолог, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: michaelpashkov@yandex.ru Р.И. Тычкин - зам. гл. инженера, ОАО «ГЗ «Пульсар»
Аннотация:
Рассмотрены актуальные вопросы по созданию промышленной технологии производства мощных СВЧ-транзисторов на базе гетероструктур AlGaN/GaN. Показан выбор исходного материала подложек. Представлены технологические аспекты формирования гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN с оптимизацией значений концентрации и подвижности в слое двумерного электронного газа, а также методы контроля качества структур.
Страницы: 30-36
Список источников

  1. Буробин В. А.Новое поколение электронной техники: Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия // Технополис XXI. Сентябрь 2012. С. 18-19.
  2. Буробин В. А. Разработка конструкции и промышленной технологии изготовления мощного СВЧ транзистора на базе гетероэпитаксиальной структуры AlGaN/GaN // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. 2012. №4. С. 66-71.